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2026-04-01 11:14:08無掩模光刻機: 無掩膜光刻機，又稱激光直寫光刻機，無需掩模版即可在多種襯底上直接光刻，實現(xiàn)亞微米級圖形加工。它具有靈活度高、成本低、分辨率可達微米或亞微米級等特點，支持多種圖形設(shè)計文件導入，廣泛應用于光學、材料、微電子等領(lǐng)域，適用于實驗室及科研機構(gòu)進行微納尺度加工研究。

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無掩模光刻機資訊

喜報！--昊量光電喜獲法國Microlight3D DMD無掩模光刻機獨家代理！

上海昊量光電設(shè)備有限公司自2023年1月1日正式成為Microlight3D公司SMART PRINT UV系列DMD無掩光刻系統(tǒng)的中國區(qū)獨JIA代理商

 上海昊量光電設(shè)備有限公司 625
2023-02-20
昊量光電 Microlight3D DMD無掩模光刻機
Microlight3D推出新一代智能UV打印系統(tǒng)——全新DMD無掩模光刻機

 上海昊量光電設(shè)備有限公司 1862
2021-02-25
新型激光直寫無掩模光刻機在孚光精儀發(fā)布問世

 孚光精儀（香港）有限公司 2178
2014-06-09

無掩模光刻機文章

無掩模光刻機

托托科技無掩模光刻機，以其革命性的技術(shù)革新，為微電子、集成電路等制造領(lǐng)域帶來了靈活性和高效率，能在科學研究、定制化生產(chǎn)、快速原型制造，還是在電子器件、生物醫(yī)藥、光學元件、微機械等眾多領(lǐng)域提供解決方案。

托托科技（蘇州）有限公司 230
2025-02-21
光刻技術(shù)無掩模光刻機激光直寫
為生命科學定制“芯”利器 | 托托科技BIO機型無掩模光刻機

在生命科學領(lǐng)域，微流控芯片被譽為“芯片實驗室”，正驅(qū)動著生物分析、藥物篩選和臨床診斷技術(shù)的飛速革新。然而，一枚高性能的微流控芯片，其核心在于模具的精度與品質(zhì)。

托托科技（蘇州）有限公司 28
2026-04-01
托托科技無掩模紫外光刻機無掩模光刻機
解鎖更高良率，托托科技無掩模光刻機攻克套刻誤差難題

套刻誤差（Overlay Error）是半導體制造中衡量不同工藝層圖形對準精度的關(guān)鍵參數(shù)，主要出現(xiàn)在多層芯片結(jié)構(gòu)的光刻工藝中。當前層圖形與參考層圖形在平面位置發(fā)生偏差時，即產(chǎn)生套刻誤差。

托托科技（蘇州）有限公司 265
2025-09-28
無掩模光刻機套刻誤差準確套刻
無掩模光刻機應用案例丨東華大學/上海交通大學醫(yī)學院《Advanced Materials》：離子可滲透電極賦能納米纖維織物垂直有機電化學晶體管

隨著可穿戴健康監(jiān)測與柔性電子的發(fā)展，迫切需要在低電壓、低功耗且可長期貼膚的平臺上，實現(xiàn)對微弱電生理信號的穩(wěn)定采集與高保真放大。然而，傳統(tǒng)金屬電極與剛性放大電路在透氣性、機械適配性及抗運動干擾方面存在局

 托托科技（蘇州）有限公司 94
2026-01-27
無掩模光刻機柔性電子可穿戴健康監(jiān)測
客戶成果丨復旦大學《Advanced Functional Materials》：基于全耗盡T-MoS2MoTe2B-MoS2異質(zhì)結(jié)的高性能偏振敏感光電探測器

復旦大學微電子學院王競立青年副研究員、香港理工大學蔣西西博士、中南大學鐘棉增副教授在新型光電探測器領(lǐng)域中取得新進展，該研究成果以《High-Performance Polarization-Sens

托托科技（蘇州）有限公司 273
2025-11-25
光電探測器光刻機無掩模光刻機

無掩模光刻機產(chǎn)品

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: 無掩模光刻機，激光直寫系統(tǒng); 國外亞洲; 面議; 科睿設(shè)備有限公司
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無掩模光刻機問答

