分子束外延系統(tǒng)為一種在物理學(xué)、化學(xué)、材料科學(xué)領(lǐng)域應(yīng)用的分析儀器。

近十幾年來在半導(dǎo)體工藝中發(fā)展起來的一項新技術(shù)包括分子束外延技術(shù)，其在超高真空條件下，類似于真空蒸發(fā)鍍把構(gòu)成晶體的各個組分和予摻雜的原子(分子)，通過一定的熱運動速度，根據(jù)一定的比例由噴射爐中往基片上噴射去進行晶體外延生長而對單晶膜進行制備的一種方法。簡稱為MBE法。

分子束外延系統(tǒng)影響分子束外延的因素

1、壓力的影響

在10-3帕真空度下，在1秒鐘時間內(nèi)殘余氣體的單原于層就能夠覆蓋臂開的表面，如果在10-5到10-7Pa真空條件下臂開并且馬上進行蒸鍍，那么應(yīng)當更進一步地降低外延溫度，然而通過實驗證明，并不是這樣，例如M和A在高真空下進行外延蒸鍍與在超高真空下進行外延蒸鍍，它們的結(jié)果的差別并沒有很大。但是銅、銀和金在超高真空下，使(001)面平行于基片，那么單晶膜的生成就會變得相當困難，這表明對銅、銀和金進行外延蒸鍍時，還需要對基片表面進行適用的處理。

2、蒸發(fā)速度的影響

若對蒸發(fā)速度進行降低也會降低碲的外延溫度，將金蒸鍍外延于氯化鈉時，也會降低氯化鈉上面的平行方位的蒸發(fā)速度，就能夠在較低的基片溫度下進行晶體外延。

3、外延溫度的影響

為了導(dǎo)致外延，基片的溫度應(yīng)當達到某一溫度值，那么加熱超過外延溫度就變得相當有必要。并且外延溫度還和其他的條件相關(guān)。當條件不一樣時，外延溫度也會存在差異。

4、基片結(jié)晶的臂開的影響

在以往的常規(guī)研究方面，基片結(jié)晶是在大氣下臂開（機械折斷使得結(jié)晶面產(chǎn)生）之后往真空裝置中放入來對外延單晶膜進行制取。晶面如果臂開就馬上進行制膜的方法已經(jīng)被研究了。因為該兩種方法有所差異，因此其外延溫度也不一樣。在真空下臂開基片結(jié)晶會導(dǎo)致處延臨界溫度的值不同。