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- 牽著我游 2019-04-12 10:17:18
- <p style=" font-family:'Microsoft YaHei';font-size:16px;line-height: 2em;position: relative;"><span style="position:relative;line-height:2em;font-size:16px;font-family:Microsoft YaHei;" data-x-flag="10_17">掃描電鏡圖像質(zhì)量影響因素有:</span></p><p style=" font-family:'Microsoft YaHei';font-size:16px;line-height: 2em;position: relative;"><span style="position:relative;line-height:2em;font-size:16px;font-family:Microsoft YaHei;" data-x-flag="10_17"><br/></span></p><p style=" font-family:'Microsoft YaHei';font-size:16px;line-height: 2em;position: relative;"><span style="position:relative;line-height:2em;font-size:16px;font-family:Microsoft YaHei;" data-x-flag="10_17">1、傾斜角效影響:</span></p><p style=" font-family:'Microsoft YaHei';font-size:16px;line-height: 2em;position: relative;"><span style="position:relative;line-height:2em;font-size:16px;font-family:Microsoft YaHei;" data-x-flag="10_17">由于二次電子的發(fā)射是入射電子碰撞樣品的海外電子,使原子外層受激發(fā)而電離出來的電子, 且電子在逸出樣品表面之前又和樣品進(jìn)行多次散射,所以只要在樣品淺層幾納米到幾十納米組偶偶深度區(qū)域產(chǎn)生的二次電子才能逸出表面,被探測器收集到。因此電子束的入射角將影響二次電子圖像的反差。</span></p><p style=" font-family:'Microsoft YaHei';font-size:16px;line-height: 2em;position: relative;"><span style="position:relative;line-height:2em;font-size:16px;font-family:Microsoft YaHei;" data-x-flag="10_17"><br/></span></p><p style=" font-family:'Microsoft YaHei';font-size:16px;line-height: 2em;position: relative;"><span style="position:relative;line-height:2em;font-size:16px;font-family:Microsoft YaHei;" data-x-flag="10_17">2、邊緣效應(yīng):</span></p><p style=" font-family:'Microsoft YaHei';font-size:16px;line-height: 2em;position: relative;"><span style="position:relative;line-height:2em;font-size:16px;font-family:Microsoft YaHei;" data-x-flag="10_17">在樣品邊緣和較短部位攝入一次電子時。由于和邊緣的二次電子容易脫離樣品,所以產(chǎn)生二次電子數(shù)量多,圖像異常明亮,稱為邊緣效應(yīng)。邊緣效應(yīng)造成反差不自然,降低圖像質(zhì)量。若降低加速電壓,減少二次電子的發(fā)生量,或減少對比度。就可以使邊緣效應(yīng)相對減輕。</span></p><p style=" font-family:'Microsoft YaHei';font-size:16px;line-height: 2em;position: relative;"><span style="position:relative;line-height:2em;font-size:16px;font-family:Microsoft YaHei;" data-x-flag="10_17"><br/></span></p><p style=" font-family:'Microsoft YaHei';font-size:16px;line-height: 2em;position: relative;"><span style="position:relative;line-height:2em;font-size:16px;font-family:Microsoft YaHei;" data-x-flag="10_17">3、原子序數(shù)效應(yīng):</span></p><p style=" font-family:'Microsoft YaHei';font-size:16px;line-height: 2em;position: relative;"><span style="position:relative;line-height:2em;font-size:16px;font-family:Microsoft YaHei;" data-x-flag="10_17">原子序數(shù)高的元素被激發(fā)的二次電子多,原子敘述地的元素則少。因此,在同等條件下,前者圖像明亮,這種現(xiàn)象成為原子序數(shù)效應(yīng)。原子序數(shù)效應(yīng)與被散射電子在樣品中的激發(fā)作用有關(guān)。在觀察生物樣品時,在樣品表面均勻噴鍍一層原子敘述高的金屬膜,可提高圖像質(zhì)量。