2021-11-29 11:06:02Tip 10000ul吸嘴無DNA酶無RNA酶無熱源吸頭: Tip 10000ul吸嘴無DNA酶無RNA酶無熱源吸頭，大口本生(天津)健康科技有限公司：http://www.bunsen17.com/ 本生生物供應：光度計，檢測儀，免疫儀，全系熒光定量PCR耗材，移液器，鉆石吸嘴，離心管，凍存管，培養(yǎng)皿，培養(yǎng)板，培養(yǎng)瓶，吸頭，儀器及手套，色譜耗材，針頭過濾器。產(chǎn)品名稱：Tip 10000ul吸嘴，無色，無DNA酶無RNA酶無熱源，袋裝非滅菌，大口產(chǎn)品規(guī)格：100支/包，10包/箱（1000支/箱）CG編號產(chǎn)品描述包裝規(guī)格通用型移液器吸嘴，BASIX加長吸嘴23-2033 Tip 10000ul吸嘴，無色，無DNA酶無RNA酶無熱源，袋裝非滅菌，大口 100支/包，10包/箱（1000支/箱）Tip 10000ul吸嘴無DNA酶無RNA酶無熱源吸頭適應客戶：醫(yī)院檢驗科PCR實驗室，實驗室；第三方檢測機構(gòu)，科研院所，大專院校，制藥廠，試劑生產(chǎn)廠家，疾控，檢驗檢疫。

