NPC-3500型微波等離子去膠機(jī)

微波等離子去膠機(jī)工作原理：

為了產(chǎn)生等離子，系統(tǒng)使用遠(yuǎn)程微波源。氧在真空環(huán)境下受高頻及微波能量作用，電離產(chǎn)生具有強(qiáng)氧化能力的游離態(tài)氧原子，它在高頻電壓作用下與光刻膠薄膜反應(yīng)，反應(yīng)后生成的 CO2 和 H2O 通過(guò)真空系統(tǒng)被抽走。CF4 氣體可以達(dá)到更快速的去膠速率，尤其對(duì)于難以去除的光刻膠也具備出色的去除能力。

在微波等離子體氛圍中，活性氣體被等離子化，將跟光刻膠產(chǎn)生化學(xué)反應(yīng)，反應(yīng)生產(chǎn)的化合物通過(guò)真空泵被快速抽走，可以達(dá)到高效的去膠效果。該去膠機(jī)微波源為遠(yuǎn)程微波源，轟擊性的離子將被過(guò)濾掉之后微波等離子進(jìn)入到工藝腔室參與反應(yīng)，因此可以實(shí)現(xiàn)無(wú)損的去膠。

微波等離子去膠機(jī)主要用途：

• MEMS壓力傳感器加工工藝中光刻膠批量處理；

• 去除有機(jī)或無(wú)機(jī)物，而無(wú)殘留；

• 去膠渣、深刻蝕應(yīng)用；

• 半導(dǎo)體晶圓制造中光刻膠及SU8工藝；

• 平板顯示生產(chǎn)中等離子體預(yù)處理；

• 太陽(yáng)能電池生產(chǎn)中邊緣絕緣和制絨；

• 先進(jìn)晶片(芯片)封裝中的襯底清潔和預(yù)處理；

NANO-MASTER微波等離子去膠機(jī)系統(tǒng)優(yōu)勢(shì)：

1）Downstream結(jié)構(gòu)，等離子分布均勻；

2）遠(yuǎn)程微波，無(wú)損傷；

3）遠(yuǎn)程微波，支持金屬材質(zhì)；

4）批處理，一次可支持1-25片；

5）微波等離子，可以深入1um以內(nèi)的孔隙進(jìn)行清洗；

6）光刻膠去除的方式為化學(xué)方式，而非物理轟擊，可實(shí)現(xiàn)等離子360度全方位的分布；

7）旋轉(zhuǎn)樣品臺(tái)，進(jìn)一步提高去膠的均勻性。

8) 腔體內(nèi)無(wú)電極，更高潔凈度；

9）微波波段無(wú)紫外排放，操作更安全；

10）高電子密度，去膠效率高。

隨著半導(dǎo)體制造工藝向更精密化、集成化方向發(fā)展，設(shè)備氣密性檢測(cè)已成為保障芯片良率與可靠性的核心環(huán)節(jié)。氦質(zhì)譜檢漏儀憑借其超高靈敏度和精準(zhǔn)定位能力，正成為半導(dǎo)體行業(yè)不可或缺的質(zhì)量守護(hù)者。本文將從技術(shù)原理、應(yīng)用場(chǎng)景、經(jīng)濟(jì)效益等維度，深度解析該技術(shù)在半導(dǎo)體領(lǐng)域的革新價(jià)值。

一、技術(shù)原理：磁場(chǎng)中的離子軌跡解碼微觀泄漏
氦質(zhì)譜檢漏儀基于質(zhì)譜學(xué)原理，通過(guò)電離室將氦氣分子電離為帶正電的氦離子，利用磁場(chǎng)中不同質(zhì)荷比離子的偏轉(zhuǎn)半徑差異實(shí)現(xiàn)精準(zhǔn)分離。當(dāng)加速電壓與磁場(chǎng)強(qiáng)度固定時(shí)，特定質(zhì)量的氦離子將沿預(yù)定軌道抵達(dá)接收極，形成可量化信號(hào)。采用逆擴(kuò)散檢漏技術(shù)時(shí)，氦氣分子可逆著分子泵氣流方向進(jìn)入質(zhì)譜室，在避免電離室污染的同時(shí)實(shí)現(xiàn)10^-12 Pa·m3/s量級(jí)的極限檢測(cè)靈敏度。相較于傳統(tǒng)水檢法或壓差法，該技術(shù)檢測(cè)精度提升百萬(wàn)倍，且具備無(wú)損檢測(cè)特性。

