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2025-01-10 10:52:26低溫等離子廢氣處理設(shè)備: 低溫等離子廢氣處理設(shè)備是一種高效的空氣凈化設(shè)備，利用低溫等離子體技術(shù)處理工業(yè)廢氣。它通過產(chǎn)生高能電子和活性自由基，與廢氣中的污染物發(fā)生化學反應，將其分解為無害物質(zhì)，如二氧化碳和水。該設(shè)備具有處理效率高、能耗低、操作簡便、適用范圍廣等優(yōu)點，能有效去除VOCs、臭氣、油煙等污染物，廣泛應用于印刷、噴涂、化工、制藥等行業(yè)，助力企業(yè)實現(xiàn)廢氣達標排放和環(huán)保生產(chǎn)。

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低溫等離子廢氣處理設(shè)備問答

2021-11-30 09:41:21什么是低溫等離子設(shè)備？: 冰升溫至0℃會變成水，如繼續(xù)使溫度升至100℃，那么水就會沸騰成為水蒸氣。隨著溫度的上升，物質(zhì)的存在狀態(tài)一般會呈現(xiàn)出固態(tài)→液態(tài)→氣態(tài)三種物態(tài)的轉(zhuǎn)化過程，我們把這三種基本形態(tài)稱為物質(zhì)的三態(tài)。那么對于氣態(tài)物質(zhì)，溫度升至幾千度時，將會有什么新變化呢? 由于物質(zhì)分子熱運動加劇，相互間的碰撞就會使氣體分子產(chǎn)生電離，這樣物質(zhì)就變成由自由運動并相互作用的正離子和電子組成的混合物（蠟燭的火焰就處于這種狀態(tài)）。我們把物質(zhì)的這種存在狀態(tài)稱為物質(zhì)的第四態(tài)，即等離子體(plasma)。因為電離過程中正離子和電子總是成對出現(xiàn)，所以等離子體中正離子和電子的總數(shù)大致相等，總體來看為準電中性。反過來，我們可以把等離子體定義為：正離子和電子的密度大致相等的電離氣體。從剛才提到的微弱的蠟燭火焰，我們可以看到等離子體的存在，而夜空中的滿天星斗又都是高溫的完全電離等離子體。據(jù)印度天體物理學家沙哈(M．Saha，1893-1956)的計算，宇宙中的99.9%的物質(zhì)處于等離子體狀態(tài)。而我們居住的地球倒是例外的溫度較低的星球。此外，對于自然界中的等離子體，我們還可以列舉太陽、電離層、極光、雷電等。在人工生成等離子體的方法中，氣體放電法比加熱的辦法更加簡便高效，諸如熒光燈、霓虹燈、電弧焊、電暈放電等等。在自然和人工生成的各種主要類型的等離子體的密度和溫度的數(shù)值，其密度為106（單位：個／m3）的稀薄星際等離子體到密度為1025的電弧放電等離子體，跨越近20個數(shù)量級。其溫度分布范圍則從100K的低溫到超高溫核聚變等離子體108-109K（1-10億度）。溫度軸的單位eV(electron volt)是等離子體領(lǐng)域中常用的溫度單位，1eV=11600K。通常，等離子體中存在電子、正離子和中性粒子(包括不帶電荷的粒子如原子或分子以及原子團)等三種粒子。設(shè)它們的密度分別為ne,ni,nn，由于準電中性，所以電離前氣體分子密度為ne≈nn。于是，我們定義電離度β=ne/(ne+nn)，以此來衡量等離子體的電離程度。日冕、核聚變中的高溫等離子體的電離度都是100%，像這樣β=1的等離子體稱為完全電離等離子體。電離度大于1%(β≥10-2)的稱為強電離等離子體，像火焰中的等離子體大部分是中性粒子(β>Ti , Te>>Tn。我們把這樣的等離子體稱為低溫等離子體(cold plasma)。當然，即使是在高氣壓下，低溫等離子體還可以通過不產(chǎn)生熱效應的短脈沖放電模式即電暈放電（corona discharge）或電弧滑動噴射式放電來生成。