- 2025-01-10 10:52:26氮化硅漿料親和性
- 氮化硅漿料親和性是指氮化硅漿料與其他材料表面之間相互作用的能力。它決定了漿料在涂覆、填充或反應(yīng)過程中的潤濕、鋪展及結(jié)合效果。氮化硅因其優(yōu)異的機械性能、化學(xué)穩(wěn)定性和高溫抗性,在多個領(lǐng)域有廣泛應(yīng)用。良好的親和性有助于氮化硅漿料更好地附著于基材表面,形成均勻、致密的涂層或填充層,從而提高整體材料的性能和可靠性。氮化硅漿料的親和性受多種因素影響,包括其化學(xué)成分、粒度分布、表面性質(zhì)以及基材的材質(zhì)和預(yù)處理方式等。
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氮化硅漿料親和性問答
- 2023-06-29 10:32:01二氧化鈰 CMP 漿料監(jiān)測
- 全文共 1490 字,閱讀大約需要 5 分鐘化學(xué)機械拋光/平坦化 (CMP) 是微電子行業(yè)廣泛使用的一種工藝,通過化學(xué)力和機械力來進行平坦化處理。該工藝使用磨料和腐蝕性漿料來幫助平坦化晶圓表面。漿料的粒度分布是控制平坦化工藝成功的關(guān)鍵參數(shù)。氧化鈰 (ceria) 的漿料廣泛地應(yīng)用于集成電路 (IC) 制造的各種 CMP工藝中,本應(yīng)用說明記錄了 AccuSizer? Mini FX 準(zhǔn)確測量二氧化鈰 CMP 漿料的平均粒徑和濃度,并檢查是否存在尾端大粒子的實際案例。1、簡介CMP 工藝和 CMP 漿料廣泛用于微電路制造過程中的拋光流程,CMP 漿料的性能對于提高設(shè)備產(chǎn)量至關(guān)重要,需要定期測量漿料的粒度分布 (PSD)。除測量平均粒徑之外,還應(yīng)對尾端大顆粒的存在(即遠(yuǎn)離主峰的較大顆粒的濃度)進行測量。這些尾端可能來自工藝過程中的污染物,由于化學(xué)變化、CMP 輸送系統(tǒng)或施加的剪切力而導(dǎo)致的聚集。晶圓中缺陷與劃痕的數(shù)目與尾端大顆粒計數(shù) (LPC) >0.5-1 μm 有關(guān),理想的表征系統(tǒng)應(yīng)提供準(zhǔn)確的 LPC 值。2、顆粒粒徑/計數(shù)技術(shù)有許多顆粒表征技術(shù)可用于測量 CMP 漿料中顆粒的粒徑分布。包括動態(tài)光散射 (DLS) 和激光衍射在內(nèi)的光散射技術(shù)可以測量粒徑大小和粒徑分布,但不能提供任何有用的濃度信息。單顆粒光學(xué)技術(shù) (SPOS) 在顆粒通過狹窄的測量室時一次測量一個顆粒,從而提供準(zhǔn)確的粒徑和濃度(顆粒/mL)結(jié)果。SPOS 本質(zhì)上是一種高分辨率的技術(shù),能夠檢測從偏離主峰的尾端大粒子分布。它常用來檢測尾端大粒子濃度和數(shù)量,而 LPC 是 CMP 漿料造成晶圓缺陷和劃痕的主要原因。AccuSizer ? Mini可以在實驗室中使用,也可以在線點對點使用。3、ACCUSIZER MINI AccuSizer 多年來一直被 CMP 漿料制造商和最 終用戶用來檢測尾端大顆粒是否存在,根據(jù)漿料的不同,可以選擇直接進行測量,也可以通過自動稀釋來優(yōu)化分析條件。上圖所示的 AccuSizer Mini FX 系統(tǒng)設(shè)計用于檢測較小尾端大顆粒和高濃度樣品。FX 傳感器使用聚焦光束來減少檢測的總體積,從而提高傳感器的濃度限制,通常無需稀釋即可進行測量。FX 傳感器可測量 0.65–20 μm 的顆粒,其濃度比標(biāo)準(zhǔn)消光/遮光或散射傳感器高 200 倍。結(jié)果最多可以顯示在 512 個大小的通道中。AccuSizer Mini系統(tǒng)是完全自動化的,專為滿足生產(chǎn)線的要求而設(shè)計。內(nèi)置的觸摸屏電腦控制著操作。用戶連接化學(xué)機械拋光液的旁路、過濾后的去離子水(如有必要,用于清洗和稀釋)、50兆帕的空氣管路以控制氣動,以及排泄管路。