本文運用賽默飛iCAP TQ三重四級桿ICPMS 建立了一種直接測試高純氧化鏑中15種稀土雜質(zhì)的方法。該方法簡單快速，無需復雜的基體分離過程，利用iCAP TQ有效去除氧化鏑基體多原子離子對165Ho和175Lu的干擾，適用于純度為99.99%~99.9999%的高純氧化鏑中稀土雜質(zhì)純度分析。

高純稀土鏑因其優(yōu)異的性能在稀土超磁致伸縮材料、高性能釹鐵硼永磁材料，高性能鏑燈中發(fā)揮重要作用，近些年市場需求量快速上升，對于鏑材料的純度也提出更高要求（高性能鏑燈要求Dy/TRE在99.999%以上）。ICPMS在稀土雜質(zhì)分析方面已經(jīng)廣泛應(yīng)用，但是稀土元素之間質(zhì)譜干擾嚴重，高純氧化鏑有7個同位素分布在156Dy（0.06%）到164Dy（28.2%）質(zhì)量范圍內(nèi)，容易形成復合多原子離子干擾其他重稀土元素的直接測定，Z突出的是對165Ho和175Lu的干擾[1]。目前普遍采用分離技術(shù)將稀土基體分離后采用單四級桿ICPMS測定，然而分離過程復雜繁瑣。本文采用賽默飛三重四級桿ICPMS iCAP TQ，輕松去除大量基體元素Dy形成的多原子離子對稀土雜質(zhì)測測試干擾。

采用用三重四級桿iCAP TQ ICPMS可以有效去除氧化鏑基體多原子離子干擾，尤其是對165Ho和175Lu的測定，避免了復雜的基質(zhì)分離過程，可用于直接分析純度為99.99%~99.9999%的高純氧化鏑中稀土雜質(zhì)。