電子束曝光指利用聚焦電子束在光刻膠上制造圖形的工藝 ， 是光刻工藝的延伸應(yīng)用 。 電子束曝光系統(tǒng)是實(shí)現(xiàn)電子束曝光 技術(shù)的硬件平臺，系統(tǒng)的性能決定了曝光工藝關(guān)鍵尺寸、拼接和套刻精度等參數(shù)。

等離子清洗、蝕刻系統(tǒng)，PE&RIE等離子蝕刻模式,單、雙、多 模式選擇

聚對二甲苯涂層設(shè)備

桌面式等離子清洗、蝕刻系統(tǒng)，PE等離子蝕刻模式

桌面式等離子清洗、蝕刻系統(tǒng)，等離子刻蝕&反應(yīng)離子刻蝕系統(tǒng)

VIL系列納米圖形系統(tǒng)（激光干涉光刻機(jī)）具有快速可重構(gòu)光束傳輸、主動圖形穩(wěn)定和精確樣品定位等強(qiáng)大功能。該系統(tǒng)可以通過使用標(biāo)準(zhǔn)2cm×2cm正方形或用戶定義形狀的圖案場進(jìn)行重復(fù)曝光，在8英寸大面積上產(chǎn)生

通過將產(chǎn)品固定在拋光頭的較下面，拋光時，旋轉(zhuǎn)的拋光頭以一定的壓力壓在旋轉(zhuǎn)的拋光墊上，拋光液在拋光墊的傳輸和離心力的作用下，均勻分布其上，在硅片和拋光墊之間形成一層拋光液液體薄膜。

PVT碳化硅晶體生長工藝主要通過設(shè)置合適的長晶溫度以及長晶氣壓，在此溫度以及氣壓下SiC發(fā)生明顯的分解與升華，產(chǎn)生Si和SiC蒸氣壓，在高溫爐內(nèi)形成的溫度梯度作用下向低溫方向輸送并凝聚在頂部和底部較低

微波等離子體化學(xué)氣相沉積（MPCVD）系統(tǒng)，微波發(fā)生器產(chǎn)生的微波用波導(dǎo)管傳輸至反應(yīng)器，并向反應(yīng)器中通入不同氣體構(gòu)成的混合氣體，高強(qiáng)度微波能激發(fā)分解基片上方的含碳?xì)怏w形成活性含碳基團(tuán)和原子態(tài)氫，并形成等

原子層沉積（atomic layer deposition, ALD）是通過氣相前驅(qū)體及反應(yīng)物脈沖交替的通入反應(yīng)腔并在基底上發(fā)生表面化學(xué)反應(yīng)形成薄膜的一種方法

NIL壓印機(jī)的基本思想是通過模版，將圖形轉(zhuǎn)移到相應(yīng)的襯底上，轉(zhuǎn)移的媒介通常是一層很薄的聚合物膜，通過熱壓或者輻照等方法使其結(jié)構(gòu)硬化從而保留下轉(zhuǎn)移的圖形。整個過程包括壓印和圖形轉(zhuǎn)移兩個過程。

NIL壓印機(jī)的基本思想是通過模版，將圖形轉(zhuǎn)移到相應(yīng)的襯底上，轉(zhuǎn)移的媒介通常是一層很薄的聚合物膜，通過熱壓或者輻照等方法使其結(jié)構(gòu)硬化從而保留下轉(zhuǎn)移的圖形。

納米壓印技術(shù)解決了傳統(tǒng)光刻在特征尺寸減小過程中的難題，具有分辨率高、低成本、高產(chǎn)率的特點(diǎn)。自1995年提出以來，納米壓印已經(jīng)經(jīng)過了14年的發(fā)展，演變出了多種壓印技術(shù)。

陰較為熒光系統(tǒng)（Cathodoluminescence, CL）通常配置在掃描電鏡或透射電鏡中，能夠?qū)崿F(xiàn)形貌觀察、結(jié)構(gòu)和成分分析同陰較為熒光光譜的結(jié)合研究，實(shí)現(xiàn)全光譜熒光掃描成像。

Norcada提供科學(xué)領(lǐng)域的mems器件的定制設(shè)計和制造，以滿足客戶的具體要求。這種定制設(shè)計包括非標(biāo)準(zhǔn)尺寸、較薄的膜、多窗口陣列和帶圖案電較為的窗口。

Norcada提供了廣泛的MEMS電偏壓和電化學(xué)芯片。Norcada還可以提供客戶定制的軟件包，包括用于基于 STXM的應(yīng)用程序的支架和MEMS芯片。