2022-07-23 13:08:19改用無目鏡體視顯微鏡的7大理由: 1.更大的頭部活動自由度從固定的頭部姿勢中獲得解放當使用傳統(tǒng)的體視顯微鏡時，使用者必須嚴格限制頭部的活動，否則瞳孔和目鏡之間錯位，無法看清楚放大后的圖像。由無目鏡光學技術(shù)擴大的出射光瞳，無目鏡體視顯微鏡令用戶從固定的頭部姿勢中獲得解放。操作人員可以任意左右移動頭部，緩解頭部固定姿勢所造成的壓力與疲勞，尤其是當用戶長時間使用顯微鏡時。 2.保持舒適的身體姿勢增強用戶舒適度從而提高產(chǎn)能顯微鏡觀測工作對操作者的骨骼提出了苛刻的要求。當操作人員感到不適或緊張時，觀測準確性和工作效率都會受到影響。傳統(tǒng)的顯微鏡操作人員必須保持一個不自然的、固定的身體姿勢，以確保他們的眼睛與目鏡保持一致。長時間保持一個固定姿勢會導致身體疲勞，并可能導致嚴重的頸部和背部問題，以及其他更多健康問題。一項記錄長期使用顯微鏡影響的研究發(fā)現(xiàn)，78%的傳統(tǒng)顯微鏡操作人員伴有頸部疲勞*。這是由于頭部長時間保持傾斜，比如與垂直方向成30度，導致了明顯的肌肉收縮、疲勞和疼痛。 3.操作目標物時不易失焦增強手眼協(xié)調(diào)并易于操作目標物在普通顯微鏡下使用工具或操作目標物時，手眼協(xié)調(diào)總是一個巨大挑戰(zhàn)。當使用傳統(tǒng)顯微鏡時，手眼協(xié)調(diào)有時很困難，因為眼睛和目鏡之間的距離很短，限制了周邊視覺。使用無目鏡顯微鏡系統(tǒng)的操作人員可以坐在離顯微鏡更遠的地方，允許更大的周邊視覺，因此提高了以更安全、更直觀的方式使用手和操作工具的能力。 4.減少眼部壓力及頭痛減少眼部壓力疲勞94%的顯微鏡使用者據(jù)報告有視力問題或眼部多重問題，包括頭痛和眼睛干澀等。有三個主要原因可以解釋為什么這么多顯微鏡使用者會有這種不適：數(shù)據(jù)來源:1. Thompson SK, Mason E, Dukes S，人體工程學和細胞技術(shù)學家：報告的肌肉骨骼不適。 Diagn Cytopathol.2003;29:364 – 367。 2. Garima Jain and Pushparaja Shetty，與經(jīng)常使用顯微鏡有關(guān)的職業(yè)關(guān)切:《國際職業(yè)醫(yī)學與環(huán)境衛(wèi)生雜志》2014;27(4):591-598。 3. Fritzsche et al.; licensee BioMed Central Ltd. 2012。 5.可佩戴眼鏡及護目鏡視距及其如何影響佩戴眼鏡的操作者眼鏡佩戴者在使用傳統(tǒng)目鏡顯微鏡時可能會遇到困難，無法獲得清晰無阻的視野。這是因為每只眼睛都必須對準目鏡形成圖像的位置。這個點被稱為“出射光瞳”，通常直徑在3毫米到5毫米之間，并不比正常光線下的瞳孔直徑大多少。當出射光瞳完全覆蓋眼睛瞳孔并毫無阻礙地保持在該位置時，才可以獲得清晰的觀察圖像。大多數(shù)顯微鏡用戶需要直接接觸顯微鏡目鏡，以保持正確的觀察位置和保持圖像在視線內(nèi)。戴眼鏡的用戶，當他們的眼睛不能足夠接近出射光瞳位置時，問題就出現(xiàn)了。這種情況下，圖像聚焦，但視野受到限制，很難保持出射光瞳覆蓋（或位于）瞳孔直徑。此外，用戶位置的輕微偏移可能導致視野中產(chǎn)生陰影。視距是操作員需要保持的與目鏡之間的距離，以便使出射光瞳與自己的瞳孔對齊。出射光瞳越小，則為了清晰看到圖像所需要保持的距離越小。需要佩戴眼鏡的操作人員，至少需要18 – 20毫米的視距區(qū)域，以方便佩戴眼鏡。無目鏡體視顯微鏡擴大了出射光瞳直徑，達38毫米。視距越大，留給佩戴眼鏡或護目鏡的空間就越大。 6.減少交叉感染將健康和安全作為優(yōu)先事項如今，越來越多的公司把員工的健康和安全作為優(yōu)先考慮的問題。與目鏡顯微鏡相比，無目鏡顯微鏡具有顯著的健康益處。除了符合人機工學的優(yōu)點外，無目鏡體視顯微鏡在最大限度減少交叉污染方面也有明顯的優(yōu)勢：使用者的眼睛與儀器設(shè)備沒有接觸，大大降低了共用設(shè)備帶來的感染風險，佩戴防護目鏡或面罩也不會限制使用及操作。適用于多用戶之間共享使用，無目鏡顯微鏡系統(tǒng)僅需最小的調(diào)整，近乎無接觸式的操作，確保員工在工作場所的健康安全，而不會影響觀測檢查工作進程和生產(chǎn)率。由于無目鏡顯微鏡有更長的視距，它們可以用于在層流柜中觀測敏感材料，以防止污染。7.具有成本效益的解決方案考慮真正的擁有成本在考慮體視顯微鏡時，光學、放大、照明和人體工程學等技術(shù)的進步最有可能影響決定。其他還需要考慮的是高質(zhì)量顯微鏡帶來的好處，以及購買低質(zhì)量顯微鏡如何影響時間和成本。質(zhì)量差成本高。一般而言，一個公司因浪費、返工和保修造成的損失平均為10%。如果質(zhì)量標準不提高，制造商的聲譽就會受損。當由于供應鏈材料質(zhì)量不佳而未能在截止日期前完成生產(chǎn)，或由于員工健康狀況而導致生產(chǎn)延誤時，公司也可能發(fā)生虧損。由于工人必須長時間保持眼鏡盯著同一位置，他們經(jīng)常會感到眼睛疲勞、頭痛和眼睛不適，需要多次休息來緩解，這占用了工作時間。無目鏡顯微鏡提供了一個理想解決方案，提高用戶的舒適度，這將大大提高產(chǎn)能和生產(chǎn)率。從長遠來看，一個不太昂貴的顯微鏡的“真正成本”，可能會更貴。沒有必要買比所需更多更花哨的東西，然而，重要的是要提前思考，考慮業(yè)務可能會如何變化和增長，以及一些無形的東西，比如如果不能提供高質(zhì)量產(chǎn)品時，用于修復聲譽的成本。

