陜西天士立科技有限公司/STD2000/半導(dǎo)體參數(shù)測(cè)試儀系統(tǒng)可以測(cè)試Si,SiC,GaN & IGBT、Mosfet、Diode、BJT、SCR等電子元器件的靜態(tài)直流參數(shù)和IV曲線(xiàn)（如擊穿電壓V(BR)CES/V(BR)DSs、漏電流ICEs/lGEs/IGSs/lDSs、閾值電壓/VGE(th)、開(kāi)啟電壓/VCE(on)、跨導(dǎo)/Gfe/Gfs、壓降/Vf、導(dǎo)通內(nèi)阻Rds(on)）。測(cè)試種類(lèi)覆蓋 7 大類(lèi)別26分類(lèi)，包括“二極管類(lèi)”“三極管類(lèi)（如BJT、MOSFET、IGBT）”“保護(hù)類(lèi)器件”“穩(wěn)壓集成類(lèi)”“繼電器類(lèi)”“光耦類(lèi)”“傳感監(jiān)測(cè)類(lèi)”等品類(lèi)的繁多的電子元器件高壓源標(biāo)配1400V（選配2KV），高流源標(biāo)配100A（選配40A,200A,500A）控制極/柵極電壓40V，柵極電流100mA分辨率至1.5uV / 1.5pA，精度可至0.1%

陜西天士立科技有限公司/STD2000/半導(dǎo)體參數(shù)測(cè)試儀系統(tǒng)可以測(cè)試Si,SiC,GaN & IGBT、Mosfet、Diode、BJT、SCR等電子元器件的靜態(tài)直流參數(shù)和IV曲線(xiàn)（如擊穿電壓V(BR)CES/V(BR)DSs、漏電流ICEs/lGEs/IGSs/lDSs、閾值電壓/VGE(th)、開(kāi)啟電壓/VCE(on)、跨導(dǎo)/Gfe/Gfs、壓降/Vf、導(dǎo)通內(nèi)阻Rds(on)）。測(cè)試種類(lèi)覆蓋 7 大類(lèi)別26分類(lèi)，包括“二極管類(lèi)”“三極管類(lèi)（如BJT、MOSFET、IGBT）”“保護(hù)類(lèi)器件”“穩(wěn)壓集成類(lèi)”“繼電器類(lèi)”“光耦類(lèi)”“傳感監(jiān)測(cè)類(lèi)”等品類(lèi)的繁多的電子元器件高壓源標(biāo)配1400V（選配2KV），高流源標(biāo)配100A（選配40A,200A,500A）控制極/柵極電壓40V，柵極電流100mA分辨率至1.5uV / 1.5pA，精度可至0.1%

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1、STD2000/半導(dǎo)體分立器件靜態(tài)參數(shù)測(cè)試儀系統(tǒng) 2、一機(jī)多用：一臺(tái)設(shè)備可以覆蓋常見(jiàn)的很多元器件，如Si,SiC,GaN & IGBT、Mosfet、Diode、BJT、SCR、OC/光耦等 3、分辨率高：Z高至1.5uV / 1.5pA， 4、精度有保證：0.1% / 16 位 ADC、1M/S 采樣率 5、測(cè)試參數(shù)全面：靜態(tài)參數(shù)+IV曲線(xiàn)（如擊穿電壓V(BR)CES/V(BR)DSs、漏電流ICEs/lGEs/IGSs/lDSs、閾值電壓/VGE(th)、開(kāi)啟電壓/VCE(on)、跨導(dǎo)/Gfe/Gfs、壓降/Vf、內(nèi)阻Rds(on)）/6、高壓源：標(biāo)配1400V 選配2KV/7、高流源：標(biāo)配100A 選配40A,200A,500A 8、柵極電壓：40V 9、柵極電流：100mA

1、STD2000/半導(dǎo)體分立器件靜態(tài)參數(shù)測(cè)試儀系統(tǒng) 2、一機(jī)多用：一臺(tái)設(shè)備可以覆蓋常見(jiàn)的很多元器件，如Si,SiC,GaN & IGBT、Mosfet、Diode、BJT、SCR、OC/光耦等 3、分辨率高：Z高至1.5uV / 1.5pA， 4、精度有保證：0.1% / 16 位 ADC、1M/S 采樣率 5、測(cè)試參數(shù)全面：靜態(tài)參數(shù)+IV曲線(xiàn)（如擊穿電壓V(BR)CES/V(BR)DSs、漏電流ICEs/lGEs/IGSs/lDSs、閾值電壓/VGE(th)、開(kāi)啟電壓/VCE(on)、跨導(dǎo)/Gfe/Gfs、壓降/Vf、內(nèi)阻Rds(on)）/6、高壓源：標(biāo)配1400V 選配2KV/7、高流源：標(biāo)配100A 選配40A,200A,500A 8、柵極電壓：40V 9、柵極電流：100mA

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1、STD2000/半導(dǎo)體分立器件靜態(tài)參數(shù)測(cè)試儀系統(tǒng) 2、一機(jī)多用：一臺(tái)設(shè)備可以覆蓋常見(jiàn)的很多元器件，如Si,SiC,GaN & IGBT、Mosfet、Diode、BJT、SCR、OC/光耦等 3、分辨率高：Z高至1.5uV / 1.5pA， 4、精度有保證：0.1% / 16 位 ADC、1M/S 采樣率 5、測(cè)試參數(shù)全面：靜態(tài)參數(shù)+IV曲線(xiàn)（如擊穿電壓V(BR)CES/V(BR)DSs、漏電流ICEs/lGEs/IGSs/lDSs、閾值電壓/VGE(th)、開(kāi)啟電壓/VCE(on)、跨導(dǎo)/Gfe/Gfs、壓降/Vf、內(nèi)阻Rds(on)）/6、高壓源：標(biāo)配1400V 選配2KV/7、高流源：標(biāo)配100A 選配40A,200A,500A 8、柵極電壓：40V 9、柵極電流：100mA