真空蒸發(fā)鍍膜技術(shù)原理

一、蒸發(fā)鍍膜簡述：

真空蒸發(fā)鍍膜（簡稱真空蒸鍍）是指在真空室中，加熱蒸發(fā)容器中待形成薄膜的原材料，使其原子或分子從表面氣化逸出，形成蒸氣流，入射到固體（稱為襯底或基片）表面，凝結(jié)形成固態(tài)薄膜的方法。由于真空蒸發(fā)法或真空蒸鍍法主要物理過程是通過加熱蒸發(fā)材料而產(chǎn)生，所以又稱熱蒸發(fā)法或者熱蒸鍍，所配套的設(shè)備稱之為熱蒸發(fā)真空鍍膜機。這種方法zui早由M.法拉第于1857年提出，現(xiàn)代已成為常用鍍膜技術(shù)之一。

盡管后來發(fā)展起來的濺射鍍和離子鍍在許多方面要比蒸鍍優(yōu)越，但真空蒸發(fā)技術(shù)仍有許多優(yōu)點，如設(shè)備與工藝相對比較簡單，即可鍍制非常純凈的膜層，又可制備具有特定結(jié)構(gòu)和性質(zhì)的膜層等，仍然是當今非常重要的鍍膜技術(shù)。近年來，由于電子轟擊蒸發(fā)，高頻感應(yīng)蒸發(fā)及激光蒸發(fā)等技術(shù)在蒸發(fā)鍍膜技術(shù)中的廣泛應(yīng)用，使這一技術(shù)更趨完善。

近年來，該法的改進主要是在蒸發(fā)源上。為了抑制或避免薄膜原材料與蒸發(fā)加熱器發(fā)生化學反應(yīng)，改用耐熱陶瓷坩堝，如 BN坩堝。為了蒸發(fā)低蒸氣壓物質(zhì)，采用電子束加熱源或激光加熱源。為了制造成分復(fù)雜或多層復(fù)合薄膜，發(fā)展了多源共蒸發(fā)或順序蒸發(fā)法。為了制備化合物薄膜或抑制薄膜成分對原材料的偏離，出現(xiàn)了反應(yīng)蒸發(fā)法等。

二、熱蒸鍍工作原理：

真空蒸發(fā)鍍膜包括以下三個基本過程∶

（1）加熱蒸發(fā)過程。包括由凝聚相轉(zhuǎn)變?yōu)闅庀啵ü滔嗷蛞合唷鷼庀啵┑南嘧冞^程。每種蒸發(fā)物質(zhì)在不同溫度時有不相同的飽和蒸氣壓;蒸發(fā)化合物時，其組分之間發(fā)生反應(yīng)，其中有些組分以氣態(tài)或蒸氣進入蒸發(fā)空間。

（2）氣化原子或分子在蒸發(fā)源與基片之間的輸運過程，即這些粒子在環(huán)境氣氛中的飛行過程。飛行過程中與真空室內(nèi)殘余氣體分子發(fā)生碰撞的次數(shù)，取決于蒸發(fā)原子的平均自由程，以及從蒸發(fā)源到基片之間的距離，常稱源-基距。

（3）蒸發(fā)原子或分子在基片表面上的沉積過程，即是蒸氣凝聚、成核、核生長、形成連續(xù)薄膜。由于基板溫度遠低于蒸發(fā)源溫度，因此，沉積物分子在基板表面將直接發(fā)生從氣相到固相的相轉(zhuǎn)變過程。

將膜材置于真空鍍膜室內(nèi)，通過蒸發(fā)源加熱使其蒸發(fā)，當蒸發(fā)分子的平均自由程大于真空鍍膜室的線性尺寸時，蒸汽的原子和分子從蒸發(fā)源表面逸出后，在飛向基片表面過程中很少受到其他粒子（主要是殘余氣體分子）的碰撞阻礙，可直接到達被鍍的基片表面，由于基片溫度較低，便凝結(jié)其上而成膜，為了提高蒸發(fā)分子與基片的附著力，對基片進行適當?shù)募訜崾潜匾摹槭拐舭l(fā)鍍膜順利進行，應(yīng)具備蒸發(fā)過程中的真空條件和制膜過程中的蒸發(fā)條件。

