不僅具備IV、CV、跨導(dǎo)等多元化的測(cè)試功能，還擁有高精度、寬測(cè)量范圍、模塊化設(shè)計(jì)以及便捷的升級(jí)擴(kuò)展等顯著優(yōu)勢(shì)。它能夠全面滿足從基礎(chǔ)功率二極管、MOSFET、BJT、IGBT到寬禁帶半導(dǎo)體SiC、GaN...

不僅具備IV、CV、跨導(dǎo)等多元化的測(cè)試功能，還擁有高精度、寬測(cè)量范圍、模塊化設(shè)計(jì)以及便捷的升級(jí)擴(kuò)展等顯著優(yōu)勢(shì)。它能夠全面滿足從基礎(chǔ)功率二極管、MOSFET、BJT、IGBT到寬禁帶半導(dǎo)體SiC、GaN...

采用PXIe通信架構(gòu)方案，支持板卡靈活擴(kuò)展與高精度電學(xué)特性分析；支持單卡1200V大電壓、單卡400A大電流輸出，且蕞大可擴(kuò)展至3500V、2000A；可與探針臺(tái)(Prober)、分選機(jī)(Handle...

采用PXIe通信架構(gòu)方案，支持板卡靈活擴(kuò)展與高精度電學(xué)特性分析；支持單卡1200V大電壓、單卡400A大電流輸出，且最大可擴(kuò)展至3500V、2000A；可與探針臺(tái)(Prober)、分選機(jī)(Handle...

不僅具備IV、CV、跨導(dǎo)等多元化的測(cè)試功能，還擁有高精度、寬測(cè)量范圍、模塊化設(shè)計(jì)以及便捷的升級(jí)擴(kuò)展等顯著優(yōu)勢(shì)。它能夠全面滿足從基礎(chǔ)功率二極管、MOSFET、BJT、IGBT到寬禁帶半導(dǎo)體SiC、GaN...

PMST系列igbt靜態(tài)測(cè)試機(jī)igbt檢測(cè)儀采用普賽斯自主開發(fā)的測(cè)試主機(jī)，內(nèi)置多種規(guī)格電壓、電流、電容測(cè)量單元模塊。結(jié)合專用上位機(jī)測(cè)試軟件，可根據(jù)測(cè)試項(xiàng)目需要，設(shè)置不同的電壓、電流等參數(shù)，以滿足不同測(cè)...

武漢普賽斯PMST系列igbt性能測(cè)試儀器失效分析等覆蓋IV,CV,跨導(dǎo)等豐富測(cè)試功能,全量程0.1%精度,15us超快上升沿,支持恒壓限流,恒流限壓模式,可定制化夾具,用于晶圓,芯片,器件,模塊及I...

PMST系列功率器件靜態(tài)測(cè)試系統(tǒng)覆蓋IV,CV,跨導(dǎo)等豐富測(cè)試功能,全量程0.1%精度,15us超快上升沿,支持恒壓限流,恒流限壓模式,可定制化夾具,用于晶圓,芯片,器件,模塊及IPM全面測(cè)試

集多種測(cè)量和分析功能一體，可以精準(zhǔn)測(cè)量不同封裝類型功率器件（如MOSFET、 BJT、IGBT，以及SiC、GaN第三代半導(dǎo)體等）的靜態(tài)參數(shù)，具有高電壓和大電流特性、μΩ級(jí)導(dǎo)通電阻精確測(cè)量、nA級(jí)漏電...

測(cè)試主機(jī)內(nèi)部采用的電壓、電流測(cè)量單元，均采用多量程設(shè)計(jì)，測(cè)試精度為0.1%。其中，柵極-發(fā)射極，蕞大支持30V@10A脈沖電流輸出與測(cè)試，可測(cè)試低至pA級(jí)漏電流；集電極-發(fā)射極，蕞大支持6000A高速...

不僅具備IV、CV、跨導(dǎo)等多元化的測(cè)試功能，還擁有高精度、寬測(cè)量范圍、模塊化設(shè)計(jì)以及便捷的升級(jí)擴(kuò)展等顯著優(yōu)勢(shì)。它能夠全面滿足從基礎(chǔ)功率二極管、MOSFET、BJT、IGBT到寬禁帶半導(dǎo)體SiC、GaN...

可以精準(zhǔn)測(cè)量不同封裝類型功率器件（如MOSFET、 BJT、IGBT，以及SiC、GaN第三代半導(dǎo)體等）的靜態(tài)參數(shù)，具有高電壓和大電流特性、μΩ級(jí)導(dǎo)通電阻精確測(cè)量、nA級(jí)漏電流測(cè)量能力等特點(diǎn)

主要由雙脈沖信號(hào)發(fā)生器，高分辨率示波器，高壓電流探頭，高壓電源、母線電容、低雜感母排、自動(dòng)化測(cè)試軟件以及配套測(cè)試工裝組成。系統(tǒng)配備多種測(cè)試驅(qū)動(dòng)板，可覆蓋開關(guān)參數(shù)測(cè)試、柵極電荷測(cè)試、短路測(cè)試、雪崩測(cè)試等...

是一款專用于MOSFET、IGBT、SiCMOS等器件的動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試，能夠安全便捷的測(cè)試功率器件的開關(guān)延時(shí)和損耗，評(píng)估器件的安全工作區(qū)，對(duì)器件和驅(qū)動(dòng)電路的短路保護(hù)特性進(jìn)行驗(yàn)證，測(cè)量功率組件的雜散電感。

專用于MOSFET、IGBT、SiC MOS等器件的動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試，能夠安全便捷的測(cè)試功率器件的開關(guān)延時(shí)和損耗，評(píng)估器件的安全工作區(qū)，對(duì)器件和驅(qū)動(dòng)電路的短路保護(hù)特性進(jìn)行驗(yàn)證，測(cè)量功率組件的雜散電感。設(shè)備...

測(cè)試主機(jī)內(nèi)部采用的電壓、電流測(cè)量單元，均采用多量程設(shè)計(jì)，測(cè)試精度為0.1%。其中，柵極-發(fā)射極，蕞大支持30V@10A脈沖電流輸出與測(cè)試，可測(cè)試低至pA級(jí)漏電流；集電極-發(fā)射極，蕞大支持6000A高速...