</span></p><p style=" font-family:'Microsoft YaHei';font-size:16px;line-height: 2em;position: relative;"><span style="position:relative;line-height:2em;font-size:16px;font-family:Microsoft YaHei;" data-x-flag="10_17"><br/></span></p><p style=" font-family:'Microsoft YaHei';font-size:16px;line-height: 2em;position: relative;"><span style="position:relative;line-height:2em;font-size:16px;font-family:Microsoft YaHei;" data-x-flag="10_17">4、充放電效應(yīng):</span></p><p style=" font-family:'Microsoft YaHei';font-size:16px;line-height: 2em;position: relative;"><span style="position:relative;line-height:2em;font-size:16px;font-family:Microsoft YaHei;" data-x-flag="10_17">生物樣品大多數(shù)是高絕緣性的,入射電子不能在樣品中構(gòu)成回路倒入大地,堆積在樣品上的入射電子形成負(fù)電荷區(qū),產(chǎn)生放電現(xiàn)象或排斥后續(xù)入射電子,使其被檢測器吸收或者轟擊樣品室其他部件,嚴(yán)重應(yīng)先二次電子圖像質(zhì)量,如采用鍍膜,導(dǎo)電膠黏貼樣品等導(dǎo)電處理,可減少充放電效應(yīng)的影響。</span></p><p style=" font-family:'Microsoft YaHei';font-size:16px;line-height: 2em;position: relative;"><span style="position:relative;line-height:2em;font-size:16px;font-family:Microsoft YaHei;" data-x-flag="10_17"><br/></span></p><p style=" font-family:'Microsoft YaHei';font-size:16px;line-height: 2em;position: relative;"><span style="position:relative;line-height:2em;font-size:16px;font-family:Microsoft YaHei;" data-x-flag="10_17">5、焦點(diǎn)深度:</span></p><p style=" font-family:'Microsoft YaHei';font-size:16px;line-height: 2em;position: relative;"><span style="position:relative;line-height:2em;font-size:16px;font-family:Microsoft YaHei;" data-x-flag="10_17">所謂的焦深是指對高低不平試樣各部分聚焦的Z大限度的能力。它是掃描電鏡中一個重要的和可控的性能指標(biāo),是影響整幅圖像各部位清晰度的一個重要因素。隨著圖像的放大倍數(shù)增加,其焦深受束斑尺寸的影響越來越顯著。在高倍放大時,要得到較大的焦深,就要選擇大孔頸的物鏡光闌,或者縮小工作距離進(jìn)行觀察。</span></p><p><br/></p>
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影響擊穿電壓的因素:
(1)水分,水分是影響擊穿電壓最靈敏的贓物。因?yàn)樗且环N極性分子,在電場力作用下,很容易被拉長,并沿著電場方向排列,從而在兩極間形成導(dǎo)電“小橋”,使擊穿電壓劇降。另外,擊穿電壓的大小不僅取決于含水量,還取決于水在油中所處的狀態(tài),通常乳化水對擊穿電壓影響很大,溶解水次之。
(2)油中含有微量的氣泡,也會使擊穿電壓電壓明顯下降,因?yàn)橛椭写嬖跉馀?,則在較低電壓下氣泡便可游離,并在電場力作用下,在電極間形成導(dǎo)電“小橋”,使油被擊穿,降低了油的擊穿電壓。
(3)溫度對擊穿電壓的影響視油中雜質(zhì)和水分的有無而不同。不含雜質(zhì),并經(jīng)干燥無水分的油,一般溫度對擊穿電壓影響不大。但當(dāng)溫度升高到一定溫度時,油分子本身因裂解而產(chǎn)生電離,且隨著溫度的升高,油品的粘度顯著減小,電離產(chǎn)生的電子和離子由于阻力變小而運(yùn)行速度加快,導(dǎo)致油品被擊穿,擊穿電壓顯著下降。
如果油中含有雜質(zhì)和水分時,則在同一溫度下,其擊穿電壓比無雜質(zhì)。水分的油的擊穿電壓要低,溫度較低時,油中水多呈懸浮狀,其擊穿電壓值較小,隨著溫度的升高,乳狀水逐漸變?yōu)槿芙鉅睿推返膿舸╇妷弘S之上升。但如果溫度升高到一定程度,則油中水分發(fā)生蒸發(fā),在油中造成氣泡的數(shù)目便會增加,而且由于溫度升高,粘度降低,使水分、雜質(zhì)和氣泡在油中形成導(dǎo)電“小橋”,使油的擊穿電壓又很快地下降。尤其是油中雜質(zhì)和水分都存在時,這種導(dǎo)電“小橋”更易形成,擊穿電壓下降更明顯。
(4)當(dāng)油中既含有游離碳,又含有水分時,油的擊穿電壓隨碳微粒量的增加而下降。
(5)油老化后生成的酸等產(chǎn)物,是使水保持乳化狀態(tài)的不利因素,因而會使油的擊穿電壓下降;而干燥不含水分的油,酸等老化產(chǎn)物對擊穿電壓影響不明顯,但確能使介質(zhì)損耗因數(shù)急劇增加。這時,測定油的擊穿電壓不如測定介質(zhì)損耗因數(shù)更能判斷油的老化程度的原因所在。
- 影響差熱分析的因素有哪些?
差熱分析雖然廣泛應(yīng)用于熱力學(xué)和動力學(xué)的研究,由于在文獻(xiàn)上對同一物質(zhì)往往給出不一致的數(shù)據(jù),使人們對差熱分析的應(yīng)用有點(diǎn)縮手不前。根據(jù)國際熱分析標(biāo)準(zhǔn)化委員會的意見,認(rèn)為所發(fā)表數(shù)據(jù)的不一致性大部分是由于實(shí)驗(yàn)條件不相同引起的。因此,在進(jìn)行熱分析時必須嚴(yán)格控制實(shí)驗(yàn)條件和研究實(shí)驗(yàn)條件對所測數(shù)據(jù)的影響,并且在發(fā)表數(shù)據(jù)時應(yīng)明確測定時所采用的實(shí)驗(yàn)條件。影響差熱曲線的因素比較多,其主要的影響因素大致是下列幾個方面:
①儀器方面的因素:包括加熱爐的形狀和尺寸、坩鍋大小、熱電偶位置等。
②實(shí)驗(yàn)條件:升溫速率、氣氛等。
③試樣的影響:試樣用量、粒度等。
因此,在差熱分析時應(yīng)全面考慮各方面的影響因素和實(shí)驗(yàn)條件才能獲得好的實(shí)驗(yàn)結(jié)果。
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