二、半導(dǎo)體設(shè)備的極致密封要求
半導(dǎo)體制造裝備對(duì)氣密性的要求近乎苛刻：內(nèi)襯部件需承受1.33×10^-8 Pa的超高真空，加熱器在200℃高溫下的氦測(cè)漏率需低于5×10^-6 mbar·L/s，而晶圓反應(yīng)腔體的靜態(tài)泄漏率必須控制在0.001 ml/min以下。任何微米級(jí)泄漏都將導(dǎo)致真空失效、工藝氣體污染或晶圓特性劣化。例如，極紫外光刻機(jī)的光學(xué)系統(tǒng)若存在10^-9 Pa·m3/s的泄漏，就會(huì)造成鏡面污染和光路散射，直接導(dǎo)致芯片良率下降30%以上。

三、全產(chǎn)業(yè)鏈滲透：從晶圓制造到封裝測(cè)試
在晶圓制造環(huán)節(jié)，該技術(shù)應(yīng)用于磁控濺射設(shè)備、等離子刻蝕機(jī)（ICP/PECVD）等關(guān)鍵設(shè)備。某12英寸晶圓廠的離子注入機(jī)采用ASM 390檢漏儀后，將真空腔體泄漏排查時(shí)間從72小時(shí)縮短至4小時(shí)，設(shè)備稼動(dòng)率提升15%。在封裝測(cè)試階段，TO封裝器件的氦檢漏率需低于1×10^-8 Pa·m3/s，通過(guò)真空箱法可實(shí)現(xiàn)每小時(shí)3000顆芯片的全自動(dòng)檢測(cè)。典型案例顯示，某頭部封測(cè)企業(yè)引入ZQJ-2300系統(tǒng)后，封裝不良率從500ppm降至50ppm，年節(jié)約返修成本超2000萬(wàn)元。

四、經(jīng)濟(jì)效益與行業(yè)變革
據(jù)QYResearch數(shù)據(jù)，中國(guó)半導(dǎo)體用氦質(zhì)譜檢漏儀市場(chǎng)規(guī)模在2023年突破8.7億元，年復(fù)合增長(zhǎng)率達(dá)19.3%。設(shè)備制造商通過(guò)精準(zhǔn)檢漏可將工藝氣體損耗降低40%，同時(shí)避免因泄漏導(dǎo)致的設(shè)備宕機(jī)損失。以5納米制程產(chǎn)線為例，單臺(tái)光刻機(jī)年度檢漏維護(hù)成本約120萬(wàn)元，但泄漏事故導(dǎo)致的停產(chǎn)損失高達(dá)5000萬(wàn)元/日。行業(yè)測(cè)算表明，每投入1元檢漏設(shè)備成本，可產(chǎn)生8.3元的綜合效益。

五、技術(shù)演進(jìn)：智能化與系統(tǒng)集成
新一代設(shè)備正融合AI算法與物聯(lián)網(wǎng)技術(shù)，如皖儀科技的iLeak云平臺(tái)可實(shí)現(xiàn)多臺(tái)檢漏儀數(shù)據(jù)聯(lián)動(dòng)分析，泄漏定位精度提升至0.1mm級(jí)。Pfeiffer推出的ASM 560系列集成機(jī)器學(xué)習(xí)模塊，可自動(dòng)識(shí)別虛警信號(hào)，使誤報(bào)率從5%降至0.3%。行業(yè)專家預(yù)測(cè)，2026年后具備自診斷功能的智能檢漏系統(tǒng)將覆蓋80%的12英寸晶圓產(chǎn)線。

隨著3D封裝、碳化硅功率器件等新技術(shù)普及，氦質(zhì)譜檢漏技術(shù)將持續(xù)突破物理極限。國(guó)內(nèi)外廠商競(jìng)相研發(fā)基于量子傳感器的第三代檢漏儀，目標(biāo)在2030年前實(shí)現(xiàn)10^-15 Pa·m3/s的分子級(jí)泄漏檢測(cè)，為半導(dǎo)體制造構(gòu)筑更堅(jiān)固的質(zhì)量防線。

