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2026-03-25 19:40:03分立器件測(cè)試設(shè)備: 分立器件測(cè)試設(shè)備是用于檢測(cè)分立器件（如二極管、晶體管、電阻器等）性能的關(guān)鍵設(shè)備。它能夠測(cè)量器件的電氣參數(shù)，如電壓、電流、功率、電容等，以及評(píng)估其可靠性、穩(wěn)定性和頻率響應(yīng)等特性。這些設(shè)備通常具有高精度、高速度和自動(dòng)化測(cè)試能力，能夠大幅提高測(cè)試效率和準(zhǔn)確性。在半導(dǎo)體生產(chǎn)、電子產(chǎn)品研發(fā)和質(zhì)量控制等領(lǐng)域，分立器件測(cè)試設(shè)備發(fā)揮著至關(guān)重要的作用，是確保分立器件質(zhì)量和性能不可或缺的工具。

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分立器件測(cè)試設(shè)備問(wèn)答

2021-05-13 11:29:10吉時(shí)利源表助力半導(dǎo)體分立器件I-V特性測(cè)試: 近期有很多用戶在網(wǎng)上咨詢I-V特性測(cè)試， I-V特性測(cè)試是很多研發(fā)型企業(yè)和高校研究的對(duì)象，分立器件I-V特性測(cè)試可以幫助工程師提取半導(dǎo)體器件的基本I-V特性參數(shù)，并在整個(gè)工藝流程結(jié)束后評(píng)估器件的優(yōu)劣。I-V特性測(cè)試難點(diǎn)：種類(lèi)多微電子器件種類(lèi)繁多，引腳數(shù)量和待測(cè)參數(shù)各不相同，此外，新材料和新器件對(duì)測(cè)試設(shè)備提出了更高的要求，要求測(cè)試設(shè)備具備更高的低電流測(cè)試能力，且能夠支持各種功率范圍的器件。尺寸小隨著器件幾何尺寸的減小，半導(dǎo)體器件特性測(cè)試對(duì)測(cè)試系統(tǒng)的要求越來(lái)越高。通常這些器件的接觸電極尺寸只有微米量級(jí)，這些對(duì)低噪聲源表，探針臺(tái)和顯微鏡性能都提出了更高的要求。I-V特性測(cè)試方案：針對(duì)I-V 特性測(cè)試難點(diǎn)，安泰測(cè)試建議可采用keithley高精度源測(cè)量單元（SMU）為核心測(cè)試設(shè)備，配備使用簡(jiǎn)便靈活、功能豐富的 CycleStar 測(cè)試軟件，及穩(wěn)定的探針臺(tái)。圖：系統(tǒng)配置連接示意圖測(cè)試功能：這是一個(gè)簡(jiǎn)單易用的I-V特性測(cè)試方案，無(wú)論對(duì)于雙端口或三端口器件，如二極管、晶體管、場(chǎng)效應(yīng)管都很適用。? 二極管特性的測(cè)量與分析? 雙極型晶體管 BJT 特性的測(cè)量與分析? MOSFET 場(chǎng)效應(yīng)晶體管特性的測(cè)量與分析? MOS器件的參數(shù)提取吉時(shí)利源表簡(jiǎn)介及熱門(mén)型號(hào)推薦：吉時(shí)利源表將數(shù)字萬(wàn)用表 (DMM)、電源、實(shí)際電流源、電子負(fù)載和脈沖發(fā)生器的功能集成在一臺(tái)儀器中。通過(guò)吉時(shí)利源表進(jìn)行分立器件 I-V 特性測(cè)試時(shí)，支持同時(shí)操作兩臺(tái)吉時(shí)利源表，輕松完成三端口器件測(cè)試。此外，因?yàn)榧獣r(shí)利源表兼顧高精度和通用性，廣泛適用于教育、科研、產(chǎn)業(yè)等眾多行業(yè)。安泰測(cè)試作為泰克吉時(shí)利長(zhǎng)期合作伙伴，為多家院校，研究所提供了I-V特性測(cè)試方案，并提供了吉時(shí)利源表現(xiàn)場(chǎng)演示，如果您也有相關(guān)應(yīng)用，歡迎關(guān)注安泰測(cè)試網(wǎng)。