2023-06-26 14:52:50無損無接觸定量評價！GaN晶體質(zhì)量評估新思路——ODPL法！: 隨著疫情三年的結(jié)束，大家又開始馬不停蹄出差、旅游、返鄉(xiāng)，生活的壓力讓人喘不過氣。更別提出行的時候，還需要背一個很沉的電腦，以及與它適配的、同樣很沉的、形狀不規(guī)律的、看著就很糟心的電源適配器！有沒有一種東西，能夠讓大家的出行變得更加輕松（物理上）？那必須是現(xiàn)在越來越流行的氮化鎵（GaN）充電器了！一個氮化鎵充電器幾乎可以滿足所有出行充電的需求，并且占地空間小，簡直是出行神器！圖1 氮化鎵（GaN）充電器氮化鎵是一種無機物，化學式GaN，是氮和鎵的化合物，一種直接能隙（direct bandgap）的半導體材料。GaN材料具有寬禁帶、高臨界電場強度和高電子飽和速度等特點，其器件耐高溫、耐高壓、高頻和低損耗，大大提升電力器件集成度，簡化了電路設(shè)計和散熱支持，具有重要的價值和廣泛的應用，是現(xiàn)在最火熱的第三代半導體材料，沒有之一。GaN的應用不止在流行的充電器上，早在2014年日本科學家天野浩就憑借基于GaN材料的藍光LED獲得了諾貝爾獎。不過GaN就沒有缺點了嗎？或者說GaN沒有改善的地方了嗎？并不是， GaN技術(shù)的難點在于晶圓制備工藝。由于制備GaN的單晶材料無法從自然界中直接獲取，所以GaN的主要制備方法是在藍寶石、碳化硅、硅等異質(zhì)襯底上進行外延。而現(xiàn)在由異質(zhì)外延生長的GaN普遍存在大量缺陷的問題。缺陷的存在勢必會影響到晶體的質(zhì)量，從而影響到材料和器件的電學性能，最終影響到未來半導體科技的快速發(fā)展。因此，降低GaN晶體里面的缺陷量，提高晶體質(zhì)量，是當前第三代半導體領(lǐng)域研究很重要的一個課題。GaN晶體質(zhì)量/缺陷評估的方法GaN晶體里面的雜質(zhì)、缺陷是非常錯綜復雜的，無法單純通過某一項缺陷濃度或者雜質(zhì)含量來定量描述GaN晶體是否是高質(zhì)量，因此現(xiàn)在評價GaN晶體質(zhì)量的手段比較有限。根據(jù)現(xiàn)有的報道，大致有以下幾種：多光子激發(fā)光致發(fā)光法（Multiphoton-excitation photoluminescence method，簡稱MPPL）、蝕坑觀察法（Etch pit method）以及二次離子質(zhì)譜（Secondary-ion mass spectrometry，簡稱SIMS)。MPPL法多光子激發(fā)光致發(fā)光法采用長波長激發(fā)，遠大于帶邊熒光波長。激發(fā)過程需要同時吸收二個或者多個光子。通過吸收多個脈沖光子，在導帶和價帶形成電子空穴對，隨后非輻射馳豫到導帶底和價帶頂,最后產(chǎn)生帶邊發(fā)光和缺陷發(fā)光。通過濾波片獲得帶邊和缺陷發(fā)光光譜和光強，改變?nèi)肷涔獍叩奈恢?，從而得到樣品的熒光信號三維分布，即三維成像。多光子熒光三維成像技術(shù)可以識別和區(qū)分不同類型的位錯，但是無法定量評估GaN的晶體質(zhì)量，而且多光子激發(fā)的系統(tǒng)造價高。圖2 (a) Optical microscope image of etch pits. (b) 42 × 42 μm2 2D MPPL image taken at a depth of 22 μm. (c) 42 × 42 × 42 μm3 3D MPPL image, shown with contrast inverted參考文獻：Identification of Burgers vectors of threading dislocations in free-standing GaN substrates via multiphoton-excitation photoluminescence mapping' by Mayuko Tsukakoshi et al; Applied Physics Express, Volume 14, Number 5 (2021)蝕坑觀察法蝕坑觀察法通過適當?shù)那治g可以看到位錯的表面露頭，產(chǎn)生比較深的腐蝕坑，借助顯微鏡可以觀察晶體中的位錯多少及其分布。該方法只適合于位錯密度低的晶體，如果位錯密度高，蝕坑互相重疊，就很難將它們區(qū)分。