大氣壓下的輝光放電技術(shù)目前也已成為世界各國的研究熱點?？僧a(chǎn)生大氣壓非平衡態(tài)等離子體的機理尚不清楚，在高氣壓下等離子體的輸運特性的研究也剛剛起步，現(xiàn)已形成新的研究熱點。 http://www.verdegroup.cn/ 更多詳細資料，可聯(lián)系上海爾迪儀器科技有限公司，撥打電話021-62211270！021-62211270！上海爾迪儀器科技有限公司是一家從事儀器設(shè)備銷售、技術(shù)服務與工藝開發(fā)的創(chuàng)新公司，為您提供一站式采購服務。

2021-11-16 17:32:33等離子設(shè)備：什么是低溫等離子體？: 冰升溫至0℃會變成水，如繼續(xù)使溫度升至100℃，那么水就會沸騰成為水蒸氣。隨著溫度的上升，物質(zhì)的存在狀態(tài)一般會呈現(xiàn)出固態(tài)→液態(tài)→氣態(tài)三種物態(tài)的轉(zhuǎn)化過程，我們把這三種基本形態(tài)稱為物質(zhì)的三態(tài)。那么對于氣態(tài)物質(zhì)，溫度升至幾千度時，將會有什么新變化呢? 由于物質(zhì)分子熱運動加劇，相互間的碰撞就會使氣體分子產(chǎn)生電離，這樣物質(zhì)就變成由自由運動并相互作用的正離子和電子組成的混合物（蠟燭的火焰就處于這種狀態(tài)）。我們把物質(zhì)的這種存在狀態(tài)稱為物質(zhì)的第四態(tài)，即等離子體(plasma)。因為電離過程中正離子和電子總是成對出現(xiàn)，所以等離子體中正離子和電子的總數(shù)大致相等，總體來看為準電中性。反過來，我們可以把等離子體定義為：正離子和電子的密度大致相等的電離氣體。從剛才提到的微弱的蠟燭火焰，我們可以看到等離子體的存在，而夜空中的滿天星斗又都是高溫的完全電離等離子體。據(jù)印度天體物理學家沙哈(M．Saha，1893-1956)的計算，宇宙中的99.9%的物質(zhì)處于等離子體狀態(tài)。而我們居住的地球倒是例外的溫度較低的星球。此外，對于自然界中的等離子體，我們還可以列舉太陽、電離層、極光、雷電等。在人工生成等離子體的方法中，氣體放電法比加熱的辦法更加簡便GX，諸如熒光燈、霓虹燈、電弧焊、電暈放電等等。在自然和人工生成的各種主要類型的等離子體的密度和溫度的數(shù)值，其密度為106（單位：個／m3）的稀薄星際等離子體到密度為1025的電弧放電等離子體，跨越近20個數(shù)量級。其溫度分布范圍則從100K的低溫到超高溫核聚變等離子體的108-109K（1-10億度）。溫度軸的單位eV(electron volt)是等離子體領(lǐng)域中常用的溫度單位，1eV=11600K。通常，等離子體中存在電子、正離子和中性粒子(包括不帶電荷的粒子如原子或分子以及原子團)等三種粒子。設(shè)它們的密度分別為ne,ni,nn，由于準電中性，所以電離前氣體分子密度為ne≈nn。于是，我們定義電離度β=ne/(ne+nn)，以此來衡量等離子體的電離程度。日冕、核聚變中的高溫等離子體的電離度都是1**%，像這樣β=1的等離子體稱為完全電離等離子體。電離度大于1%(β≥10-2)的稱為強電離等離子體，像火焰中的等離子體大部分是中性粒子(β>Ti , Te>>Tn。我們把這樣的等離子體稱為低溫等離子體(cold plasma)。當然，即使是在高氣壓下，低溫等離子體還可以通過不產(chǎn)生熱效應的短脈沖放電模式即電暈放電（corona discharge）或電弧滑動噴射式放電來生成。大氣壓下的輝光放電技術(shù)目前也已成為世界各國的研究熱點?？僧a(chǎn)生大氣壓非平衡態(tài)等離子體的機理尚不清楚，在高氣壓下等離子體的輸運特性的研究也剛剛起步，現(xiàn)已形成新的研究熱點。本文轉(zhuǎn)載自上海爾迪儀器科技有限公司