蒸發(fā)過程中的真空條件：真空鍍膜室內(nèi)蒸汽分子的平均自由程大于蒸發(fā)源與基片的距離（稱做蒸距）時，就會獲得充分的真空條件。為此，增加殘余氣體的平均自由程，借以減少蒸汽分子與殘余氣體分子的碰撞概率，把真空鍍膜室抽成高真空是非常必要的。否則，蒸發(fā)物原子或分子將與大量空氣分子碰撞，使膜層受到嚴重污染，甚至形成氧化物；或者蒸發(fā)源被加熱氧化燒毀；或者由于空氣分子的碰撞阻擋，難以形成均勻連續(xù)的薄膜。

三、真空蒸鍍特點:

優(yōu)點：設(shè)備比較簡單 、操作容易；制成的薄膜純度高、質(zhì)量好，厚度可較準確控制；成膜速率快，效率高；薄膜的生長機理比較簡單；

缺點：不容易獲得結(jié)晶結(jié)構(gòu)的薄膜；所形成的薄膜在基板上的附著力較?。还に囍貜?fù)性不夠好等。

四、蒸發(fā)源的類型及選擇：

蒸發(fā)源是用來加熱膜材使之氣化蒸發(fā)的裝置。目前所用的蒸發(fā)源主要有電阻加熱，電子束加熱，感應(yīng)加熱，電弧加熱和激光加熱等多種形式。

電阻加熱蒸發(fā)裝置結(jié)構(gòu)較簡單，成本低，操作簡便，應(yīng)用普遍。電阻加熱式蒸發(fā)源的發(fā)熱材料一般選用W、Mo、Ta、Nb等高熔點金屬，Ni、Ni-Cr合金。把它們加工成各種合適的形狀，在其上盛裝待蒸發(fā)的膜材。一般采用大電流通過蒸發(fā)源使之發(fā)熱，對膜材直接加熱蒸發(fā)，或把膜材放入石墨及某些耐高溫的金屬氧化物（如Al2O3，BeO）等材料制成的坩堝中進行間接加熱蒸發(fā)。

采用電阻加熱法時應(yīng)考慮的問題是蒸發(fā)源的材料及其形狀，主要是蒸發(fā)源材料的熔點和蒸氣壓，蒸發(fā)源材料與薄膜材料的反應(yīng)以及與薄膜材料之間的濕潤性。

因為薄膜材料的蒸發(fā)溫度（平衡蒸氣壓為1. 33 Pa時的溫度）多數(shù)在1 000 ~2 000 K之間，所以蒸發(fā)源材料的熔點需高于這一溫度。而且．在選擇蒸發(fā)源材料時必須考慮蒸發(fā)源材料大約有多少隨蒸發(fā)而成為雜質(zhì)進入薄膜的問題。因此，必須了解有關(guān)蒸發(fā)源常用材料的蒸氣壓。為了使蒸發(fā)源材料蒸發(fā)的分子數(shù)非常少，蒸發(fā)溫度應(yīng)低于蒸發(fā)源材料平衡蒸發(fā)壓為1. 33×10-6Pa時的溫度。在雜質(zhì)較多時，薄膜的性能不受什么影響的情況下，也可采用與1. 33×10-2Pa對應(yīng)的溫度。

綜上所述，蒸發(fā)源材料的要求：

1、高熔點：必須高于待蒸發(fā)膜材的熔點（常用膜材熔點1000～2000℃）

2、飽和蒸氣壓低：保證足夠低的自蒸發(fā)量，不至于影響系統(tǒng)真空度和污染膜層

3、化學性能穩(wěn)定：在高溫下不應(yīng)與膜材發(fā)生反應(yīng)，生成化合物或合金化

4、良好的耐熱性

5、原料豐富、經(jīng)濟耐用

蒸發(fā)材料對蒸發(fā)源材料的“濕潤性”：選擇蒸發(fā)源材料時，必須考慮蒸鍍材料與蒸發(fā)材料的“濕潤性”問題。

蒸鍍材料與蒸發(fā)源材料的濕潤性”與蒸發(fā)材料的表面能大小有關(guān)。高溫熔化的蒸鍍材料在蒸發(fā)源上有擴展傾向時，可以認為是容易濕潤的;如果在蒸發(fā)源上有凝聚而接近于形成球形的傾向時，就可以認為是難干濕潤的

