癲癇是一種由大腦神經(jīng)元異常放電引起的慢性神經(jīng)系統(tǒng)疾病,全球約有1%的人口受其影響。該疾病不僅可引發(fā)認(rèn)知功能障礙和記憶減退,嚴(yán)重時(shí)甚至可能導(dǎo)致突然意外死亡及其他危及生命的并發(fā)癥。腦深部電刺激(DBS)作為一種有效的神經(jīng)調(diào)控療法,在抑制癲癇發(fā)作方面顯示出顯著療效。其機(jī)制是通過(guò)植入電極至腦深部特定核團(tuán),施加精準(zhǔn)的電刺激,以調(diào)節(jié)異常的神經(jīng)元活動(dòng),從而有效降低癲癇發(fā)作的頻率與嚴(yán)重程度。
然而,DBS治療亦伴隨一系列挑戰(zhàn)與風(fēng)險(xiǎn)。由于腦組織與植入的剛性電極之間存在機(jī)械性能不匹配及相對(duì)運(yùn)動(dòng),長(zhǎng)期植入可能導(dǎo)致局部炎癥反應(yīng)、膠質(zhì)瘢痕形成、血腦屏障受損乃至神經(jīng)組織損傷。此外,現(xiàn)行DBS手術(shù)需在皮下植入脈沖發(fā)生器并連接導(dǎo)聯(lián),不僅增加了術(shù)中損傷、術(shù)后出血和感染的風(fēng)險(xiǎn),也使得整個(gè)系統(tǒng)更加復(fù)雜。在設(shè)備需更換或移除時(shí),患者可能面臨進(jìn)一步的手術(shù)創(chuàng)傷。
綜上所述,DBS手術(shù)本身所具有的高度復(fù)雜性與侵入性,加之高昂的設(shè)備及手術(shù)費(fèi)用,不僅對(duì)患者的心理承受力構(gòu)成挑戰(zhàn),也為其帶來(lái)沉重的經(jīng)濟(jì)負(fù)擔(dān),從而限制了該技術(shù)更廣泛的臨床應(yīng)用。
山東大學(xué)仇吉川教授團(tuán)隊(duì)在國(guó)際期刊Advanced Materials上發(fā)表研究論文《Ultrasound Active Piezoelectric Nanostimulators for Long-Acting Wireless Deep Brain Electric Stimulation to Inhibit Epileptic Seizures》,該研究創(chuàng)新性地提出利用壓電納米粒子作為無(wú)線納米刺激器,用于實(shí)現(xiàn)深部腦電刺激,從而微創(chuàng)抑制癲癇發(fā)作。通過(guò)融合超聲波優(yōu)異的深部組織穿透能力與壓電納米粒子的高效電刺激特性,該方法在動(dòng)物實(shí)驗(yàn)中展現(xiàn)出顯著的抗癲癇效果,并兼具微創(chuàng)性、長(zhǎng)達(dá)14周的穩(wěn)定作用時(shí)間、炎癥反應(yīng)微弱以及精準(zhǔn)的深部刺激等多重優(yōu)勢(shì)。
技術(shù)核心:如何實(shí)現(xiàn)“無(wú)線深部腦刺激”?
