摘要 利用電鍍法來(lái)進(jìn)行IC 積體電路銅導(dǎo)線是現(xiàn)今主要製程方法，具有成本低廉 高沉積速率與鍍膜品質(zhì)佳等優(yōu)點(diǎn)，唯填洞能力較差本研究著眼於利用超音波照 射時(shí)發(fā)生的空洞現(xiàn)象所產(chǎn)生的噴射流衝擊波和水錘等效應(yīng)，再配合添加劑使用 之條件下實(shí)施電鍍銅程序，來(lái)達(dá)到鍍膜平整且擁有超填塞之效果**階段量測(cè) 電位-電流曲線與鍍膜物性來(lái)檢討超音波照射下電鍍銅之**化條件，爾後以所檢 討之**化條件在矽晶片上實(shí)施電鍍銅，以SEMXRDAFM 與四點(diǎn)探針等測(cè)量， 來(lái)檢討超音波照射下鍍膜平整性與填洞能力外，並測(cè)量鍍膜之物性與電性 超音波照射時(shí)由於激烈噴射流效應(yīng)會(huì)增加極限電流密度且隨著超音波輸出密 度增加而上升，但超音波輸出密度小於30 W/cm2 以下時(shí)，極限電流密度並無(wú)明顯 的改變超音波照射時(shí)較無(wú)超音波照射平整細(xì)緻其鍍膜表面粗糙度較小，且隨著 輸出密度增加而表面粗糙度相對(duì)變小，這是由於超音波照射時(shí)所產(chǎn)生的衝擊波與 水錘現(xiàn)象所造成另一方面，鍍膜表面粗糙度亦會(huì)隨著PEG 添加劑的分子量增加 而下降在二種異質(zhì)添加劑條件中，鍍膜表面粗糙度隨著JGB 添加量增加相對(duì)下 降，且比添加單一種添加劑條件下有更小之表面粗糙度超音波照射時(shí)並不會(huì)明 顯影響鍍膜之導(dǎo)電性質(zhì)，無(wú)論有無(wú)超音波照射時(shí)，皆可得到電阻係數(shù)很低的鍍膜， 另一方面，鍍膜電阻則會(huì)隨著添加劑加入而有略微增加的趨勢(shì)在只添加單一種 PEG 或JGB 條件下，配合超音波照射比無(wú)超音波照射時(shí)溝渠內(nèi)孔洞呈現(xiàn)縮小傾向 但仍無(wú)法填滿，但若同時(shí)添加300 mg/L PEG 6000 與1mg/L JGB，再配合輸出密度 180W/cm2 超音波照射時(shí)，就可得到平整且溝渠內(nèi)無(wú)孔洞的超填塞效應(yīng)之鍍膜