在濕潤的情況下，材料的蒸發(fā)是從大的表面上發(fā)生的且比較穩(wěn)定，可以認為是面蒸發(fā)源的蒸發(fā);在濕潤小的時候，一般可認為是點蒸發(fā)源的蒸發(fā)。如果容易發(fā)生濕潤，蒸發(fā)材料與蒸發(fā)源十分親和，蒸發(fā)狀態(tài)穩(wěn)定;如果是難以濕潤的，在采用絲狀蒸發(fā)源時，蒸發(fā)材料就容易從蒸發(fā)源上掉下來。

五、合金與化合物的蒸發(fā)：

1、合金的蒸發(fā)：采用真空蒸發(fā)法制作預(yù)定組分的合金薄膜，經(jīng)常采用瞬時蒸發(fā)法、雙蒸發(fā)源法。

分餾現(xiàn)象：當蒸發(fā)二元以上的合金及化合物時，蒸發(fā)材料在氣化過程中，由于各成分的飽和蒸氣壓不同，使得其蒸發(fā)速率也不同，得不到希望的合金或化合物的比例成分，這種現(xiàn)象稱為分餾現(xiàn)象。

（1）瞬時蒸發(fā)法：瞬時蒸發(fā)法又稱“閃爍”蒸發(fā)法。將細小的合金顆粒，逐次送到非常熾熱的蒸發(fā)器中，使一個一個的顆粒實現(xiàn)瞬間完全蒸發(fā)。關(guān)鍵以均勻的速率將蒸鍍材料供給蒸發(fā)源粉末粒度、蒸發(fā)溫度和粉末比率。如果顆粒尺寸很小，幾乎能對任何成分進行同時蒸發(fā)，故瞬時蒸發(fā)法常用于合金中元素的蒸發(fā)速率相差很大的場合。

優(yōu)點：能獲得成分均勻的薄膜，可以進行摻雜蒸發(fā)等。

缺點：蒸發(fā)速率難以控制，且蒸發(fā)速率不能太快。

（2）雙源蒸發(fā)法：將要形成合金的每一成分，分別裝入各自的蒸發(fā)源中，然后獨立地控制各個蒸發(fā)源的蒸發(fā)速率，使達到基板的各種原子與所需合金薄膜的組成相對應(yīng)。為使薄膜厚度分布均勻，基板常需要進行轉(zhuǎn)動。

2、化合物的蒸發(fā)：

化合物的蒸發(fā)方法：（1）電阻加熱法（2）反應(yīng)蒸發(fā)法（3）雙源或多源蒸發(fā)法（4）三溫度法（5）分子束外延法

反應(yīng)蒸發(fā)法主要用于制備高熔點的絕緣介質(zhì)薄膜，如氧化物、氮化物和硅化物等。而三溫度法和分子外延法主要用于制作單晶半導(dǎo)體化合物薄膜，特別是III-V族化合物半導(dǎo)體薄膜、超晶格薄膜以及各種單晶外延薄膜等。

將活性氣體導(dǎo)入真空室，使活性氣體的原子、分子和從蒸發(fā)源逸出的蒸發(fā)金屬原子、低價化合物分子在基板表面淀積過程中發(fā)生反應(yīng)，從而形成所需高價化合物薄膜的方法。

不僅用于熱分解嚴重，而且用于因飽和蒸氣壓較低而難以采用電阻加熱蒸發(fā)的材料。經(jīng)常被用來制作高熔點的化合物薄膜，特別是適合制作過渡金屬與易分解吸收的02， N2等反應(yīng)氣體所組成的化合物薄膜（例如SiO2、ZrN、AlN、SiC薄膜）。

