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2026-01-21 10:47:25銦鎵砷探測器
銦鎵砷探測器是一種用于探測紅外輻射的設(shè)備。它具備高精度和高靈敏度，能夠在較寬的波長范圍內(nèi)有效探測紅外光。該探測器廣泛應(yīng)用于天文學(xué)、醫(yī)學(xué)、環(huán)境監(jiān)測等領(lǐng)域，幫助研究人員或?qū)I(yè)人員實現(xiàn)對紅外輻射的精確測量和分析。銦鎵砷探測器在紅外成像、光譜分析等方面發(fā)揮著重要作用。

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2024-10-18 21:46:35平板探測器分辨率
平板探測器分辨率，現(xiàn)有平板探測器分辨率：49um/66um/90um/100um/125um/139um/150um/根據(jù)不同需求選擇！安竹光電！
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2024-01-03 11:29:37cmos探測器
cmos探測器規(guī)格：50x73mm分辨率：18um
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2023-04-04 14:36:576種砷形態(tài)僅需2min，離子色譜與ICP-MS強強聯(lián)合再創(chuàng)新高
最 近用戶有個奇想，IC-ICPMS形態(tài)分析方法好是好，就是分析速度太慢，想要知道結(jié)果卻要等待很久，如果能像常規(guī)元素總量分析一樣快就好了！賽家工程師接收到需求，立刻制定方案，以最 受關(guān)注的砷元素形態(tài)為對象，采用賽默飛兩大優(yōu)勢產(chǎn)品離子色譜和ICP-MS，強強聯(lián)合，爭取在最 短的時間內(nèi)分離分析六種常見砷形態(tài)。要知道賽默飛曾經(jīng)采用一根離子色譜柱和簡單的流動相在900s之內(nèi)就將10種砷形態(tài)分離分析，這次的任務(wù)有信心一定能夠完成。想要元素形態(tài)分析速度快有以下幾個方面可以努力：（1）縮小柱后死時間；（2）提高流動相流速；（3）改變流動相梯度與濃度；（4）縮短柱子長度。賽默飛ICP-MS與IC或者LC聯(lián)用時可通過特定聯(lián)用組件將色譜柱與霧化器連接，可以最 大可能降低柱后死時間，其次如果需要同時滿足2、3、4點改進方向，關(guān)鍵在于尋找強大的分離系統(tǒng)，賽默飛的雄厚的離子色譜技術(shù)積累無疑是本次實驗成功的重要因素。經(jīng)過多次嘗試，不斷求精，終于我們的工程師在客戶現(xiàn)場支持過程中將方法優(yōu)化出來，實現(xiàn)了2min鐘分離6種As形態(tài)的想法，真正讓元素形態(tài)分析達到了元素總量分析的速度。砷為重金屬元素之一，該元素造成的污染問題日益受到重視，許多法規(guī)均對砷的限量進行了嚴(yán)格地規(guī)定。但是，目前已知環(huán)境中的砷形態(tài)種類超過30種以上，而砷的毒性與生物活性很大程度上取決于其形態(tài)。在環(huán)境、食品、醫(yī)學(xué)樣品中通常存在的幾種砷形態(tài)毒性大小依次為：As（Ⅲ）＞ As（V）＞ DMA ＝ MMA ＞ AsC ＞ AsB。此外，某些砷化合物如硝苯砷酸、阿散酸、卡巴胂、洛克沙胂被廣泛作為家禽的生長促進劑與抗 菌劑添加到飼中。目前因其遷移性及對環(huán)境、人體的潛在毒性，已引起廣泛關(guān)注，相關(guān)行業(yè)均制定了嚴(yán)格限量規(guī)定，最 新的食品污染物限量標(biāo)準(zhǔn)GB2762-2022中也增加了食用菌及其制品、油脂及其制品、復(fù)合調(diào)味料等類別的無機砷限量。文末總結(jié)砷的元素形態(tài)分析不止于簡單的三價砷和五價砷的測定，越來越多的涉及到DMA、MMA、AsC和AsB的檢測。目前已有大量測定砷形態(tài)的標(biāo)準(zhǔn)方法發(fā)布實施，檢測方法相對成熟，但是普遍分離時間較長，那么能夠在2min內(nèi)實現(xiàn)6種砷形態(tài)的分析可以大大提高實驗室分析效率，節(jié)省氬氣成本和時間成本。針對砷形態(tài)分析，賽默飛不僅能夠提供最 多的砷形態(tài)種類分析方法，還能夠提供最快的砷形態(tài)分析速度，同時賽默飛也在不斷優(yōu)化精進實驗方案，以滿足用戶更多的需求。
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2020-03-10 13:47:31新型砷化鎵等離子體太赫茲探測器：新的發(fā)現(xiàn)增強了頻率響應(yīng)優(yōu)化的
