# C12132近紅外熒光壽命測試儀之太陽能電池片應(yīng)用

熒光壽命是研究太陽能電池（尤其是鈣鈦礦電池片以及薄膜電池片）的電荷載體動力學(xué)關(guān)鍵參數(shù)。通過測量器件的熒光壽命（亦或稱為時間分辨光致發(fā)光，TRPL），可以直接反應(yīng)器件以及材料的性質(zhì)。電池片器件的敏化劑的表面效應(yīng)，鈍化和能量轉(zhuǎn)移效率以及摻雜劑，雜質(zhì)和缺陷位點的存在可能引起熒光壽命的顯著變化。

由于CuInGaAs等材料在近紅外Ⅱ區(qū)的光電轉(zhuǎn)化效率，太陽能電池片的近紅外熒光壽命測試越來越被廣泛需要。濱松C12132針對近紅外Ⅱ區(qū)的應(yīng)用，選配了高靈敏度低暗噪聲的光電配增管，測量信號的動態(tài)范圍遠大于市面上的其他品牌產(chǎn)品。而在配置方面，C12132可以選配高能量以及低能量兩種YAG激光器；并針對YAG激光器進行了優(yōu)化，使得結(jié)果更加穩(wěn)定可靠。此外，多點測量、微區(qū)測量等對應(yīng)的配件方案（見“常用配置及附件”）可以無縫銜接各種尺寸器件的熒光壽命檢測。

圖1. 經(jīng)過氟化鉀（KF）處理（a & b）和沒有經(jīng)過處理（c & d）的CuInGaAs太陽能電池的光致發(fā)光（photoluminescence，PL）光譜和衰減曲線（Progress in Photovoltaics: Research and Application, 25 (2017) 871-877）

# C12132近紅外熒光壽命測試儀之半導(dǎo)體材料應(yīng)用

載體壽命的研究除了在太陽能電池領(lǐng)域受到關(guān)注以外，在半導(dǎo)體材料領(lǐng)域也同樣受到關(guān)注。近些年，關(guān)于Ge（鍺元素）基的新型半導(dǎo)體材料研究趨勢越來越多，Ge雖然本質(zhì)上也是間接帶隙材料，是低效率的發(fā)光體。但是，Ge的間接程度比Si小很多，因此可以通過添加n型摻雜劑等，將Ge制成偽直接帶隙材料。由于Ge的發(fā)射波段在1600nm左右并且效率較低，需要高靈敏度低暗噪聲的探測手段，因此C12132非常適合Ge材料的研究。

圖2.不同厚度Ge薄膜樣品（Sample A 0.18um，Sample B 0.53um，Sample C 0.96um）的發(fā)射光譜（Srinivasan S A. Advanced Germanium Devices for Optical Interconnects: [D]. Universiteit Gent, 2018）

圖3.不同厚度Ge薄膜樣品（Sample A 0.18um，Sample B 0.53um，Sample C 0.96um）的時間分辨光譜（TRPL）（Srinivasan S A. Advanced Germanium Devices for Optical Interconnects: [D]. Universiteit Gent, 2018）

# C12132近紅外熒光壽命測試儀之近紅外發(fā)光材料應(yīng)用

近紅外熒光生物成像技術(shù)由于具有深的組織穿透性、低背景熒光干擾、小生物樣本光損傷等特點引起人們越來越多的關(guān)注。近紅外熒光染料用于生物成像時，除了具有近紅外吸收/發(fā)射波長、還熒光具有良好的水溶性和較低的生物毒性，特異的組織或細胞靶向性以及良好的細胞穿透性等，從而達到更安全、高效、靈敏的熒光成像目的。

圖4. 量子點（Quantum Dots，QD）的熒光壽命測量。其激發(fā)光為2.33eV（即532nm），發(fā)射光為0.95eV（即1305nm）（Journal of Crystal Growth, 416(15) (2015) 134-141）

# 常用配置及附件料

近紅外熒光生物成像技術(shù)由于具有深的組織穿透性、低背景熒光干擾、小生物樣本光損傷等特點引起人們越來越多的關(guān)注。近紅外熒光染料用于生物成像時，除了具有近紅外吸收/發(fā)射波長、還熒光具有良好的水溶性和較低的生物毒性，特異的組織或細胞靶向性以及良好的細胞穿透性等，從而達到更安全、高效、靈敏的熒光成像目的。

# 參數(shù)