在反應(yīng)蒸發(fā)中，蒸發(fā)原子或低價化合物分子與活性氣體發(fā)生反應(yīng)的地方有三種可能，即蒸發(fā)源表面、蒸發(fā)源到基板的空間和基板表面。

引言

同步熱分析儀是一種高端科學儀器，用于同時測量樣品的熱學性能和物理性質(zhì)。它在科研、工業(yè)生產(chǎn)和質(zhì)量控制等領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用，如材料科學、化學、冶金、生物醫(yī)學等。本文將詳細介紹同步熱分析儀的基本原理、工作流程及其在實際應(yīng)用中的意義和作用，以期提高讀者對該儀器的認識和理解。

基本原理

同步熱分析儀主要由熱電偶、加熱爐、冷卻系統(tǒng)、氣氛控制系統(tǒng)、數(shù)據(jù)采集和處理系統(tǒng)等組成。其核心原理是利用熱電偶測量樣品在加熱或冷卻過程中的溫度變化，并通過數(shù)據(jù)采集和處理系統(tǒng)對溫度變化進行實時監(jiān)測和分析。

工作流程

1. 實驗前準備：選擇合適的熱電偶和樣品托，將樣品放置在樣品托上，根據(jù)實驗需求設(shè)置加熱爐的溫度和升溫速率，調(diào)整氣氛控制系統(tǒng)以控制實驗環(huán)境。

2. 實驗過程：啟動儀器，加熱爐開始升溫，同時測量樣品的溫度變化。數(shù)據(jù)采集和處理系統(tǒng)將實時監(jiān)測樣品溫度，并將數(shù)據(jù)傳輸?shù)接嬎銠C進行記錄和分析。

3. 數(shù)據(jù)處理：通過計算機軟件對實驗數(shù)據(jù)進行處理和分析，生成熱學性能曲線和物理性質(zhì)曲線，以便研究人員進行比較和研究。

意義和作用

同步熱分析儀在科學研究中的應(yīng)用價值非常廣泛。首先，它可以幫助研究人員了解樣品的熱學性能和物理性質(zhì)，如熱膨脹系數(shù)、導(dǎo)熱系數(shù)、比熱容等，這對于材料科學、化學等領(lǐng)域的研究非常重要。其次，同步熱分析儀可以用于研究物質(zhì)的相變過程，例如物質(zhì)的熔化、凝固、相變等，這對于冶金、材料等領(lǐng)域具有重要意義。

在工業(yè)生產(chǎn)中，同步熱分析儀也有著廣泛的應(yīng)用。例如，它可以用于對材料進行質(zhì)量控制，通過對樣品的熱學性能和物理性質(zhì)的測量，可以判斷材料是否符合生產(chǎn)要求。此外，同步熱分析儀還可以用于研究材料的熱穩(wěn)定性和耐候性，這對于產(chǎn)品的研發(fā)和優(yōu)化具有重要意義。

未來發(fā)展

隨著科技的不斷發(fā)展，同步熱分析儀也在不斷創(chuàng)新和完善。未來，同步熱分析儀將朝著更高的精度、更快的測量速度和更復(fù)雜的數(shù)據(jù)處理能力方向發(fā)展。此外，隨著環(huán)保意識的提高，對環(huán)保型氣氛控制系統(tǒng)的需求也將越來越高。

總之，同步熱分析儀作為一種功能強大的科學儀器，在材料科學、化學、冶金等領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用價值。隨著技術(shù)的不斷進步和應(yīng)用需求的不斷增加，同步熱分析儀將在未來發(fā)揮更加重要的作用，為科學研究、工業(yè)生產(chǎn)和質(zhì)量控制提供強有力的支持。

電子束蒸發(fā)鍍膜

一、電子束蒸發(fā)鍍膜簡述：

電子束蒸發(fā)鍍膜（Electron Beam Evaporation）是物理氣相沉積的一種，與傳統(tǒng)蒸鍍方式不同，電子束蒸鍍利用電磁場的配合可以精準地實現(xiàn)利用高能電子轟擊坩堝內(nèi)靶材，使之融化進而沉積在基片上，電子束蒸鍍可以鍍出高純度高精度的薄膜。

