磁控濺射儀為一種用于物理學(xué)領(lǐng)域的分析儀器，于2015年05月25日啟用。

磁控濺射儀原理

在電場E的作用下，電子在往基片飛去的過程中和氬原子有所碰撞，從而使得Ar正離子和新的電子電離產(chǎn)生。新電子往基片飛去，在電場作用下，Ar離子往陰極靶加速飛去，并且通過高能量對靶表面進行量轟擊，使得靶材發(fā)生濺射。在濺射粒子中，中性的靶原子或分子在基片上沉積使得薄膜形成，而在電場和磁場的作用下，產(chǎn)生的二次電子會在E（電場）×B（磁場）所指的方向上產(chǎn)生漂移，簡單叫做E×B漂移，它的運動軌跡和一條擺線幾乎相同。如果是環(huán)形磁場，那么電子就在靶表面通過和擺線幾乎一樣的形式做圓周運動，它們的運動路徑除了非常長以外，而且還在靠近靶表面的等離子體區(qū)域內(nèi)被束縛著，并且有大量的Ar離子在該區(qū)域中被電離出來對靶材進行轟擊，從而使得高的沉積速率得以實現(xiàn)，二次電子的能量隨著碰撞次數(shù)的增加而消耗殆盡，慢慢地從靶表面離開，并且在電場E的作用下zui終在在基片上沉積。因為該電子有著非常低的能量，僅可以傳遞很小的能量給基片，導(dǎo)致基片僅有比較低的溫升，上述為磁控濺射儀的原理。

磁控濺射為入射粒子和靶的碰撞過程。在靶中，復(fù)雜的散射過程為入射粒子所經(jīng)歷，與靶原子碰撞，，傳遞給靶原子部分動量，該靶原子又與其他靶原子碰撞，使得級聯(lián)過程形成。在這種級聯(lián)過程中，向外運動的足夠動量為某些表面附近的靶原子所獲得，從靶表面離開被濺射出來。