4、使用的樣品本研究使用了兩個二氧化鈰樣品;二氧化鈰 A 具有較小的尾端大顆粒,二氧化鈰B具有較大的尾端大顆粒。5、結(jié)果對二氧化鈰 A 進行了四次分析,以確定基礎(chǔ)樣品中顆粒的尺寸分布和濃度。四次分析的結(jié)果如圖 1 所示(濃度為線性標(biāo)度)和圖 2(濃度為對數(shù)標(biāo)度)。圖 1. 二氧化鈰 A濃度,線性標(biāo)度圖 2. 二氧化鈰 A,對數(shù)標(biāo)度接下來,二氧化鈰A 中摻入約 1000000 顆粒/mL 的 1.36μm 聚苯乙烯乳膠 (PSL) 標(biāo)準(zhǔn)顆粒,以證明檢測大顆粒的能力。結(jié)果如圖 3 和圖 4 所示。圖 3. 二氧化鈰A(紅色)+ 1.36 μm PSL 尖峰(黑色)圖 4. 與圖 3 相同,但 y 軸擴展 8 倍然后,在二氧化鈰 A 中摻入 1%(圖 5)和 10%(圖 6)的二氧化鈰 B,后者含有較長尾端大顆粒。圖 5 和圖 6 中的結(jié)果顯示了 AccuSizer 對尾端大顆粒的敏感性以及良好的重復(fù)性。圖 5. 二氧化鈰 A 添加了 1% 二氧化鈰B圖 6. 二氧化鈰A 添加了 10% 二氧化鈰 B6、結(jié)論這些結(jié)果證實 AccuSizer Mini FX 是一種準(zhǔn)確、易于使用的分析工具,可檢測低濃度 LPC 顆粒的存在。該系統(tǒng)可在實驗室或工廠中使用。Mini FX 分析儀可以位于流程中的任何位置,通常放置在最 終過濾器之后,在漿料與拋光工具中的晶片接觸之前進行監(jiān)測,如圖7所示。圖 7. 晶圓加工過程中的 AccuSizer Mini
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- 2022-08-24 11:55:42低場核磁技術(shù)研究漿料小顆粒團聚
- 低場核磁技術(shù)研究漿料小顆粒團聚漿料小顆粒團聚可分為三種狀態(tài):凝聚體:指以面相接的原級粒子,其表面積比其單個粒子組成之和小得多,這種狀態(tài)再分散十分困難。附聚體:指以點、角相接的原級粒子團族或小顆粒在大顆粒上的附著,其總表面積比凝聚體大,但小于單個粒子組成之和,再分散比較容易。凝聚體和附聚體也稱二次粒子。絮凝:指由于體系表面積的增加、表面能增大,為了降低表面能而生成的更加松散的結(jié)構(gòu)。一般是由于大分子表面活性劑或水溶性高分子的架橋作用,把顆粒串聯(lián)成結(jié)構(gòu)松散似棉絮的團狀物。在這種結(jié)構(gòu)中,離子間的距離比凝聚體或附聚體大得多。顆粒在液體中的團聚與分散顆粒表面濕潤性對粉體的分散具有重要意義,是粉體分散、固液分離、表面改性和造粒等工藝的理論基礎(chǔ)。固體顆粒被液體潤濕的過程主要基于顆粒表面的潤濕性。固體表面的濕潤性由其化學(xué)組成和微觀結(jié)構(gòu)決定。固體表面自由能越大,越容易被液體濕潤;反之亦然。因而,尋求和制備高表面自由能的固體表面成為制備超親水表面和超疏水表面的前提條件。低場核磁技術(shù)研究漿料小顆粒團聚的基本原理:對于潤濕的顆粒體系,顆粒表面會附著一層液相分子,這些液相分子因無機相表面的吸附作用而運動受限。但未與顆粒相接觸的液相分子運動是自由的,液相分子的馳豫時間(relaxation time)與它所處的運動狀態(tài)密切相關(guān),自由狀態(tài)的液相分子的核磁馳豫時間要比束縛狀態(tài)的液相分子的馳豫時間長得多,顆粒分散性更好的體系吸附溶劑量相對更多,弛豫時間也就更短。因此,可以利用低場核磁共振技術(shù)來測量懸浮液體系的馳豫時間,并計算顆粒的濕潤比表面積(可利用的吸附表面積),進而用來研究顆粒的團聚狀態(tài)、分散性穩(wěn)定性、親和性以及潤濕性等問題。
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- 2022-04-24 11:31:15氮化硅噴霧造粒干燥機的技術(shù)參數(shù)介紹
