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2025-01-21 09:31:20離子束刻蝕
離子束刻蝕是利用高能離子束對材料進(jìn)行精確刻蝕的技術(shù)。其基本原理是通過加速離子束撞擊材料表面，使材料原子被濺射出來，從而實(shí)現(xiàn)刻蝕目的。離子束刻蝕具有分辨率高、刻蝕精度高、可加工復(fù)雜結(jié)構(gòu)等優(yōu)勢，廣泛應(yīng)用于微納加工、半導(dǎo)體制造、光學(xué)元件制造等領(lǐng)域。該技術(shù)能夠制備出高精度的微納結(jié)構(gòu)，是現(xiàn)代微納技術(shù)的重要組成部分。

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2022-11-25 16:10:30離子束刻蝕（IBE）技術(shù)研究
離子束刻蝕（IBE）技術(shù)研究 1.離子束刻蝕（IBE）技術(shù)的原理？離子束刻蝕（IBE，Ion Beam Etching）也稱為離子銑（IBM，Ion Beam Milling），也有人稱之為離子濺射刻蝕，是利用輝光放電原理將氬氣分解為氬離子，氬離子經(jīng)過陽極電場的加速對樣品表面進(jìn)行物理轟擊，以達(dá)到刻蝕的作用?？涛g過程即把Ar氣充入離子源放電室并使其電離形成等離子體，然后由柵極將離子呈束狀引出并加速，具有一定能量的離子束進(jìn)入工作室，射向固體表面轟擊固體表面原子，使材料原子發(fā)生濺射，達(dá)到刻蝕目的，屬純物理刻蝕。工件表面有制備溝槽的掩膜，最后裸露的部分就會被刻蝕掉，而掩膜部分則被保留，形成所需要的溝槽圖形。離子束刻蝕使高方向性的中性離子束能夠控制側(cè)壁輪廓，優(yōu)化納米圖案化過程中的徑向均勻性和結(jié)構(gòu)形貌。另外傾斜結(jié)構(gòu)可以通過傾斜樣品以改變離子束的撞擊方向這一獨(dú)特能力來實(shí)現(xiàn)。在離子束刻蝕過程中，通常情況下，樣品表面采用厚膠作為掩模層，刻蝕期間富有能量的離子流會使得基片和光刻膠過熱。為了便于后面光刻膠的剝離清洗，一般需要對樣品臺進(jìn)行冷卻處理，使整個刻蝕過程中溫度控制在一個比較好的范圍。 圖1 離子束刻蝕設(shè)備結(jié)構(gòu)圖圖2 離子束刻蝕工藝原理圖 2.離子束刻蝕（IBE）適合的材料體系？可用于刻蝕加工各種金屬（Ni、Cu、Au、Al、Pb、Pt、Ti等）及其合金，以及非金屬、氧化物、氮化物、碳化物、半導(dǎo)體、聚合物、陶瓷、紅外和超導(dǎo)等材料。目前離子束刻蝕在非硅材料方面優(yōu)勢明顯，在聲表面波、薄膜壓力傳感器、紅外傳感器等方面具有廣泛的用途。 3. 離子束刻蝕（IBE）技術(shù)的優(yōu)點(diǎn)和缺點(diǎn)？a 優(yōu)點(diǎn)： （1）方向性好、無鉆蝕、陡直度高； （2）刻蝕速率可控性好，圖形分辨率高，可達(dá)0.01um； （3）屬于物理刻蝕，可以刻蝕各種材料（Si、SiO2、GaAs、Ag、Au、光刻膠等）； （4）刻蝕過程中可改變離子束入射角來控制圖形輪廓，加工特殊的結(jié)構(gòu)；b 缺點(diǎn)： （1）刻蝕速率慢、效率比ICP更低； （2）難以完成晶片的深刻蝕； （3）屬于物理刻蝕，常常會有過刻的現(xiàn)象。 4.