隨著集成電路的迅速發(fā)展，集成度越來越高，半導體芯片的生產(chǎn)對原材料的質(zhì)量提出了更高的要求在集成電路的制作工藝中常常會用到各種不同種類的氣體，氣體中不可避免的含有少量的金屬雜質(zhì)，這些雜質(zhì)會很容易被其它介質(zhì)吸收，一旦吸收，就會增加芯片表面的金屬離子濃度，嚴重的影響器件的性能和成品率[1]六十年代初，對氣體中金屬元素的分析采用分離法和比色法來測定[2]，六十年代未，由于人們對環(huán)境大氣污染的廣泛重視，許多實驗室都采用了準確度好靈敏度高操作簡單的原子吸收法來測定隨著科學技術(shù)（如等離子體技術(shù)和CCD技術(shù)）的發(fā)展和分析領(lǐng)域的不斷需求，在儀器分析中，既能滿足生產(chǎn)需要，又無化學干擾和物理干擾，操作方便，分析速度快，選擇性強，靈敏度高，準確度好，而且又能快速同時分析樣品中的金屬元素，大都采用等離子發(fā)射光譜法 采用等離子發(fā)射光譜法測定氣體中的痕量金屬雜質(zhì)，至今未見有文獻報導本文就是采用等離子發(fā)射光譜法測定氣體中的痕量金屬雜質(zhì)，通過反復實驗，摸索實驗條件，我們建立了等離子發(fā)射光譜法測定氣體中的痕量金屬雜質(zhì)的方法，本方法操作簡單，準確可靠，可以滿足于對氣體中的痕量金屬雜質(zhì)的測定