2023-03-14 12:04:54等離子去膠機（Plasma Cleaner）: 等離子去膠機（Plasma Cleaner）為何要去除光刻膠？在現(xiàn)代半導體生產(chǎn)過程中，會大量使用光刻膠來將電路板圖圖形通過掩模版和光刻膠的感光與顯影，轉(zhuǎn)移到晶圓光刻膠上，從而在晶圓表面形成特定的光刻膠圖形，然后在光刻膠的保護下，對下層薄膜或晶圓基底完成進行圖形刻蝕或離子注入，最后再將原有的光刻膠徹底去除。去膠是光刻工藝中的最后一步。在刻蝕/離子注入等圖形化工藝完成后，晶圓表面剩余光刻膠已完成圖形轉(zhuǎn)移和保護層的功能，通過去膠工藝進行完全清除。光刻膠去除是微加工工藝過程中非常重要的環(huán)節(jié)，光刻膠是否徹底去除干凈、對樣片是否有造成損傷，都會直接影響后續(xù)集成電路芯片制造工藝效果。半導體光刻膠去除工藝有哪些？半導體光刻膠去除工藝，一般分成兩種，濕式去光刻膠和干式去光刻膠。濕式去膠又根據(jù)去膠介質(zhì)的差異，分為氧化去膠和溶劑去膠兩種類別。干式去膠適合大部分去膠工藝，去膠徹底且速度快，是現(xiàn)有去膠工藝中zui好的方式。一、等離子去膠機簡述：氧等離子去膠是利用氧氣在微波發(fā)生器的作用下產(chǎn)生氧等離子體，具有活性的氧等離子體與有機聚合物發(fā)生氧化反應，使有機聚合物被氧化成水蒸汽和二氧化碳等排除腔室，從而達到去除光刻膠的目的，這個過程我們有時候也稱之為灰化或者剝離。氧等離子去膠相比于濕法去膠工藝更為簡單、適應性更好，去膠過程純干法工藝，無液體或者有機溶劑參與。當然我們需要注意的是，這里并不是說氧等離子去膠工藝100%好于濕法去膠，同時也不是所有的光刻膠都適用于氧等離子去膠，以下幾種情形我們需要注意：① 部分穩(wěn)定性極高的光刻膠如SU-8、PI（聚酰亞胺），往往膠厚也比較大，純氧等離子體去膠速率也比較有限，為了保證快速去膠，往往還會在工藝氣體中增加氟基氣體增加去膠速率，因此不只是氧氣是反應氣體，有時候我們也需要其他氣體參與；② 涂膠后形成類非晶態(tài)二氧化硅的HSQ光刻膠。由于其構(gòu)成并不是單純的碳氫氧，所以是無法使用氧等離子去膠機來實現(xiàn)去膠；③ 當我們的樣品中有其他需要保留的結(jié)構(gòu)層本身就是有機聚合物構(gòu)成的，在等離子去膠的過程中，這些需要保留的層也可能會在氧等離子下發(fā)生損傷；④ 樣品是由容易氧化的材料或者有易氧化的結(jié)構(gòu)層，氧等離子去膠過程，這些材料也會被氧化，如金屬AG、C、CR、Fe以及Al，非金屬的石墨烯等二維材料；市面上常見氧等離子去膠機按照頻率可分為微波等離子去膠機和射頻等離子去膠機兩種，微波等離子去膠機的工作頻率為2.45GHz，射頻等離子去膠機的工作頻率為13.5MHz，更高的頻率決定了等離子體擁有更高的離子濃度、更小的自偏壓，更高的離子濃度決定了去膠速度更快，效率更高；更低的自偏壓決定了其對襯底的刻蝕效應更小，也意味著去膠過程中對襯底無損傷，而射頻等離子去膠機其工作原理與刻蝕機相似，結(jié)構(gòu)上更加簡單。因此，在光電器件的加工中，去膠機的選擇更推薦使用損傷更小的微波等離子去膠機。二、等離子清洗去膠機的工作原理：氧氣是干式等離子體脫膠技術(shù)中的首要腐蝕氣體。它在真空等離子體脫膠機反應室內(nèi)高頻和微波能的作用下，電離產(chǎn)生氧離子、自由氧原子O*、氧分子和電子混合的等離子體，其間氧化能力強的自由氧原子（約10-20%）在高頻電壓作用下與光刻膠膜發(fā)生反應：O2→O*+O*，CxHy+O*→CO2↑+H2O↑。反應后產(chǎn)生的CO2和H2O然后被抽走。三、等離子去膠機的優(yōu)勢：1、等離子清洗機的加工過程易于控制、可重復且易于自動化；使用等離子掃膠機可以使得清洗效率獲得更大的提高。