2023-02-01 14:56:12蔡司激光共聚焦顯微鏡-微納器件的表征分析: 對(duì)微納器件進(jìn)行表征時(shí)，常關(guān)注的便是器件的表面形貌和三維尺寸信息，比如粗糙度、深度、體積等，這些都是評(píng)價(jià)微納加工工藝的重要指標(biāo)。然而，在進(jìn)行表面三維的分析工作中，我們可能常遇到這樣的苦惱：　　光學(xué)明場(chǎng)無(wú)法直接定位到亞微米級(jí)缺陷結(jié)構(gòu)!　　樣品結(jié)構(gòu)太復(fù)雜，微弱信號(hào)無(wú)法捕獲，難以準(zhǔn)確測(cè)量尺度信息!　　三維接觸式測(cè)量經(jīng)常會(huì)損傷柔軟樣品，導(dǎo)致測(cè)試結(jié)果不準(zhǔn)確!　　今天，友碩小編將從下面幾個(gè)角度來(lái)看看蔡司激光共聚焦顯微鏡如何幫助你更好地解決這些問(wèn)題。　　失效分析：多尺度多維度原位分析!　　器件表面往往存在一些特殊的結(jié)構(gòu)或缺陷，比如亞微米尺度的劃痕，這些特征難以在光學(xué)明場(chǎng)下被直接觀察到。C-DIC(圓微分干涉)觀察模式可以讓樣品表面亞微米尺度的微小起伏都可以呈現(xiàn)出浮雕效果，幫助我們快速定位并開(kāi)展下一步的分析工作。　　▲ 不同觀察方式下晶圓表面缺陷　　在定位到感興趣區(qū)域后，可以直接切換到共聚焦模式，進(jìn)行表面三維形貌掃描，并進(jìn)行尺寸測(cè)量及分析，無(wú)需轉(zhuǎn)移樣品即可完成樣品多尺度多維度的表征?！　　簿劢谷S圖像及深度測(cè)量　　對(duì)于某些樣品，暗場(chǎng)和熒光模式也是一種很好定位方法，表面起伏的結(jié)構(gòu)在暗場(chǎng)下尤其明顯，如藍(lán)寶石這類(lèi)能發(fā)熒光的晶圓，利用熒光成像也能幫助我們快速地定位到失效結(jié)構(gòu)。甚至，共聚焦還可以和電鏡或者雙束電鏡(FIB)(點(diǎn)擊查看)實(shí)現(xiàn)原位關(guān)聯(lián)，在共聚焦顯微鏡下進(jìn)行定位后轉(zhuǎn)移樣品到電鏡下進(jìn)行更高分辨的表征分析?！　∩罟杩涛g：結(jié)構(gòu)深，信號(hào)弱，蔡司激光共聚焦顯微鏡有辦法!　　深硅刻蝕的樣品通常為窄而深的溝壑結(jié)構(gòu)。接觸式測(cè)量(如臺(tái)階儀)無(wú)法接觸到溝壑底部測(cè)得信息，而由于結(jié)構(gòu)特殊造成了反射光信號(hào)損失，常規(guī)白光干涉或者顯微明場(chǎng)無(wú)法捕獲底面的微弱信號(hào)。因此，不得不對(duì)樣品進(jìn)行裂片分析，這不僅破壞了樣品，而且還使分析流程復(fù)雜化?！　∥骱髮W(xué)張先鋒老師用蔡司激光共聚焦顯微鏡對(duì)深163.905 μm，寬3.734μm的刻蝕坑進(jìn)行成像，高靈敏探測(cè)器、大功率激光及Z Brightness Correction技術(shù)可以幫助成功檢測(cè)到底部的微弱信號(hào)，完成大深寬比(近50：1)樣品的三維形貌表征與測(cè)量，輕松實(shí)現(xiàn)無(wú)損檢測(cè)分析。

2022-12-05 13:11:13TOF-SIMS在光電器件研究中的應(yīng)用系列之三: 一、引言光伏發(fā)電新能源技術(shù)對(duì)于實(shí)現(xiàn)碳中和目標(biāo)具有重要意義。近年來(lái)，基于有機(jī)-無(wú)機(jī)雜化鈣鈦礦的光電太陽(yáng)能電池器件取得了飛速的發(fā)展，目前報(bào)道的最高光電轉(zhuǎn)化效率已接近26%。鹵化物鈣鈦礦材料具有無(wú)限的組分調(diào)整空間，因此表現(xiàn)出優(yōu)異的可調(diào)控的光電性質(zhì)。