新型砷化鎵等離子體太赫茲探測器：新的發(fā)現(xiàn)增強了頻率響應(yīng)優(yōu)化的能力TERASENSE推出一項新的太赫茲成像技術(shù)，這在某些方面很不尋常的是它與半導(dǎo)體測輻射熱計和外差探測器都沒有關(guān)系。我們的技術(shù)是基于制造像素的砷化鎵半導(dǎo)體，而像素本身代表高速等離子體太赫茲探測器，與其他類型的傳感器不同，它能夠在室溫環(huán)境下工作。當(dāng)然，跟其他領(lǐng)域一樣，太赫茲成像技術(shù)知識沒有邊界，還有更多東西有待發(fā)現(xiàn)。擁有先進的研究實驗室的TERASENSE科學(xué)家們一直在不斷努力學(xué)習(xí)有關(guān)其產(chǎn)品的更多信息，并且Z近取得了如下所述的另一項突破。我們的許多客戶已經(jīng)知道，我們的太赫茲傳感器陣列/成像攝像機中使用的太赫茲檢測器是寬帶類型的，這使他們能夠在50 GHz至700 GHz整個認(rèn)證范圍內(nèi)拾取輻射。 但是，我們的探測器的靈敏度（即測得的頻率響應(yīng)）不是單調(diào)的，因此不代表連續(xù)曲線。 由于檢測器的檢測器基板（即內(nèi)部的晶體）內(nèi)部存在輻射干擾，因此其響應(yīng)度由多個峰和滴組成。 這是我們的新想法，并始終告訴客戶，我們的專家可以在制造階段調(diào)整響應(yīng)度曲線中Z大值的位置，以與客戶喜歡的頻率相匹配。除此之外，并以此為基礎(chǔ)，Igor Kukushkin教授帶領(lǐng)了一批均有固態(tài)物理學(xué)博士學(xué)位的年輕科學(xué)家Z近開展了一項研究項目，旨在更深入地研究我們的單像素GaAs等離子體激元太赫茲檢測器在各種次太赫茲頻率上的振蕩行為。 結(jié)果，他們在THz檢測器的基板厚度與在某些頻率下可以達到的實際頻率響應(yīng)和靈敏度Z大值之間建立了明確的依存關(guān)系。他們的研究表明，由檢測器基板內(nèi)部的電磁波干擾引起的這種頻率依賴性可以有效地用于簡單地通過調(diào)整基板厚度來優(yōu)化所需的工作頻率。 它既適用于作為離散元件的單像素（點）太赫茲檢測器，又適用于我們的傳感器陣列/太赫茲成像相機（作為一組點檢測器）。 這里發(fā)布的圖片顯示了一些頻率響應(yīng)隨基片厚度變化的關(guān)鍵圖。而且，他們的研究表明，安裝在這種單像素太赫茲檢測器上的半球形硅透鏡可以有效地YZ基板內(nèi)的干擾，因此，這可以幫助我們獲得更均勻和可預(yù)測的頻率響應(yīng)。下圖顯示了用于測量我們的點THz檢測器的頻率響應(yīng)的實驗設(shè)置的元素。 我們使用了一些BWO信號源來生成65 GHz–384 GHz和530–710 GHz頻率范圍內(nèi)的CW測試信號。在384 GHz - 530 GHz之間的頻率跨度沒有被檢測僅僅是因為缺乏相應(yīng)的連續(xù)波源，但我們的研究人員認(rèn)為，我們的THz探測器在該領(lǐng)域仍然是敏感的。歡迎您仔細閱讀我們在上發(fā)表的新型的GaAs等離子體激元太赫茲檢測器的頻率響應(yīng)的優(yōu)化（A.V.Shchepetilnikov等人）的文章，該文章于2019年11月12日在Springer Science（Springer Nature 2019的一部分）上在線發(fā)布。（光學(xué)和量子電子（2019）51：376 https://doi.org/10.1007/s11082-019-2093-4）這項發(fā)現(xiàn)的實際含義很難被高估，因為它將有助于改進THz成像技術(shù)，以用于諸如工業(yè)NDT中的實時THz成像以及安全性篩選和電信等應(yīng)用領(lǐng)域。由于我們的技術(shù)采用了廣泛用于半導(dǎo)體生產(chǎn)的標(biāo)準(zhǔn)工藝以進行批量生產(chǎn)，因此我們可以要求合理的價格并確保高性能和快速響應(yīng)率。毫無疑問，我們科學(xué)家的成就將幫助我們更好地滿足客戶未來的需求，并簡化我們產(chǎn)品的開發(fā)過程。其他太赫茲探測器產(chǎn)品>> 高萊盒探測器 Golay Cell >> 太赫茲功率計 TK-100>> 太赫茲熱電功率計 太赫茲功率計>> 太赫茲電光取樣探測系統(tǒng) EOD>> 太赫茲掃描法布里-珀羅干涉儀>> 太赫茲熱釋電探測器 太赫茲熱釋電功率計>> 太赫茲時域脈沖探測模塊
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2020-03-04 15:21:52新型砷化鎵等離子體太赫茲探測器：新的發(fā)現(xiàn)增強了頻率響應(yīng)優(yōu)化的能力
當(dāng)然，跟其他領(lǐng)域一樣，太赫茲成像技術(shù)知識沒有邊界，還有更多東西有待發(fā)現(xiàn)。擁有先進的研究實驗室的TERASENSE科學(xué)家們一直在不斷努力學(xué)習(xí)有關(guān)其產(chǎn)品的更多信息，并且Z近取得了如下所述的另一項突破。除此之外，并以此為基礎(chǔ)，Igor Kukushkin教授帶領(lǐng)了一批均有固態(tài)物理學(xué)博士學(xué)位的年輕科學(xué)家Z近開展了一項研究項目，旨在更深入地研究我們的單像素GaAs等離子體激元太赫茲檢測器在各種次太赫茲頻率上的振蕩行為。 結(jié)果，他們在THz檢測器的基板厚度與在某些頻率下可以達到的實際頻率響應(yīng)和靈敏度Z大值之間建立了明確的依存關(guān)系。而且，他們的研究表明，安裝在這種單像素太赫茲檢測器上的半球形硅透鏡可以有效地YZ基板內(nèi)的干擾，因此，這可以幫助我們獲得更均勻和可預(yù)測的頻率響應(yīng)。>> 太赫茲功率計 TK-100>> 太赫茲電光取樣探測系統(tǒng) EOD>> 太赫茲熱釋電探測器 太赫茲熱釋電功率計
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