并且該方法是對晶體有損傷的，做不到無損無接觸。圖3 蝕坑觀察法SIMS技術(shù)SIMS是利用質(zhì)譜法分辨一次離子入射到測試樣品表面濺射生成的二次離子而得到材料表面元素含量及分布的一種方法。SIMS可以進行包括氫在內(nèi)的全元素分析，并分辨出同位素、化合物組分和部分分子結(jié)構(gòu)的信息。二次離子質(zhì)譜儀具有ppm量級的靈敏度，最高甚至達到ppb的量級，還具有進行微區(qū)成分成像和深度剖析的功能。但是SIMS對晶體有損傷，無法做到無損。圖4 SIMS技術(shù)以上三種技術(shù)均是評估GaN晶體缺陷的方法，但是每一種都有其缺憾的地方，它們無法做到定量的去評價GaN晶體的質(zhì)量，而且具有破壞性。為了更好地定量評估GaN晶體質(zhì)量，濱松公司和日本Tohoku University的Kazunobu Kojima教授以及Shigefusa Chichibu教授從2016年開始合作研發(fā)了一套基于積分球的全向光致發(fā)光系統(tǒng)（Omnidirectional Photoluminescence，以下簡稱ODPL），該系統(tǒng)是第一個無損無接觸定量去評價GaN晶體質(zhì)量的方法/系統(tǒng)。ODPL系統(tǒng)ODPL系統(tǒng)是首個無接觸無損評價半導體材料晶體質(zhì)量的方法，通過積分球法測量半導體材料、鈣鈦礦材料的內(nèi)量子效率。該產(chǎn)品可以直接測量材料 IQE，具有制冷型背照式 CCD 高靈敏度以及高信噪比。圖5 ODPL測量方法示意圖傳統(tǒng)光致發(fā)光的量子效率測量指的是晶體的PLQY，即光致發(fā)光量子效率，其定義為：PLQY = 樣品發(fā)射的光子數(shù)/樣品吸收的光子數(shù)圖6 GaN樣品在積分球下的發(fā)射光譜PLQY是表征晶體發(fā)光效率最常見的參數(shù)之一，對于絕大多數(shù)的發(fā)光材料，PLQY都是黃金標準。但是對于GaN晶體，PLQY的表征顯得不足。上圖可見，GaN的光致發(fā)射光譜呈雙峰形狀，這是由于GaN晶體中的缺陷等，會將GaN本身發(fā)射的PL再次吸收然后發(fā)射（光子回收Photon Recycling現(xiàn)象）。圖7 ( a ) PL and ODPL spectra of the HVPE / AT - GaN crystal and ( b ) detectable light - travelling passes considered in the simulation of light extraction :(1) direct escaping from the surface :( ii ) scattered at the bottom and escaping from the surface : and ( ii ) direct eseaping from the edge .( c ) Refractive index and absorption spectra of HVPE / AT - GaN .因為存在Photon Recycling的現(xiàn)象，GaN的PLQY不足以表征其發(fā)光轉(zhuǎn)化效率，而真正可以表征GaN晶體發(fā)光轉(zhuǎn)化效率的定義是其真正的內(nèi)量子效率：IQE = 樣品產(chǎn)生的光子數(shù)/樣品吸收的光子數(shù)圖8 GaN樣品的標準發(fā)射光譜IQE是GaN晶體的PLQY考慮LEE和光子回收現(xiàn)象以后的參數(shù)，更能直觀、定量反映GaN晶體的質(zhì)量。圖9 高IQE和低IQE晶體的對比高IQE的GaN晶體通常表現(xiàn)為：高載流子濃度、低穿透位錯密度、低雜質(zhì)濃度、低點缺陷濃度、高激發(fā)功率密度。圖10 不同穿透位錯密度晶體的IQE結(jié)果對比免費樣機預約ODPL現(xiàn)在ODPL樣機開放免費預約試用活動，有意向的客戶請在評論區(qū)留言“樣機試用”小編看到之后會第一時間與您聯(lián)系，樣機數(shù)量有限，先到先得喲~圖11 ODPL樣機展示以上有關(guān)新品的信息已經(jīng)全部介紹完畢了，如有任何疑問，歡迎在評論區(qū)留言喲。