- 高速離心式噴霧干燥機是一種適用于乳濁液、懸浮液、糊狀物、溶液等液體干燥的專用干燥設(shè)備。在聚合物和樹脂類、染料、顏料類、陶瓷、玻璃類、除銹劑、殺蟲藥類、碳水化合物、乳品類、乳品類、洗滌劑和表面活性類、肥料類、有機化合物、無機化合物料的干燥上,表現(xiàn)得尤為出色。氮化硅噴霧造粒干燥機的參數(shù)介紹設(shè)備名稱:離心噴霧造粒干燥機物料名稱:陶瓷材料(料漿工藝需方負(fù)責(zé),滿足噴霧干燥條件)水份蒸發(fā)量:25kg/h進風(fēng)溫度:200℃-300℃出風(fēng)溫度:110℃-130℃加熱方式: 電加熱出料方式:主塔體+旋風(fēng)分離器+布袋除塵器出料除塵方式:布袋除塵干燥系統(tǒng)形式:開式系統(tǒng)與熱風(fēng)接觸方式:并流式噴霧方式:高速離心霧化干燥室直徑:3.8設(shè)備材質(zhì):與物料接觸304氮化硅是一種重要的結(jié)構(gòu)陶瓷材料。它是一種超硬物質(zhì),本身具有潤滑性,并且耐磨損,為原子晶體;高溫時抗氧化。而且它還能抵抗冷熱沖擊,在空氣中加熱到1000℃以上,急劇冷卻再急劇加熱,也不會碎裂。正是由于氮化硅陶瓷具有如此優(yōu)異的特性,人們常常利用它來制造軸承、氣輪機葉片、機械密封環(huán)、模具等機械構(gòu)件。如果用耐高溫而且不易傳熱的氮化硅陶瓷來制造發(fā)動機部件的受熱面,不僅可以提高柴油機質(zhì)量,節(jié)省燃料,而且能夠提高熱效率。
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- 2023-07-10 15:23:02ATRP法改性氮化硅納米粉體及其復(fù)合涂料的制備和性能研究
- HS-DSC-101差示掃描量熱儀是一種測量參比端與樣品端的熱流差與溫度參數(shù)關(guān)系的熱分析儀器,主要應(yīng)用于測量物質(zhì)加熱或冷卻過程中的各種特征參數(shù):玻璃化轉(zhuǎn)變溫度Tg、氧化誘導(dǎo)期OIT、熔融溫度、結(jié)晶溫度、比熱容及熱焓等.ATRP法改性氮化硅納米粉體及其復(fù)合涂料的制備和性能研究【武漢理工大學(xué) 黃李曉研】ATRP法改性氮化硅納米粉體及其復(fù)合涂料的制備和性能研究上海和晟 HS-DSC-101 差示掃描量熱儀
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- 2023-04-20 17:22:30快速可靠的新一代全二維面探殘余應(yīng)力分析儀助力氮化硅陶瓷領(lǐng)域獲
- 隨著科技和工業(yè)技術(shù)的快速發(fā)展,人們對材料的硬度、強度、耐磨損、熱膨脹系數(shù)及絕緣性能等提出了更高的要求。而高技術(shù)陶瓷作為繼鋼鐵、塑料之后公認(rèn)的第三類主要材料,一直以來在突破現(xiàn)有合金和高分子材料的應(yīng)用極限方向被人們寄以厚望。其中,氮化硅陶瓷因具有優(yōu)異的低密度、高硬度、高強度、耐高溫、耐腐蝕、耐磨損、耐氧化等諸多優(yōu)點,成為了最具發(fā)展?jié)摿εc市場應(yīng)用的新型工程材料之一,在高溫、高速、強腐蝕介質(zhì)的工作環(huán)境中具有特殊的應(yīng)用價值,已被廣泛應(yīng)用在精密機械、電氣電子、軍事裝備和航空航天等領(lǐng)域。但另一方面,工程陶瓷具有硬、脆的特性,使得其機械加工性能較差,因此磨削已成為陶瓷零件的主要加工方式。 工程陶瓷在磨削過程中,工件的表面受剪切滑移、劇烈摩擦、高溫、高壓等作用,很容易產(chǎn)生嚴(yán)重的塑性變形,從而在工件表面產(chǎn)生殘余應(yīng)力。殘余應(yīng)力將會直接影響工程陶瓷零件的斷裂應(yīng)力、彎曲強度、疲勞強度和耐腐蝕性能。工程陶瓷零件的斷裂應(yīng)力和韌性相比于金屬對表面的應(yīng)力更為敏感。關(guān)于殘余壓應(yīng)力或拉應(yīng)力對材料的斷裂韌性的影響,特別是裂紋的產(chǎn)生和擴展尚需進一步的研究。