反應(yīng)離子束刻蝕（RIBE）技術(shù)簡介及優(yōu)點(diǎn)？反應(yīng)離子束刻蝕（RIBE）是在離子束刻蝕的基礎(chǔ)上，增加了腐蝕性氣體，因此它不但保留了離子束物理刻蝕能力，還增加了腐蝕性氣體（氟基氣體、O2）離化后對樣品的化學(xué)反應(yīng)能力（反應(yīng)離子束刻蝕：RIBE），也支持腐蝕性氣體非離化態(tài)的化學(xué)輔助刻蝕能力（化學(xué)輔助離子束刻蝕：CAIBE），對適用于化學(xué)輔助的材料可以大幅度提升刻蝕速率，提高刻蝕質(zhì)量。 5. 離子束刻蝕（IBE）的案例展示  典型應(yīng)用：1、三族和四族光學(xué)零件2、激光光柵3、高深寬比的光子晶體刻蝕4、在二氧化硅、硅和金屬上深溝刻蝕5、微流體傳感器電極6、測熱式微流體傳感器
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2022-08-16 21:44:30福州大學(xué)離子束刻蝕機(jī)順利驗(yàn)收
福州大學(xué)離子束刻蝕機(jī)順利驗(yàn)收烈日炎炎，熱情滿心間！后疫情時代，NANO-MASTER工程師步履不停，一站接一站為客戶提供設(shè)備安裝調(diào)試服務(wù)。首站福州大學(xué)，那諾-馬斯特工程師已順利安裝驗(yàn)收NIE-3500型離子束刻蝕機(jī)！性能配置：離子束刻蝕機(jī)用于刻蝕金屬和介質(zhì)，z大可支持6”晶圓。配套美國考夫曼-羅賓遜 KDC160離子槍，650mA，100-1200V?？涛g速率：~250A/min對Au；刻蝕均勻度：對4”片，片內(nèi)均勻性優(yōu)于±3%，重復(fù)性優(yōu)于±3%。樣品臺可旋轉(zhuǎn)，轉(zhuǎn)速0-30RPM精確可控；可任意角度傾斜，支持斜齒刻蝕；帶水冷功能，刻蝕后易去除光刻膠。極限真空12小時可達(dá)6x10-7Torr，15分鐘可達(dá)10-6Torr量級的真空；采用雙真空計(jì)，長期可靠，使用穩(wěn)定。14”不銹鋼立方腔體，配套一臺主控計(jì)算機(jī)，20”觸摸屏監(jiān)控，配合Labview軟件，實(shí)現(xiàn)計(jì)算機(jī)全自動工藝控制，并可在電源中斷情況下安全恢復(fù)；完全的安全聯(lián)鎖；支持百級超凈間使用。驗(yàn)收培訓(xùn)：安裝調(diào)試視頻：
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2022-12-13 18:01:10一文讀懂ICP刻蝕技術(shù)
ICP刻蝕技術(shù)電感耦合等離子體刻蝕（ICP，Inductively Couple Plasma）刻蝕工作原理是：用高頻火花引燃時，部分Ar工作氣體被電離，產(chǎn)生的電子和氬離子在高頻電磁場中被加速，它們與中性原子碰撞，使更多的工作氣體電離，形成等離子體氣體。導(dǎo)電的等離子體氣體在磁場作用下感生出的強(qiáng)大的感生電流產(chǎn)生大量的熱能又將等離子體加熱，使其溫度達(dá)到1×10^4K，形成ICP放電。