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電子束曝光機(Electron Beam Lithography, EBL)

面議 (具體成交價以合同協(xié)議為準(zhǔn))
SHNTI Pharos X100 亞洲 韓國 2026-04-14 12:23:31
售全國 入駐:11年 等級:銀牌 營業(yè)執(zhí)照已審核
同款產(chǎn)品:電子束曝光(2件)
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產(chǎn)品特點:

電子束曝光一種高分辨率的微細(xì)加工技術(shù),廣泛應(yīng)用于納米科技和半導(dǎo)體制造領(lǐng)域。其基本原理是利用聚焦的電子束在光刻膠上進(jìn)行直接寫入,通過改變光刻膠的化學(xué)性質(zhì)來形成微納米結(jié)構(gòu)圖案。上海納騰儀器有限公司自主研發(fā)的電子束曝光機(Pharos系列產(chǎn)品), 具有高分辨率、 精準(zhǔn)控制和高度自動化的優(yōu)勢, 被廣泛應(yīng)用于制備半導(dǎo)體芯片、 光子學(xué)元件和其他微納米結(jié)構(gòu)等領(lǐng)域, 是進(jìn)行亞微米至納米級曝光技術(shù)研發(fā)的理想工具。

產(chǎn)品詳情:

電子束曝光一種高分辨率的微細(xì)加工技術(shù),廣泛應(yīng)用于納米科技和半導(dǎo)體制造領(lǐng)域。其基本原理是利用聚焦的電子束在光刻膠上進(jìn)行直接寫入,通過改變光刻膠的化學(xué)性質(zhì)來形成微納米結(jié)構(gòu)圖案。上海納騰儀器有限公司自主研發(fā)的電子束曝光機(Pharos系列產(chǎn)品), 具有高分辨率、 精準(zhǔn)控制和高度自動化的優(yōu)勢, 被廣泛應(yīng)用于制備半導(dǎo)體芯片、 光子學(xué)元件和其他微納米結(jié)構(gòu)等領(lǐng)域, 是進(jìn)行亞微米至納米級曝光技術(shù)研發(fā)的理想工具。


Pharos X100電子束曝光機作為新一代納米加工平臺,集成了100kV高亮度熱場發(fā)射電子源、高速靜電束閘、支持高通量與高精度雙模式運行,配備20位圖形發(fā)生器及多級靜電偏轉(zhuǎn)系統(tǒng),二維真空位移臺與激光干涉全閉環(huán)測距系統(tǒng)完美契合,同時具備動態(tài)檢焦功能,確保超精度的圖形完美加工。

、

電子束曝光機通用框圖                    


產(chǎn)品參數(shù):

電子槍肖特基場發(fā)射
較高加速電壓100kV
較小加工線寬(特征尺寸)≤ 10nm
圖形套刻精度≤ 25nm
寫場拼接精度≤ 25nm
較大寫場范圍3000μm
電子束束斑尺寸≤5nm
樣品尺寸2-12英寸晶圓,同時兼容小尺寸晶片
較高圖形發(fā)生器頻率100 MHz
電子束束流范圍5pA-100nA
定位方式激光干涉
功能配置自動聚焦像散與高度測量


電子束曝光機設(shè)備布局參考圖:

1、主機:1.6m×1.4m×2.2m(長寬高),合計約 4.5 噸

2、機柜:0.8m ×0.6m ×1.8m,約 0.5 噸×3 個

3、設(shè)備進(jìn)出門:1.6m×2.4m(寬高)

4、建議房間高度:3.0m

5、電源 :單相 220V,12kW,63A 空開

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電子束曝光指利用聚焦電子束在光刻膠上制造圖形的工藝 , 是光刻工藝的延伸應(yīng)用 。 電子束曝光系統(tǒng)是實現(xiàn)電子束曝光 技術(shù)的硬件平臺,系統(tǒng)的性能決定了曝光工藝關(guān)鍵尺寸、拼接和套刻精度等參數(shù)。

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