整個清洗工藝流程幾分鐘內(nèi)即可完成，因此具有產(chǎn)率高的特點2、等離子掃膠機清洗對象經(jīng)等離子清洗之后是干燥的，不需要再經(jīng)干燥處理即可送往下一道工序，可以提高整個工藝流水線的處理效率；3、等離子掃膠機使得用戶可以遠離有害溶劑對人體的傷害，同時也避免了濕法清洗中容易洗壞清洗對象的問題；4、避免使用ODS有害溶劑，這樣清洗后不會產(chǎn)生有害污染物，因此這種清洗方法屬于環(huán)保的綠色清洗方法；5、等離子去膠機采用無線電波范圍的高頻產(chǎn)生的等離子體與激光等直射光線不同，等離子體的方向性不強，這使得它可以深入到物體的微細孔眼和凹陷的內(nèi)部完成清洗任務，因此不需要過多考慮被清洗物體的形狀；6、等離子去膠機在完成清洗去污的同時，還可以改良材料本身的表面性能，如提高表面的潤濕性能、改良膜的黏著力等，這在許多應用中都是非常重要的。四、等離子去膠的主要影響因素：頻率選擇：頻率越高，氧越易電離形成等離子體。頻率太高，以至電子振幅比其平均自由程還短，則電子與氣體分子碰撞幾率反而減少，使電離率降低。一般常用頻率為 13.56MHz及2.45GHZ 。功率影響：對于一定量的氣體，功率大，等離子體中的的活性粒子密度也大，去膠速度也快；但當功率增大到一定值，反應所能消耗的活性離子達到飽和，功率再大，去膠速度則無明顯增加。由于功率大，基片溫度高，所以應根據(jù)工藝需要調(diào)節(jié)功率。真空度的選擇：適當提高真空度，可使電子運動的平均自由程變大，因而從電場獲得的能量就大，有利電離。另外當氧氣流量一定時，真空度越高，則氧的相對比例就大，產(chǎn)生的活性粒子濃度也就大。但若真空度過高，活性粒子濃度反而會減小。氧氣流量的影響：氧氣流量大，活性粒子密度大，去膠速率加快；但流量太大，則離子的復合幾率增大，電子運動的平均自由程縮短，電離強度反而下降。若反應室壓力不變，流量增大，則被抽出的氣體量也增加，其中尚沒參加反應的活性粒子抽出量也隨之增加，因此流量增加對去膠速率的影響也就不甚明顯。五、等離子去膠機的應用：1、光刻膠的去除、剝離或灰化2、SU-8的去除/ 犧牲層的去除3、有機高分子聚合物的去除4、等離子去除殘膠/去浮渣/打底膜5、失效分析中的扁平化處理6、表面沾污清除和內(nèi)腐蝕（深腐蝕）應用7、清洗微電子元件，電路板上的鉆孔或銅線框架8、剝離金屬化工藝前去除浮渣9、提高黏附性，消除鍵合問題10、塑料的表面改型：O2處理以改進涂覆性能11、產(chǎn)生親水或疏水表面

2024-04-26 11:21:59空氣消毒機除了等離子紫外線臭氧還有其他消毒方式嗎: 空氣消毒機除了等離子紫外線臭氧還有其他方式嗎？

2021-03-15 15:57:25VOCs廢氣處理設(shè)備使用過程中的注意事項: VOCs廢氣處理設(shè)備安裝后，需要定期維護和保養(yǎng)，以保證其長期正常運行。如果在使用過程中遇到的一些問題得不到正確的處理，可能會導致更嚴重的設(shè)備故障。本文介紹了VOCs廢氣處理設(shè)備在使用過程中應注意的事項。在使用VOCs廢氣處理設(shè)備時，應及時檢查吸附劑中的酸堿濃度，發(fā)現(xiàn)酸濃度過高時應及時更換吸附劑。VOCs廢氣處理設(shè)備附近應保持清潔衛(wèi)生。經(jīng)常檢查吸收塔噴涂是否堵塞，如果堵塞應及時清洗，還是要對塔進行清洗。VOCs廢氣處理設(shè)備凈化塔的吸收液通過罐體加入。液位在入口液位上。設(shè)備運行后，部分液體進入循環(huán)系統(tǒng)，再次加入，使其達到進氣水平。在使用過程中應觀察吸收性液體的使用情況，當發(fā)現(xiàn)吸收量增加時，應每8小時檢查一次液體的吸收情況，而缺乏時間的情況則增加。揮發(fā)性廢氣處理設(shè)備停止運行后，停止風機1-2分鐘，循環(huán)泵停止運行。啟動泵2-3分鐘，啟動風機。