冰升溫至0℃會(huì)變成水，如繼續(xù)使溫度升至100℃，那么水就會(huì)沸騰成為水蒸氣。隨著溫度的上升，物質(zhì)的存在狀態(tài)一般會(huì)呈現(xiàn)出固態(tài)→液態(tài)→氣態(tài)三種物態(tài)的轉(zhuǎn)化過(guò)程，我們把這三種基本形態(tài)稱為物質(zhì)的三態(tài)。那么對(duì)于氣態(tài)物質(zhì)，溫度升至幾千度時(shí)，將會(huì)有什么新變化呢? 由于物質(zhì)分子熱運(yùn)動(dòng)加劇，相互間的碰撞就會(huì)使氣體分子產(chǎn)生電離，這樣物質(zhì)就變成由自由運(yùn)動(dòng)并相互作用的正離子和電子組成的混合物（蠟燭的火焰就處于這種狀態(tài)）。我們把物質(zhì)的這種存在狀態(tài)稱為物質(zhì)的第四態(tài)，即等離子體(plasma)。

因?yàn)殡婋x過(guò)程中正離子和電子總是成對(duì)出現(xiàn)，所以等離子體中正離子和電子的總數(shù)大致相等，總體來(lái)看為準(zhǔn)電中性。反過(guò)來(lái)，我們可以把等離子體定義為：正離子和電子的密度大致相等的電離氣體。

從剛才提到的微弱的蠟燭火焰，我們可以看到等離子體的存在，而夜空中的滿天星斗又都是高溫的完全電離等離子體。據(jù)印度天體物理學(xué)家沙哈(M．Saha，1893-1956)的計(jì)算，宇宙中的99.9%的物質(zhì)處于等離子體狀態(tài)。而我們居住的地球倒是例外的溫度較低的星球。此外，對(duì)于自然界中的等離子體，我們還可以列舉太陽(yáng)、電離層、極光、雷電等。

在人工生成等離子體的方法中，氣體放電法比加熱的辦法更加簡(jiǎn)便高效，諸如熒光燈、霓虹燈、電弧焊、電暈放電等等。在自然和人工生成的各種主要類型的等離子體的密度和溫度的數(shù)值，其密度為106（單位：個(gè)／m3）的稀薄星際等離子體到密度為1025的電弧放電等離子體，跨越近20個(gè)數(shù)量級(jí)。其溫度分布范圍則從100K的低溫到超高溫核聚變等離子體108-109K（1-10億度）。

溫度軸的單位eV(electron volt)是等離子體領(lǐng)域中常用的溫度單位，1eV=11600K。

通常，等離子體中存在電子、正離子和中性粒子(包括不帶電荷的粒子如原子或分子以及原子團(tuán))等三種粒子。設(shè)它們的密度分別為ne,ni,nn，由于準(zhǔn)電中性，所以電離前氣體分子密度為ne≈nn。于是，我們定義電離度β=ne/(ne+nn)，以此來(lái)衡量等離子體的電離程度。日冕、核聚變中的高溫等離子體的電離度都是100%，像這樣β=1的等離子體稱為完全電離等離子體。電離度大于1%(β≥10-2)的稱為強(qiáng)電離等離子體，像火焰中的等離子體大部分是中性粒子(β<10-3 )，稱之為弱電離等離子體。

若放電是在接近于大氣壓的高氣壓條件下進(jìn)行，那么電子、離子、中性粒子會(huì)通過(guò)激烈碰撞而充分交換動(dòng)能，從而使等離子體達(dá)到熱平衡狀態(tài)。

若電子、離子、中性粒子的溫度分別為了Te，Ti，Tn，我們把這三種粒子的溫度近似相等(Te≈Ti≈Tn)的熱平衡等離子體稱為熱等離子體(thermal plasma)，在實(shí)際的熱等離子體發(fā)生裝置中，陰極和陽(yáng)極間的電弧放電作用使得流入的工作氣體發(fā)生電離，輸出的等離子體呈噴射狀，可用作等離子體射流(plasma jet)、等離子體噴焰(plasma torch)等。

另一方面，數(shù)百帕以下的低氣壓等離子體常常處于非熱平衡狀態(tài)。此時(shí)，電子在與離子或中性粒子的碰撞過(guò)程中幾乎不損失能量，所以有Te>>Ti , Te>>Tn。我們把這樣的等離子體稱為低溫等離子體(cold plasma)。當(dāng)然，即使是在高氣壓下，低溫等離子體還可以通過(guò)不產(chǎn)生熱效應(yīng)的短脈沖放電模式即電暈放電（corona discharge）或電弧滑動(dòng)噴射式放電來(lái)生成。

