【概述】

      上電溫度循環(huán)試驗半導體器件通電和斷電的極端溫度交替暴露的能力。

     本測試方法適用于受溫度偏移并需要在所有溫度下開啟和關(guān)閉的半導體器件。進行功率和溫度循環(huán)測試是為了確定設(shè)備在高溫和低溫極端條件下的交替暴露的能力。

【實驗/設(shè)備條件】

   對于一個給定的樣品，從一個高溫極端到下一個極端，或者從一個低溫極端到下一個極端之間的時間。

【樣品提取】

     100個半導體器件，通過引線孔連接電源，無重疊間隙3公分。

【實驗/操作方法】

      應施加電源并進行適當?shù)臋z查，以確保所有設(shè)備都有適當?shù)钠谩Ｔ谠囼炂陂g，除非適用規(guī)范中另有規(guī)定，否則施加在設(shè)備上的功率應在關(guān)閉5分鐘后交替循環(huán)5分鐘。設(shè)備應在規(guī)定的循環(huán)次數(shù)的極端溫度之間同時循環(huán)。在高溫和低溫極端溫度下的時間應足以使每個被測試裝置的總質(zhì)量在沒有通電的情況下達到規(guī)定的極端溫度。低溫可接受到高溫轉(zhuǎn)變或反向順序。電源和溫度循環(huán)試驗應是連續(xù)的，除非將零件從腔室中移除以進行臨時電氣測量。如果測試因電源或設(shè)備故障而中斷，測試可能從停止點重新開始。

【實驗結(jié)果/結(jié)論】

      如果超過了參數(shù)限制，或在適用規(guī)范中規(guī)定的標稱和Z壞情況下不能證明功能，則設(shè)備被定義為故障。機械損傷不包括固定或搬運引起的損傷，或在特定應用中對包裝性能不重要。

【儀器/耗材清單】

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