全部評(píng)論(1條)
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- JoHn_Hye 2017-07-04 00:00:00
- 當(dāng)CCD感應(yīng)器表面沒有受到光子撞擊時(shí)，像素單元會(huì)殘存某些有害電荷。該電荷是CCD芯片內(nèi)部通電產(chǎn)生熱量后，隨機(jī)產(chǎn)生的熱噪音電荷。這種有害電荷在未被光子撞擊時(shí)，將殘存在該像素單元內(nèi)，稱之謂暗電流。暗電流將限制CCD曝光的實(shí)際時(shí)間長(zhǎng)度：如果暗電流電荷充斥所有的像素單元，則無(wú)法再對(duì)光子撞擊感應(yīng)產(chǎn)生電荷。因此暗電流越低，CCD曝光時(shí)間才能越長(zhǎng)，從而獲得理想的太空?qǐng)D像。 幸運(yùn)的是暗電流可以檢測(cè)出來(lái)。將天文望遠(yuǎn)鏡光學(xué)部分遮蓋（有意延長(zhǎng)曝光時(shí)間），由于沒有光線到達(dá)CCD芯片，就有可能檢測(cè)出暗電流值-即所謂漆黑中像素單元里的電荷量。然后從每個(gè)像素單元的電荷值里減去暗電流值，即可獲得無(wú)暗電流的電荷凈值。 雖然這種從光電感應(yīng)總量中減去暗電流的處理方法是非常有意義的，但無(wú)法解決像素單元暗電流飽和問題。解決此問題的唯yi途徑是設(shè)法降低所用CCD芯片的暗電流值。
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- 引用百度百科：“CCD的加工工藝有兩種，一種是TTL工藝，一種是CMOS工藝，現(xiàn)在市場(chǎng)上所說的CCD和CMOS其實(shí)都是CCD，只不過是加工工藝不同，前者是毫安級(jí)的耗電量，而后者是微安級(jí)的耗電量。TTL工藝下的CCD成像質(zhì)量要優(yōu)于CMOS工藝下的CCD。CCD廣泛用于工業(yè)，民用... 引用百度百科：“CCD的加工工藝有兩種，一種是TTL工藝，一種是CMOS工藝，現(xiàn)在市場(chǎng)上所說的CCD和CMOS其實(shí)都是CCD，只不過是加工工藝不同，前者是毫安級(jí)的耗電量，而后者是微安級(jí)的耗電量。TTL工藝下的CCD成像質(zhì)量要優(yōu)于CMOS工藝下的CCD。CCD廣泛用于工業(yè)，民用產(chǎn)品?！?若CCD成像質(zhì)量高于CMOS，為何我看到很多卡片相機(jī)的圖像傳感器都為CCD，而單反相機(jī)反而用CMOS呢？ 展開
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