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應(yīng)用方案

儀器網(wǎng)/ 應(yīng)用方案/ Sensofar 三維共焦干涉顯微鏡半導(dǎo)體檢測(cè)領(lǐng)域應(yīng)用

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關(guān)于在半導(dǎo)體領(lǐng)域的應(yīng)用,我們通常集中在制造過(guò)程的后端封裝環(huán)節(jié):Sensofar的產(chǎn)品可以用來(lái)表征關(guān)鍵尺寸,表征材料的粗糙度,以及進(jìn)行缺陷檢測(cè)等。

 

1、碳化硅基晶圓檢測(cè)

由于其優(yōu)異的熱穩(wěn)定性與特殊的電子傳輸特性,以碳化硅基晶圓為基礎(chǔ)的芯片在很多新興電子器件比如說(shuō)5G通訊等領(lǐng)域得到了廣泛應(yīng)用。在制備碳化硅基集成電路時(shí),通常采用的是化學(xué)氣相沉積技術(shù)。對(duì)其表面形貌的測(cè)量與表征對(duì)于了解其晶體生長(zhǎng)過(guò)程是否均勻很有必要。SensoVIEW可以通過(guò)ISO標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定的各空間,高度,以及混合參數(shù)來(lái)表征材料的形貌。

2、蝕刻電路

在蝕刻工藝之后,通常需要評(píng)估所得特征的高度。SensoPRO 軟件中的 Step Height 插件通過(guò)檢測(cè)形貌中的兩個(gè)不同高度的平面來(lái)計(jì)算該臺(tái)階高度。無(wú)論分析的圖案如何,都可以立即識(shí)別出該臺(tái)階特征。 為了確保測(cè)量的Z佳精度,該處使用了 干涉測(cè)量法。

 

3、3D 十字切口

衡量芯片分割的質(zhì)量通常有兩個(gè)主要參數(shù)來(lái)表征:高度,以確保底部沒(méi)有被損壞;寬度,這是衡量切割質(zhì)量的標(biāo)準(zhǔn)。 Cross kerf 插件不僅可以檢測(cè)十字并提取所需的參數(shù),還可以調(diào)平表面以確保晶圓中的現(xiàn)有角度不會(huì)影響提取的數(shù)據(jù)。對(duì)于此應(yīng)用,這些分割特征的高縱橫比使得測(cè)量非常具有挑戰(zhàn)性,只有 Ai Focus Variation 才能合適的解決此應(yīng)用中存在的問(wèn)題。

4、鈍化層孔

鈍化層上的孔決定了芯片與引線鍵合的通路??撞寮梢詼y(cè)量直徑從50微米到2毫米的孔,在此應(yīng)用中非常實(shí)用。

5、孔內(nèi)薄膜厚度

S neox 擴(kuò)展了反射光譜儀的應(yīng)用,因?yàn)樗梢允褂玫椭?微米的光斑測(cè)量直徑非常小的孔上的薄膜厚度!

6、通過(guò)表面測(cè)量管控晶片翹曲

該晶圓經(jīng)過(guò)了不同的工序,其表面有不同的特征點(diǎn)。

紋理化工藝處理使得這些特征點(diǎn)表面非常粗糙,因此可以用 S wide來(lái)測(cè)量。

在高溫環(huán)境實(shí)施的外延生長(zhǎng)薄膜工藝使得晶圓有可能產(chǎn)生變形。 為了評(píng)估這一點(diǎn),我們用SensoVIEW測(cè)量了特征結(jié)構(gòu)之間的距離,看它們是否符合預(yù)期的長(zhǎng)度,由此來(lái)判斷晶圓是否有形變。

 

 

西班牙Sensofar品牌簡(jiǎn)介

   Sensofar是西班牙的一家高新技術(shù)公司,成立于2001年,總部位于西班牙科技中心巴塞羅那附近的塔拉薩(Terrassa)。公司通過(guò)戰(zhàn)略合作伙伴構(gòu)成網(wǎng)絡(luò),在超過(guò)20 個(gè)國(guó)家設(shè)有代表處,始終遵循先進(jìn)的技術(shù)、極高的質(zhì)量和優(yōu)質(zhì)客戶服務(wù)的宗旨。

   Sensofar公司專(zhuān)注于研發(fā)非接觸式3D光學(xué)表面測(cè)量技術(shù),致力于開(kāi)發(fā)、制造和供應(yīng)高端3D測(cè)量工具,并提供3D測(cè)量技術(shù)領(lǐng)域內(nèi)的咨詢服務(wù)。Sensofar持續(xù)不斷地研發(fā)和申請(qǐng)表面測(cè)量專(zhuān)利技術(shù),在很大范圍內(nèi)創(chuàng)造了數(shù)百種表面形貌測(cè)量應(yīng)用產(chǎn)品。在高精度3D光學(xué)測(cè)量技術(shù)方面,擁有其他品牌難以比擬的技術(shù)實(shí)力。 


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