外界環(huán)境、被試品的絕緣狀況等因素將使介損測試儀不能在額定電壓下對試品進(jìn)行介損測試，因此，需要對不同電壓下的介損測試數(shù)據(jù)進(jìn)行分析。對介損測試的意義、介質(zhì)損耗的含義、測試原理等進(jìn)行了闡述，通過對多個介損測試儀在不同電壓等級下進(jìn)行試驗(yàn)的過程進(jìn)行分析后發(fā)現(xiàn)測試電壓不會對介損測試儀的測試結(jié)果產(chǎn)生影響，說明在干擾較小的情況下，使用介損測試儀測試介損時，采用較低的測試電壓仍可得到比較準(zhǔn)確的測試結(jié)果。將試驗(yàn)數(shù)據(jù)與理論分析進(jìn)行了比較，說明并驗(yàn)證了試驗(yàn)結(jié)果與理論分析的一致性。

1、電介質(zhì)在交變電場作用下具有兩種介電行為：

(1)對于由純電容元件構(gòu)成的理想電介質(zhì)，其電位移與電場強(qiáng)度在時間上沒有相位差，此時極化強(qiáng)度與交變電場同相位，交流電流剛好超前電壓π/2。

(2)對于由電容元件和電阻元件構(gòu)成的實(shí)際電介質(zhì)，在交流電壓作用下要產(chǎn)生損耗(包括電導(dǎo)損耗、極化損耗、電離損耗等)，此時流過電介質(zhì)的交流電流超前電壓的相角小于π/2。因此將介質(zhì)損耗角定義為π/2與流過電介質(zhì)的交流電流超前電壓的相角之差，即介質(zhì)損耗角是在交變電場下電介質(zhì)內(nèi)流過的電流向量和電壓向量之間的夾角(即功率向量角)的余角δ簡稱為介損角，其正切值tgδ即為介質(zhì)損耗角正切值，又稱介質(zhì)損耗因數(shù)或介損。

介損取決于材料的特性，與材料尺寸無關(guān)。介損的變化可反映絕緣體受潮、劣化變質(zhì)或氣體放電等絕緣缺陷，發(fā)現(xiàn)電力設(shè)備絕緣整體受潮、劣化變質(zhì)以及小體積被試設(shè)備貫通和未貫通的局部缺陷，其在電工制造及電力設(shè)備交接和預(yù)防性試驗(yàn)中都得到了廣泛應(yīng)用。

在DIMT596--1996((電力設(shè)備預(yù)防性試驗(yàn)規(guī)程》、GB50150—9l《電氣裝置安裝工程電氣設(shè)備交接試驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)》等標(biāo)準(zhǔn)中明確規(guī)定了電氣設(shè)備在現(xiàn)場交接驗(yàn)收或定期預(yù)防性試驗(yàn)時必須測試其tgδ值。由于高壓設(shè)備損壞事故中的很大部分是因電氣設(shè)備絕緣受潮或絕緣老化引起的，故測試電氣設(shè)備中的tgδ以發(fā)現(xiàn)其是否存在絕緣受潮或絕緣老化等缺陷具有重要意義。

2、介質(zhì)損耗測試儀研究現(xiàn)狀

在《高壓電力設(shè)備預(yù)防性試驗(yàn)規(guī)程》中要求對tgδ的測試需在10kV電壓下進(jìn)行。但由于工程現(xiàn)場的復(fù)雜條件、天氣及設(shè)備自身狀況、工程進(jìn)度等多種因素影響，可能要求在低于10kV的電壓下進(jìn)行介損測試，因此，需要研究介損測試值在不同電壓下的關(guān)系。在介損測試中，影響其測試結(jié)果的因素較多，一些研究人員就不同因素對介損測試結(jié)果的影響進(jìn)行了試驗(yàn)與分析。

劉洪鑫等對電流互感器進(jìn)行了現(xiàn)場介損檢測，試驗(yàn)并分析了不同相序?qū)y試結(jié)果的影響，指出在現(xiàn)場測試時采用換相序、倒相的方法測試高電壓設(shè)備的介損更為方便、準(zhǔn)確；黎志強(qiáng)對介損進(jìn)行現(xiàn)場測試的套管注意事項(xiàng)進(jìn)行了說明，指出應(yīng)將瓷套管表面及末屏套管表面擦拭干凈，且宜選擇在天氣干燥的條件下進(jìn)行；濕度較大時，宜采用屏蔽法消除現(xiàn)場干擾和表面泄漏的影響，以減少測試誤差；黃敏指出：對于良好絕緣的設(shè)備，在允許的電壓范圍內(nèi)，無論電壓上升與下降，其tgδ均無明顯變化。

綜上所述，雖然研究人員對介損進(jìn)行了多項(xiàng)研究，但測試電壓對介損值的影響如何數(shù)據(jù)較少，仍需進(jìn)一步試驗(yàn)與分析，以便得到更加準(zhǔn)確的介損測試值。鑒于此，筆者對實(shí)驗(yàn)室條件下測試電壓對介損的影響進(jìn)行了探討，旨在為介損試驗(yàn)提供參考。

3、介質(zhì)損耗測試儀試驗(yàn)原理與過程

3.1試驗(yàn)原理

對介損的測試以電橋(典型代表為西林電橋)平衡為基本原理。測試tgδ時分為正接法和反接法兩種方法。正接法主要用于對不接地試品的測試;反接法主要用于對接地試品的測試。

3.2試驗(yàn)方法

在被測試品兩端施加一電壓，使試品上流過一電流，利用電壓與電流之間夾角的余角δ的正切值tgδ反映試品的介損大小。當(dāng)試品發(fā)生受潮、老化等情況時將引起其電阻R或電容C發(fā)生變化，從而引起介質(zhì)損耗角δ發(fā)生變化，使得tgδ夠發(fā)生變化。

3.3試驗(yàn)步驟

(1)實(shí)施接線；

(2)對介損測試儀進(jìn)行參數(shù)設(shè)置；

(3)升壓，進(jìn)行介損測試；

(4)改變電壓，得到不同測試電壓下的介損值。

4、電壓對介損測試儀測試數(shù)據(jù)的影響分析

不同測試電壓下測得的試驗(yàn)數(shù)據(jù)幾乎不發(fā)生變化，說明測試電壓不會影響介損測試儀的測試結(jié)果。由前述測試原理的理論表達(dá)式可知：介損和電容量只是電容、電阻的函數(shù)，與所施加的測試電壓無關(guān)。

5、結(jié)語

筆者在實(shí)驗(yàn)室條件下對多個介損測試儀在1kV、3kV、5kV、8kV、10kV電壓下分別進(jìn)行了試驗(yàn)，發(fā)現(xiàn)測試電壓不會對介損測試儀的介損值和電容量值產(chǎn)生影響，因此可知，實(shí)驗(yàn)條件下測試介損時采用低電壓仍然可以得到較準(zhǔn)確的結(jié)果，從而提高了對高壓設(shè)備測試的靈活性和方便性。但在電磁干擾嚴(yán)重的情況下，為了提高信噪比，筆者建議盡量采用較高的電壓進(jìn)行測試。鑒于筆者水平、實(shí)驗(yàn)條件及實(shí)驗(yàn)設(shè)備數(shù)量的限制，本文僅供參考，不足之處，請予以指正。