然而，由于多組分的引入，鈣鈦礦材料生長(zhǎng)過(guò)程中會(huì)出現(xiàn)多相競(jìng)爭(zhēng)問(wèn)題，導(dǎo)致薄膜初始組分分布不均一，這嚴(yán)重降低了器件效率和壽命。圖1. 鈣鈦礦晶體結(jié)構(gòu)二、TOF-SIMS應(yīng)用成果由于目前用于高性能太陽(yáng)能電池的混合鹵化物過(guò)氧化物中的陽(yáng)離子和陰離子的混合物經(jīng)常發(fā)生元素和相分離，這限制了器件的壽命。對(duì)此，北京理工大學(xué)材料學(xué)院陳棋教授等人研究了二元（陽(yáng)離子）系統(tǒng)鈣鈦礦薄膜(FA1-xCsxPbI3，F(xiàn)A：甲酰胺)，揭示了鈣鈦礦薄膜材料初始均一性對(duì)薄膜及器件穩(wěn)定性的影響。研究發(fā)現(xiàn)，薄膜在納米尺度的不均一位點(diǎn)會(huì)在外界刺激下快速發(fā)展，導(dǎo)致更為嚴(yán)重的組分分布差異化（如圖2所示），最終形成熱力學(xué)穩(wěn)定的物相分離，并貫穿整個(gè)鈣鈦礦薄膜，造成材料退化和器件失活。該研究成果以題為“Initializing Film Homogeneity to Retard Phase Segregation for Stable Perovskite Solar Cells”發(fā)表在Science期刊。[1]圖2. 二元 FAC 鈣鈦礦的降解機(jī)制。（A-H）鈣鈦礦薄膜的組分初始分布和在外界刺激下的演變行為。（I-N）熱力學(xué)驅(qū)動(dòng)下，鈣鈦礦薄膜的物相分離現(xiàn)象的TOF-SIMS表征TOF-SIMS作為重要的表面分析方法，具有高檢測(cè)靈敏度（ppm-ppb）、高質(zhì)量分辨率(M/DM>16000)和高空間分辨率(16000)和高空間分辨率(

2022-12-05 13:08:46TOF-SIMS在光電器件研究中的應(yīng)用系列之二: PART 01 引言有機(jī)發(fā)光二極管（Organic Light-Emitting Diode，OLED）是基于多層有機(jī)薄膜結(jié)構(gòu)的電致發(fā)光的器件，用作平面顯示器時(shí)具有輕薄、柔性、響應(yīng)快、高對(duì)比度和低能耗等優(yōu)點(diǎn)，有望成為新一代主流顯示技術(shù)。然而，高效率和長(zhǎng)壽命依然是阻礙OLED發(fā)展的重要因素，因?yàn)橛袡C(jī)材料易降解和器件界面結(jié)構(gòu)不穩(wěn)定從而導(dǎo)致OLED器件失效。在此背景下，迫切需要了解器件的退化機(jī)制，從而在合理設(shè)計(jì)和改進(jìn)材料組合以及器件結(jié)構(gòu)的基礎(chǔ)上，找到提高器件壽命的有效策略。圖1. 基于OLED柔性顯示器件 PART 02 TOF-SIMS表面分析方法研究有機(jī)/無(wú)機(jī)混合OLED器件的界面效應(yīng)是提高其性能和運(yùn)行穩(wěn)定性的關(guān)鍵步驟。在眾多分析方法中，飛行時(shí)間二次離子質(zhì)譜儀（Time of Flight-Secondary Ion Mass Spectrometer，TOF-SIMS）是表征有機(jī)層及其內(nèi)部缺陷的有效分析工具。TOF-SIMS是由一次脈沖離子束轟擊樣品表面所產(chǎn)生的二次離子，經(jīng)飛行時(shí)間質(zhì)量分析器分析二次離子到達(dá)探測(cè)器的時(shí)間，從而得知樣品表面成份的分析技術(shù)，具有以下檢測(cè)優(yōu)勢(shì)：（1）兼具高檢測(cè)靈敏度（ppmm-ppb）、高質(zhì)量分辨率(M/DM>16000)和高空間分辨率(

