分子束外延系統(tǒng)為一種在物理學(xué)、化學(xué)、材料科學(xué)領(lǐng)域應(yīng)用的分析儀器。

近十幾年來(lái)在半導(dǎo)體工藝中發(fā)展起來(lái)的一項(xiàng)新技術(shù)包括分子束外延技術(shù)，其在超高真空條件下，類似于真空蒸發(fā)鍍把構(gòu)成晶體的各個(gè)組分和予摻雜的原子(分子)，通過(guò)一定的熱運(yùn)動(dòng)速度，根據(jù)一定的比例由噴射爐中往基片上噴射去進(jìn)行晶體外延生長(zhǎng)而對(duì)單晶膜進(jìn)行制備的一種方法。簡(jiǎn)稱為MBE法。

分子束外延系統(tǒng)影響

MBE的問(wèn)世在超薄層材料外延生長(zhǎng)技術(shù)方面實(shí)現(xiàn)了原子、分子數(shù)量級(jí)厚度的外延生長(zhǎng)。使得可以帶工程這一新的半導(dǎo)體領(lǐng)域得到了開拓。對(duì)于半導(dǎo)體物理學(xué)和信息科學(xué)，半導(dǎo)體材料科學(xué)的發(fā)展所起到的推動(dòng)作用非常的積極。微電子技術(shù)，光電子技術(shù)，超導(dǎo)電子技術(shù)及真空電子技術(shù)均是基于此。從歷史來(lái)觀，在現(xiàn)代半導(dǎo)體器件的發(fā)展中，外延技術(shù)的進(jìn)展和用它制成所要求的結(jié)構(gòu)所起到的作用不可或缺。BE的出現(xiàn)無(wú)疑對(duì)科學(xué)家和工程師們的想象力產(chǎn)生了激發(fā)的作用，并且提供了挑戰(zhàn)的機(jī)會(huì)給它們。分子束外延技術(shù)的發(fā)展對(duì)以GaAs為主的III-V族半導(dǎo)體及其它多元多層異質(zhì)材料的生長(zhǎng)起到了推動(dòng)作用，使新型微電子技術(shù)領(lǐng)域的發(fā)展得到了大大的促進(jìn)，使GaAs IC、GeSi異質(zhì)晶體管及其集成電路以及各種超晶格新型器件造就了。尤其是GaAs IC（以MESFET、HEMT、HBT以及以這些器件為主設(shè)計(jì)和制作的集成電路）和紅外及其它光電器件，在軍事應(yīng)用上的意義相當(dāng)?shù)闹匾?br/>