零件表面/次表面的裂紋極大地影響著其性能及服役壽命。因此,探索工程陶瓷的殘余應(yīng)力與裂紋擴展的關(guān)系就顯得尤為重要。 Huli Niu等人為了獲得高磨削表面質(zhì)量的工程陶瓷,以氮化硅陶瓷為研究對象,進行了一系列磨削實驗。研究表明:(1)提高砂輪轉(zhuǎn)速、減小磨削深度、降低進給速率有利于減小氮化硅陶瓷的縱向裂紋擴展深度。氮化硅陶瓷工件在磨削后,次表面的裂紋主要是縱向裂紋,該裂紋從多個方向逐漸向陶瓷內(nèi)部延伸,最終導(dǎo)致次表面損傷。(2)氮化硅陶瓷表面的殘余壓應(yīng)力隨著砂輪轉(zhuǎn)速的增加、磨削深度和進給速度的減小而增大。平行于磨削方向的殘余壓應(yīng)力大于垂直于磨削方向的殘余壓應(yīng)力。(3)砂輪轉(zhuǎn)速和磨削深度的增加、進給速率增大時,磨削溫度有升高的趨勢。在磨削溫度從300℃上升到1100℃過程中,表面殘余壓應(yīng)力先增大后減?。涣鸭y擴展深度先減小后增加。在溫度約為600℃時,表面殘余壓應(yīng)力最大,裂紋擴展深度最小。適當(dāng)?shù)哪ハ鳒囟瓤梢蕴岣叩杼沾傻谋砻鏆堄鄩簯?yīng)力并抑制裂紋擴展。(4)氮化硅陶瓷表面殘余壓應(yīng)力隨裂紋擴展深度和表面脆性剝落程度的增加而減小。裂紋擴展位置的殘余應(yīng)力為殘余拉應(yīng)力。它隨著裂紋擴展深度的增加而增加。此外,殘余應(yīng)力沿進入表面的距離在壓縮和拉伸之間交替分布,在一定深度處這種情況消失。(5)通過調(diào)整磨削參數(shù)、控制合適的磨削溫度,可以提高氮化硅陶瓷磨削表面質(zhì)量。 以上研究結(jié)果為獲得高質(zhì)量氮化硅陶瓷的表面加工提供了強有力的數(shù)據(jù)支撐。關(guān)于Huli Niu等人的該項研究工作,更多的內(nèi)容可參考文獻[1]。 Figure 1. Grinding experiment and measuring equipment: (a) Experimental principle and processing;(b) SEM; (c) Residual stress analyzer.Figure 6. Surface residual stress under different grinding parameters: (a) Wheel speed; (b) Grinding depth; (c) Feed rate.上述圖片內(nèi)容均引自文獻[1]. 作者在該項研究工作中所使用的殘余應(yīng)力檢測設(shè)備為日本Pulstec公司推出的小而輕的便攜式X射線殘余應(yīng)力分析儀-μ-X360s。該設(shè)備采用了圓形全二維面探測器技術(shù),并基于cosα殘余應(yīng)力分析方法可基于多達(dá)500個衍射峰進行殘余應(yīng)力擬合,具有探測器技術(shù)先進、測試精度高、體積迷你、重量輕、便攜性高等特點,不僅可以在實驗室使用,還可以方便攜帶至非實驗室條件下的各種車間現(xiàn)場或戶外進行原位的殘余應(yīng)力測量。我們期待該設(shè)備能助力更多的國內(nèi)外用戶做出優(yōu)秀的科研工作! 小而輕的便攜式X射線殘余應(yīng)力分析儀-μ-X360s設(shè)備圖 參考文獻:[1] Yan H, Deng F, Qin Z, Zhu J, Chang H, Niu H, Effects of Grinding Parameters on the Processing Temperature, Crack Propagation and Residual Stress in Silicon Nitride Ceramics. Micromachines. 2023; 14(3):666. https://doi.org/10.3390/mi14030666
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