大氣壓下的輝光放電技術(shù)目前也已成為世界各國(guó)的研究熱點(diǎn)?？僧a(chǎn)生大氣壓非平衡態(tài)等離子體的機(jī)理尚不清楚，在高氣壓下等離子體的輸運(yùn)特性的研究也剛剛起步，現(xiàn)已形成新的研究熱點(diǎn)。

http://www.verdegroup.cn/

 更多詳細(xì)資料，可聯(lián)系上海爾迪儀器科技有限公司，撥打電話021-62211270！021-62211270！

上海爾迪儀器科技有限公司是一家從事儀器設(shè)備銷售、技術(shù)服務(wù)與工藝開(kāi)發(fā)的創(chuàng)新公司，為您提供一站式采購(gòu)服務(wù)。

空氣采樣器運(yùn)用在哪里?

冰升溫至0℃會(huì)變成水，如繼續(xù)使溫度升至100℃，那么水就會(huì)沸騰成為水蒸氣。隨著溫度的上升，物質(zhì)的存在狀態(tài)一般會(huì)呈現(xiàn)出固態(tài)→液態(tài)→氣態(tài)三種物態(tài)的轉(zhuǎn)化過(guò)程，我們把這三種基本形態(tài)稱為物質(zhì)的三態(tài)。那么對(duì)于氣態(tài)物質(zhì)，溫度升至幾千度時(shí)，將會(huì)有什么新變化呢? 由于物質(zhì)分子熱運(yùn)動(dòng)加劇，相互間的碰撞就會(huì)使氣體分子產(chǎn)生電離，這樣物質(zhì)就變成由自由運(yùn)動(dòng)并相互作用的正離子和電子組成的混合物（蠟燭的火焰就處于這種狀態(tài)）。我們把物質(zhì)的這種存在狀態(tài)稱為物質(zhì)的第四態(tài)，即等離子體(plasma)。因?yàn)殡婋x過(guò)程中正離子和電子總是成對(duì)出現(xiàn)，所以等離子體中正離子和電子的總數(shù)大致相等，總體來(lái)看為準(zhǔn)電中性。反過(guò)來(lái)，我們可以把等離子體定義為：正離子和電子的密度大致相等的電離氣體。

從剛才提到的微弱的蠟燭火焰，我們可以看到等離子體的存在，而夜空中的滿天星斗又都是高溫的完全電離等離子體。據(jù)印度天體物理學(xué)家沙哈(M．Saha，1893-1956)的計(jì)算，宇宙中的99.9%的物質(zhì)處于等離子體狀態(tài)。而我們居住的地球倒是例外的溫度較低的星球。此外，對(duì)于自然界中的等離子體，我們還可以列舉太陽(yáng)、電離層、極光、雷電等。在人工生成等離子體的方法中，氣體放電法比加熱的辦法更加簡(jiǎn)便GX，諸如熒光燈、霓虹燈、電弧焊、電暈放電等等。在自然和人工生成的各種主要類型的等離子體的密度和溫度的數(shù)值，其密度為106（單位：個(gè)／m3）的稀薄星際等離子體到密度為1025的電弧放電等離子體，跨越近20個(gè)數(shù)量級(jí)。其溫度分布范圍則從100K的低溫到超高溫核聚變等離子體的108-109K（1-10億度）。 溫度軸的單位eV(electron volt)是等離子體領(lǐng)域中常用的溫度單位，1eV=11600K。

通常，等離子體中存在電子、正離子和中性粒子(包括不帶電荷的粒子如原子或分子以及原子團(tuán))等三種粒子。設(shè)它們的密度分別為ne,ni,nn，由于準(zhǔn)電中性，所以電離前氣體分子密度為ne≈nn。于是，我們定義電離度β=ne/(ne+nn)，以此來(lái)衡量等離子體的電離程度。日冕、核聚變中的高溫等離子體的電離度都是1**%，像這樣β=1的等離子體稱為完全電離等離子體。電離度大于1%(β≥10-2)的稱為強(qiáng)電離等離子體，像火焰中的等離子體大部分是中性粒子(β<10-3 )，稱之為弱電離等離子體。