傳統(tǒng)腦深部電刺激(DBS)技術(shù)通常依賴于植入電極導(dǎo)線來(lái)傳遞電信號(hào),而本研究構(gòu)建了一個(gè)全新的“納米級(jí)無(wú)線刺激系統(tǒng)”,旨在克服傳統(tǒng)方法的有創(chuàng)性和硬件限制。該系統(tǒng)的核心組件及工作原理如下:
系統(tǒng)的核心能量轉(zhuǎn)換器是BTO@PDA壓電納米顆粒。研究人員選擇了生物相容性良好的經(jīng)典壓電材料鈦酸鋇(BTO)作為核心,其高壓電常數(shù)(d?? = 190 pC/N)足以在超聲作用下產(chǎn)生可有效激活神經(jīng)元的電信號(hào)。該納米顆粒的外殼包被了聚多巴胺涂層(PDA),這一設(shè)計(jì)起到了多重關(guān)鍵作用:首先,它增強(qiáng)了生物相容性,實(shí)驗(yàn)證實(shí)PDA涂層將神經(jīng)元的存活率從純BTO的60%提升至94%;其次,它提高了納米顆粒在生理溶液中的分散性與穩(wěn)定性,使其能通過(guò)微注射均勻分布于腦組織;最后,也是至關(guān)重要的一點(diǎn),PDA的粘附特性使其能像“魔術(shù)貼”一樣牢固地附著在神經(jīng)元細(xì)胞膜表面,而非被細(xì)胞吞噬,這確保了產(chǎn)生的電刺激能直接、高效地作用于細(xì)胞膜上的離子通道。BTO@PDA壓電納米顆粒在1MHz基頻超聲作用下均產(chǎn)生明顯的電勢(shì)變化,其超聲強(qiáng)度強(qiáng)度遠(yuǎn)低于可能引起組織熱損傷或機(jī)械損傷的閾值,從而保證了治療過(guò)程的安全性。
壓電納米刺激器在超聲作用下產(chǎn)生的電刺激,通過(guò)電壓門控鈣通道(Voltage-Gated Calcium Channel,VGCC)激活神經(jīng)元和下游神經(jīng)回路,并通過(guò)實(shí)驗(yàn)設(shè)計(jì)證實(shí)了這一機(jī)制:利用Fluo-4 AM染料進(jìn)行的鈣成像直觀顯示,超聲刺激后處理組神經(jīng)元內(nèi)的鈣離子濃度升高;在加入鈣通道阻斷劑(鎘離子)后,激活效應(yīng)完全消失,證明了鈣通道是該過(guò)程的關(guān)鍵通路;此外,在體和體外實(shí)驗(yàn)均觀察到,超聲激活后神經(jīng)元c-Fos蛋白(神經(jīng)元激活的分子標(biāo)志物)表達(dá)上調(diào),進(jìn)一步從分子層面驗(yàn)證了神經(jīng)元的成功激活。
研究設(shè)計(jì)的嚴(yán)謹(jǐn)性:層層遞進(jìn)的驗(yàn)證體系
本研究對(duì)所構(gòu)建的納米級(jí)無(wú)線刺激系統(tǒng)進(jìn)行了系統(tǒng)的生物安全性、長(zhǎng)期穩(wěn)定性及神經(jīng)調(diào)控功能驗(yàn)證。
在生物安全性及長(zhǎng)期穩(wěn)定性評(píng)估方面,體外CCK-8和活/死染色結(jié)果表明,BTO@PDA納米顆粒具有良好的生物相容性。在體實(shí)驗(yàn)進(jìn)一步證實(shí):小動(dòng)物CT成像顯示,納米顆粒在植入后第2、10及14周時(shí),仍穩(wěn)定存在于目標(biāo)腦區(qū)-大鼠大腦左腹側(cè)被蓋區(qū)(VTA),未發(fā)生遷移;組織尼氏染色顯示植入?yún)^(qū)神經(jīng)元形態(tài)完整,未見(jiàn)壞死現(xiàn)象;此外,通過(guò)Iba1(小膠質(zhì)細(xì)胞標(biāo)記物)免疫熒光染色發(fā)現(xiàn),納米顆粒植入所引發(fā)的炎癥反應(yīng)顯著弱于傳統(tǒng)DBS電極植入,這一優(yōu)勢(shì)有效解決了傳統(tǒng)DBS技術(shù)因植入物引發(fā)的炎性反應(yīng)這一核心痛點(diǎn)。
在神經(jīng)激活與環(huán)路調(diào)控功能驗(yàn)證方面,通過(guò)c-Fos成像證實(shí),只有“植入納米顆粒 + 超聲”的組合才能有效激活VTA腦區(qū)的神經(jīng)元。并成功演示了對(duì)特定神經(jīng)環(huán)路的精準(zhǔn)調(diào)控:通過(guò)在VTA植入納米顆粒,同時(shí)在與之有投射關(guān)系的伏隔核表達(dá)鈣指示蛋白GCaMP6s,并利用光纖光度記錄法實(shí)時(shí)觀察到,當(dāng)VTA的納米顆粒被超聲激活時(shí),伏隔核的神經(jīng)元也同步出現(xiàn)了強(qiáng)烈的鈣信號(hào)。這一結(jié)果證明,該無(wú)線刺激技術(shù)不僅能有效激活局部神經(jīng)元群體,更能實(shí)現(xiàn)對(duì)大腦內(nèi)部特定神經(jīng)環(huán)路的遠(yuǎn)程、精準(zhǔn)調(diào)控。