在高真空下，電子槍燈絲加熱后發(fā)射熱電子，被加速陽極加速，獲得很大的動能轟擊到的蒸發(fā)材料上，把動能轉(zhuǎn)化成熱使蒸發(fā)材料加熱氣化，而實現(xiàn)電子束蒸發(fā)鍍膜。電子束蒸發(fā)源由發(fā)射電子的熱陰極、電子加速極和作為陽極的鍍膜材料組成。電子束蒸發(fā)源的能量可高度集中，使鍍膜材料局部達到高溫而蒸發(fā)。通過調(diào)節(jié)電子束的功率，可以方便的控制鍍膜材料的蒸發(fā)速率，特別是有利于高熔點（Pt、W、Mo、Ta）以及高純金屬和化合物材料。

二、蒸鍍原理：

電子束蒸鍍是利用加速電子轟擊鍍膜材料，電子的動能轉(zhuǎn)換成熱能使鍍膜材料加熱蒸發(fā)，并成膜。電子槍有直射式、環(huán)型和E型之分。電子束加熱蒸鍍的特點是能獲得極高的能量密度，最高可達109w/cm2，加熱溫度可達3000~6000℃，可以蒸發(fā)難熔金屬或化合物。被蒸發(fā)材料置于水冷的坩堝中，可避免坩堝材料的污染,制備高純薄膜。另外，由于蒸發(fā)物加熱面積小，因而熱輻射損失減少，熱效率高；但結(jié)構(gòu)較復(fù)雜，且對較多的化合物，由于電子的轟擊有可能分解，故不適合多數(shù)化合物的蒸鍍。

電子束蒸鍍常用來制備Al、CO、Ni、Fe的合金或氧化物膜，SiO2、ZrO2膜，抗腐蝕和耐高溫氧化膜。

三、電子束蒸發(fā)鍍膜的特點：

　　電子束蒸發(fā)鍍膜機是在工業(yè)中比較常使用的薄膜制造設(shè)備，由于蒸發(fā)鍍膜機的特點在生產(chǎn)薄膜的時候發(fā)揮了巨大的作用，薄膜的產(chǎn)生主要是通過鍍膜機中的電子束的加熱產(chǎn)生的。

　　1、電子束加熱蒸發(fā)鍍膜的優(yōu)點

　?。?）鍍膜機中的電子束加熱的方法與傳統(tǒng)的電阻加熱的方法相比，電子束加熱會產(chǎn)生更高的通量密度，這樣的話對于高熔點（熔點3000°C以上）的材料的蒸發(fā)比較有利，而且還可以使蒸發(fā)的速率得到一定程度上的提高。

　　（2）蒸發(fā)鍍膜機在工作的時候會將需要被蒸發(fā)的原材料放入到水冷銅坩堝內(nèi)，這樣就可以保證材料避免被污染，可以制造純度比較高的薄膜。

      （3）電子束蒸發(fā)的粒子動能比較的大，這樣會有利于薄膜的精密性和結(jié)合力。

      （4）熱量可直接加到蒸鍍材料的表面，因而熱效率高，熱傳導(dǎo)和熱輻射的損失少。

　　2、電子束加熱蒸發(fā)鍍膜的缺點

　　（1）電子束蒸發(fā)鍍膜機的整體的構(gòu)造比較復(fù)雜，價格相較于其他的鍍膜設(shè)備而言比較的偏高。

      （2）鍍膜機在工作的時候，如果蒸發(fā)源附近的蒸汽的密度比較高的話，就會使得電子束流和蒸汽粒子之間發(fā)生一些相互的作用，將會對電子的通量產(chǎn)生影響，使得電子的通量散失或者偏移軌道。同時還可能會引發(fā)蒸汽和殘余的氣體的激發(fā)和電離，以此影響到整個薄膜的質(zhì)量。