簡要介紹
硅碳棒(SiC),在空氣中,1000以下氧化極慢,1350時氧化顯著,在1350~1500間生成SiO2,而SiO2在1700左右熔化,生成的SiO2在熔化時覆蓋在SiC上面,阻礙SiC再繼續(xù)氧化.硅碳棒的氧化主要表現(xiàn)為其電阻增加,在使用60~80h后,其電阻增加15%~20%,以后逐漸減緩,這種現(xiàn)象稱為老化.硅棒老化后電流就要下降,要使功率保持不變必須提高電壓,所以硅碳棒電爐需設(shè)調(diào)壓裝置.經(jīng)長期加熱,硅碳棒的電阻越來越大,Z后終于大到不能再繼續(xù)使用而廢棄硅碳棒的安全使用溫度達1600.一般硅碳棒在空氣氣氛下,爐溫在1400時,連續(xù)使用壽命約為2000h以上,間斷使用為1000h以上.爐溫在1000時,使用壽命可達5000h左右.硅碳棒在低溫時,其電阻與溫度成反比,約在800時,其電阻溫度特性由負變?yōu)檎?在800以上,其電阻與溫度成正比 馬弗爐HQ-2.5-10 馬弗爐1600度
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