疾病治療效力的全面展示:三大癲癇模型
研究沒(méi)有局限于單一模型,而是在三種不同機(jī)制的癲癇模型中驗(yàn)證療效,充分展示了其普適性和臨床潛力。
01
光遺傳癲癇模型
特點(diǎn):可重復(fù)、精準(zhǔn)定位(海馬CA1區(qū)),個(gè)體差異小,利于自身對(duì)照。
研究主要發(fā)現(xiàn):
顯著延長(zhǎng)全身性發(fā)作潛伏期(從53秒延長(zhǎng)至120秒)。
降低最高發(fā)作等級(jí)(從4.43級(jí)降至2.43級(jí))。
EEG的方差和平均絕對(duì)偏差顯著降低。
02
毛果蕓香堿急性模型
特點(diǎn):彌漫性、強(qiáng)度高,模擬急性重癥癲癇狀態(tài)。
研究主要發(fā)現(xiàn):
顯著延長(zhǎng)首次全身性發(fā)作的潛伏期(從29.8分鐘延長(zhǎng)至65.2分鐘)。
EEG顯示發(fā)作活動(dòng)延遲出現(xiàn)。
在90分鐘內(nèi)平均發(fā)作強(qiáng)度降低。
03
毛果蕓香堿慢性模型
特點(diǎn):模擬臨床常見(jiàn)的自發(fā)性反復(fù)發(fā)作,伴有認(rèn)知和行為障礙。
研究主要發(fā)現(xiàn):
顯著減少每日癲癇發(fā)作次數(shù)
行為學(xué)測(cè)試(開放場(chǎng)地、新物體識(shí)別)顯示,治療組大鼠的運(yùn)動(dòng)能力、探索欲望和認(rèn)知記憶功能得到部分恢復(fù),焦慮樣行為減輕。
研究的突破性意義與未來(lái)展望
本研究構(gòu)建的納米無(wú)線刺激系統(tǒng),為神經(jīng)調(diào)控技術(shù)提供了一種新的可能路徑。它實(shí)現(xiàn)了從傳統(tǒng)有線連接到無(wú)線調(diào)控、從宏觀植入體到納米材料的轉(zhuǎn)變,在精準(zhǔn)性與微創(chuàng)性之間取得了良好平衡。該系統(tǒng)既保留了電刺激的精準(zhǔn)干預(yù)特性,又借助超聲實(shí)現(xiàn)了無(wú)創(chuàng)穿透,同時(shí)通過(guò)納米顆粒在局部的富集,降低了對(duì)超聲強(qiáng)度的要求,有助于提升操作安全性。
在長(zhǎng)期應(yīng)用方面,納米顆粒能夠在腦區(qū)內(nèi)穩(wěn)定駐留,避免了因電池或硬件問(wèn)題導(dǎo)致的二次手術(shù)。實(shí)驗(yàn)顯示其引起的免疫反應(yīng)弱于傳統(tǒng)植入電極,長(zhǎng)期生物相容性較好。該系統(tǒng)在臨床轉(zhuǎn)化方面也展現(xiàn)出潛在優(yōu)勢(shì):所采用的超聲設(shè)備易于小型化,未來(lái)可能發(fā)展為便攜或可穿戴形式;作為一種平臺(tái)型技術(shù),其原理可適用于多種需要電刺激干預(yù)的腦疾病,如帕金森病中對(duì)丘腦底核的刺激,或抑郁癥中對(duì)相關(guān)核團(tuán)的調(diào)控。
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交叉領(lǐng)域下壓電材料的科研突破與堅(jiān)守——對(duì)話山東大學(xué)李德正博士(點(diǎn)擊藍(lán)字跳轉(zhuǎn)了解更多采訪詳情)
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"Ultrasound Active Piezoelectric Nanostimulators for Long-Acting Wireless Deep Brain Electric Stimulation to Inhibit Epileptic Seizures." Advanced Materials
https://doi.org/10.1002/adma.202420447Digital Object Identifier (DOI)
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