原理：
等離子體等離子體分析飛行時(shí)間質(zhì)譜儀是一個(gè)全新的儀器，它結(jié)合了GD等離子體的濺射速度和飛行時(shí)間質(zhì)譜的靈敏度，實(shí)現(xiàn)了高分辨率和高靈敏度條件下固體材料的快速化學(xué)深度剖析。

ZD應(yīng)用領(lǐng)域：
摻雜分析（半導(dǎo)體、光電子、太陽(yáng)能光伏、傳感器、固態(tài)光源）
表面和整體污染鑒定（PVD鍍層、摩擦層、）
腐蝕科學(xué)和技術(shù)（示蹤物、標(biāo)記監(jiān)測(cè)、同位素分析）
界面監(jiān)測(cè)


參數(shù)：
采集速率：每30μs一張全質(zhì)譜
質(zhì)量分辨率：選擇高分辨率模式時(shí)，在m/z208可達(dá)5000
動(dòng)態(tài)范圍：10⁷
質(zhì)量準(zhǔn)確度40ppm
靈敏度:10³cps/ppm
深度分辨率：nm
正負(fù)離子模式
4個(gè)離子的靈活消隱功能
簡(jiǎn)單易用的水平樣品裝載

產(chǎn)品特點(diǎn)：
樣品分析快速無(wú)預(yù)處理：無(wú)需超高壓腔
適用于各種材料及鍍層分析
全質(zhì)量覆蓋：可提供從H到U元素的完整質(zhì)譜和分子信息，包括同位素監(jiān)測(cè)
獨(dú)有3D數(shù)據(jù) ，脈沖射頻模式(ZL)
高深度分辨率：測(cè)試薄層可至1nm到厚層：厚層可達(dá)100μm
無(wú)需校準(zhǔn)的半定量分析：濺射和電離過(guò)程分離，使得基體效應(yīng)最小化

原理圖：

應(yīng)用實(shí)例：

富含O18氧化鉭的同位素分析

Si PV的雜質(zhì)識(shí)別

Si中B的定量摻雜

InGaN中Mg的定量分析