X射線光電子能譜儀，為一種表面分析技術(shù)，對材料表面元素及其化學狀態(tài)進行表征為其主要的用途。使用X射線和樣品表面相互作用，通過光電效應，對樣品表面進行激發(fā)，使光電子發(fā)射，光電子動能通過能量分析器加以測量。按照B.E=hv-K.E-W.F，從而使激發(fā)電子的結(jié)合能（B.E)獲得。

發(fā)展

1887年，光電效應被海因里?！?shù)婪颉ず掌澃l(fā)現(xiàn)。

1905年，光電效應現(xiàn)象被愛因斯坦解釋了（并因此獲得了1921年的諾貝爾物理學獎）。

1907年，P.D. Innes用倫琴管、亥姆霍茲線圈、磁場半球（電子能量分析儀）和照像平版做實驗來對寬帶發(fā)射電子和速度的函數(shù)關系進行記錄。實際上，人類di一條X射線光電子能譜就是由他的實驗進行記錄的。多項實驗分別由如亨利·莫塞萊、羅林遜和羅賓遜等其他研究者所獨立進行，他們試圖將這些寬帶所包含的細節(jié)內(nèi)容研究出來。

因為第二次世界大戰(zhàn)中止了XPS的研究，在第二次世界大戰(zhàn)以后瑞典物理學家凱·西格巴恩和他在烏普薩拉的研究小組在研發(fā)XPS設備中獲得了多項重大進展。

1954年，氯化鈉的首條高能高分辨X射線光電子能譜被獲得，XPS技術(shù)的強大潛力由此顯現(xiàn)了出來。

1967年以后，幾年間，就XPS技術(shù)，一系列學術(shù)成果由巴恩所發(fā)表出來，使得XPS的應用被世人所公認。

1969年，在和西格巴恩的合作下，世界上首臺商業(yè)單色X射線光電子能譜儀被美國惠普公司制造了出來。

1981年，西格巴恩獲得諾貝爾物理學獎，以表彰他將XPS發(fā)展為一個重要分析技術(shù)所作出的杰出貢獻。