2021-09-08 17:19:14PET瓶飲料瓶垂直載壓測(cè)試設(shè)備介紹: PET瓶頂壓強(qiáng)度差主要是由于瓶體的結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性差、瓶體內(nèi)部形成強(qiáng)負(fù)壓環(huán)境等原因造成，PET瓶頂壓強(qiáng)度不合格常見(jiàn)的表現(xiàn)形式有瓶體凹陷和變形，碼堆強(qiáng)度差、容易倒塌。實(shí)驗(yàn)室中，PET瓶頂壓強(qiáng)度檢測(cè)用PET瓶垂直載壓測(cè)試儀，也稱(chēng)為頂壓儀。這是是一款專(zhuān)業(yè)用于測(cè)試PET瓶垂直載壓的檢測(cè)設(shè)備，同時(shí)，還適用于飲料瓶、易拉罐的垂直載壓強(qiáng)度、頂壓變形、瓶體耐壓、側(cè)壓強(qiáng)度等性能測(cè)試。賽成自主研發(fā)的ZPY-G電子軸偏差測(cè)量?jī)x適用于安瓿瓶圓跳動(dòng)、西林瓶垂直軸偏差檢測(cè)。依據(jù)標(biāo)準(zhǔn) YBB00332002-2015《低硼硅玻璃安瓿》等國(guó)家藥監(jiān)局標(biāo)準(zhǔn)設(shè)計(jì)制造，是制藥企業(yè)、藥檢機(jī)構(gòu)、食品行業(yè)不可或缺的儀器。產(chǎn)品特征7寸觸控彩色液晶屏，微電腦控制，自動(dòng)分組統(tǒng)計(jì)較大值、較小值、平均值支持垂直度軸偏差和圓跳動(dòng)兩種模式切換，一機(jī)兩用360°全角度補(bǔ)償測(cè)量偏差，確保測(cè)量數(shù)值更準(zhǔn)確系統(tǒng)自帶微型打印機(jī)，上位機(jī)數(shù)據(jù)無(wú)限儲(chǔ)存專(zhuān)業(yè)電腦測(cè)控軟件，曲線圖顯示，數(shù)據(jù)保存，EXCEL統(tǒng)計(jì)軟件用戶分級(jí)權(quán)限管理，數(shù)據(jù)統(tǒng)計(jì)及審計(jì)功能，滿足醫(yī)藥行業(yè)GMP要求測(cè)試原理將瓶底加持固定在水平板的旋轉(zhuǎn)盤(pán)上，使瓶口與千分表接觸，旋轉(zhuǎn)360°讀取較大值和較小值，兩者之差的1/2即為垂直軸偏差數(shù)值。儀器巧妙利用了四爪自定心卡盤(pán)同心度高的特點(diǎn)，配合一套可以自由調(diào)節(jié)高度和方位的高自由度的支架，可以滿足各類(lèi)玻璃瓶檢測(cè)。測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)該儀器符合多項(xiàng)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)：GB/T 8452-2008、GB/T 2639、QB/T 2357、QB/T 1868、YBB00332002-2015、YBB00332003-2015、YBB00032004-2015技術(shù)指標(biāo)儀器量程 0 ~ 12.7 mm/0.5″分度值 0.001 mm/0.00005″樣品直徑 5 mm ~ 190 mm可測(cè)高度 5 mm ~ 400 mm電動(dòng)卡盤(pán)轉(zhuǎn)速 2 r/min測(cè)頭升降 300 mm/min（電動(dòng)）環(huán)境要求環(huán)境溫度：15 ~ 50 ℃環(huán)境濕度：10 ~ 90%，無(wú)結(jié)露電　　源 AC 220 V 50 Hz外形尺寸 600mm(L) × 480mm(B) × 800mm(H)凈　　重 58 kg濟(jì)南賽成儀器一直致力于為大部分國(guó)家客戶提供高性價(jià)比的整體解決方案，公司的核心宗旨就是持續(xù)創(chuàng)新，打造高精尖檢測(cè)儀器，滿足行業(yè)內(nèi)不同客戶的品控需求，期待與行業(yè)內(nèi)的企事業(yè)單位增進(jìn)交流和合作。賽成儀器，賽出品質(zhì)，成就未來(lái)！