若放電是在接近于大氣壓的高氣壓條件下進(jìn)行，那么電子、離子、中性粒子會(huì)通過(guò)激烈碰撞而充分交換動(dòng)能，從而使等離子體達(dá)到熱平衡狀態(tài)。若電子、離子、中性粒子的溫度分別為了Te，Ti，Tn，我們把這三種粒子的溫度近似相等(Te≈Ti≈Tn)的熱平衡等離子體稱為熱等離子體(thermal plasma)，在實(shí)際的熱等離子體發(fā)生裝置中，陰極和陽(yáng)極間的電弧放電作用使得流入的工作氣體發(fā)生電離，輸出的等離子體呈噴射狀，可用作等離子體射流(plasma jet)、等離子體噴焰(plasma torch)等。

另一方面，數(shù)百帕以下的低氣壓等離子體常常處于非熱平衡狀態(tài)。此時(shí)，電子在與離子或中性粒子的碰撞過(guò)程中幾乎不損失能量，所以有Te>>Ti , Te>>Tn。我們把這樣的等離子體稱為低溫等離子體(cold plasma)。當(dāng)然，即使是在高氣壓下，低溫等離子體還可以通過(guò)不產(chǎn)生熱效應(yīng)的短脈沖放電模式即電暈放電（corona discharge）或電弧滑動(dòng)噴射式放電來(lái)生成。大氣壓下的輝光放電技術(shù)目前也已成為世界各國(guó)的研究熱點(diǎn)?？僧a(chǎn)生大氣壓非平衡態(tài)等離子體的機(jī)理尚不清楚，在高氣壓下等離子體的輸運(yùn)特性的研究也剛剛起步，現(xiàn)已形成新的研究熱點(diǎn)。

本文轉(zhuǎn)載自上海爾迪儀器科技有限公司

低壓等離子體提供了非常多的表面改性方法。對(duì)臟污組件進(jìn)行精細(xì)清洗、對(duì)塑料件進(jìn)行等離子活化、對(duì) PTFE、硅進(jìn)行蝕刻，以及對(duì)具有PTFE 類涂層的塑料件進(jìn)行涂覆，這些是其部分應(yīng)用用途。就此而言，低壓等離子體可應(yīng)用于各種不同的領(lǐng)域，在這些領(lǐng)域中對(duì)材料進(jìn)行鍵合或者有針對(duì)性地改變表面特性對(duì)其來(lái)說(shuō)非常重要。

低壓等離子設(shè)備的應(yīng)用

材料清洗：等離子體技術(shù)可為所有類型的污染物、所有基材和所有后續(xù)處理提供解決方案。此外，還能分解由分子構(gòu)成的殘留污染物。

材料活化：表面具有良好的潤(rùn)濕性，是確保在涂漆、粘接、印刷或者鍵合時(shí)與結(jié)合配偶體粘附的前提條件。

材料蝕刻：等離子體技術(shù)可用于各向異性和各向同性蝕刻。通過(guò)化學(xué)蝕刻進(jìn)行各向同性蝕刻，通過(guò)物理蝕刻進(jìn)行各向異性蝕刻。

材料涂覆：使用低壓等離子體，可以改良具有不同涂層的工件。為此，會(huì)將氣態(tài)和液態(tài)原材料輸送到真空腔室中。 

Diener同時(shí)還是低壓等離子設(shè)備、等離子體高頻發(fā)生器和常壓等離子體生產(chǎn)領(lǐng)域的國(guó)際市場(chǎng)佼佼者，diener技術(shù)極其成熟，而且取得了巨大的成功，從而保證了持續(xù)性擴(kuò)張。

爾迪儀器代理Diener等離子設(shè)備，等離子清洗機(jī)，有需要可聯(lián)系我司。

爾迪儀器創(chuàng)建于2013年，是一家從事儀器設(shè)備銷售、技術(shù)服務(wù)與工藝開(kāi)發(fā)的創(chuàng)新公司。總部辦公地點(diǎn)位于上海，在北京、深圳、重慶、合肥等地設(shè)有辦事處。通過(guò)多年穩(wěn)步發(fā)展，急客戶之所急，想客戶之所想，應(yīng)客戶之所需，行客戶之未行，12小時(shí)內(nèi)響應(yīng)，24小時(shí)內(nèi)上門，形成售前專業(yè)全面、售中細(xì)致嚴(yán)謹(jǐn)、售后周到快捷的完整服務(wù)體系。