電感耦合等離子體刻蝕是物理過程和化學(xué)過程共同作用的結(jié)果，在真空低氣壓下，ICP射頻電源產(chǎn)生的射頻輸出到環(huán)形耦合線圈，以一定比例混合的氣體經(jīng)耦合輝光放電，產(chǎn)生高密度的等離子體，在下電極RF射頻作用下，這些等離子對基片表面進(jìn)行轟擊，基片材料的化學(xué)鍵被打斷，與刻蝕氣體反應(yīng)生成揮發(fā)性物質(zhì)，以氣體形式脫離基片，從真空管路被抽走。 ICP刻蝕的優(yōu)勢：ICP刻蝕技術(shù)具有刻蝕速率快、選擇比高、各向異性高、刻蝕損傷小、大面積均勻性好、刻蝕斷面輪廓可控性高和刻蝕表面平整光滑等優(yōu)點(diǎn)；ICP刻蝕設(shè)備結(jié)構(gòu)簡單、外形小、操作簡便、便于自動控制、適合大面積基片刻蝕。近年來，ICP刻蝕技術(shù)被廣泛應(yīng)用在硅、二氧化硅、III-V族化合物、金屬等材料的刻蝕上 ICP刻蝕相比RIE刻蝕的優(yōu)勢 ICP刻蝕設(shè)備的一般構(gòu)造 電感耦合等離子體（ICP）刻蝕機(jī)包括兩套通過自動匹配網(wǎng)絡(luò)控制的13.56MHz 射頻電源，一套連接纏繞在腔室外的螺線圈，使線圈產(chǎn)生感應(yīng)耦合的電場， 在電場作用下， 刻蝕氣體輝光放電產(chǎn)生高密度等離子體。功率的大小直接影響等離子體的電離率， 從而影響等離子體的密度。第二套射頻電源連接在腔室內(nèi)下方的電極上，主要為等離子提供能量。這樣兩套RF電源的配置，使得在低離子能量條件下，可以增加離子密度，從而提高刻蝕速率的同時，保證對晶片的損傷降到最低。  刻蝕的基本要求（1）負(fù)載效應(yīng)刻蝕中還存在負(fù)載效應(yīng)，即發(fā)生刻蝕速率變慢的情況。分為宏觀負(fù)載效應(yīng)和微觀負(fù)載效應(yīng)?？涛g面積很大時，因?yàn)闅怏w傳輸受限和刻蝕氣體耗盡，刻蝕速率會較慢，這稱為宏觀負(fù)載效應(yīng)。在微細(xì)圖形的局部區(qū)域內(nèi)， 被刻蝕材料的密度過高造成刻蝕氣體耗盡的情況稱為微觀負(fù)載效應(yīng)。 （2）圖形保真度設(shè)橫向刻蝕速率為V1，縱向刻蝕速率為V2，通常用A 表示刻蝕的各向異性刻蝕的程度，定義如下：A=1，表示圖形轉(zhuǎn)移中沒有失真， 刻蝕具有很好的各向異性。A=0，圖形失真情況嚴(yán)重，刻蝕為各向同性。（3）均勻性在材料制備時， 薄膜厚度一般有一定的不均勻性， 而刻蝕時同一襯底片的不同位置的刻蝕速率也不同。這些都會造成圖形轉(zhuǎn)移的不均勻。刻蝕的均勻性在很大程度上依賴于設(shè)備的硬件參數(shù)， 如反應(yīng)室的設(shè)置， 氣流， 離子濃度等均勻性情況。其次是工藝參數(shù)的影響。對于大襯底的刻蝕， 如果刻蝕時間不夠， 膜厚處沒有刻蝕完全；但是刻蝕時間太長，膜薄處會造成過刻蝕，實(shí)際情況中需要綜合考慮。也可以在被刻蝕材料的下層制備截止層，截止層選用和被刻蝕材料有很高選擇比的材料， 這樣可以加長刻蝕時間， 保證膜厚處被刻蝕干凈，膜薄處也不會造成明顯的過刻蝕。除了同一樣片不同位置的均勻性問題， 同一刻蝕條件不同樣片的刻蝕均勻性（也稱重復(fù)性）也很重要。重復(fù)性與反應(yīng)室的狀況有很大的關(guān)聯(lián)性。（4）表面形貌一般情況下， 刻蝕后的表面形貌都希望側(cè)壁陡直光滑， 刻蝕地面平滑。但對于不同的器件有時也有特殊要求，如需傾斜剖面、微透鏡結(jié)構(gòu)等。（5）刻蝕的清潔刻蝕中防止玷污是非常重要的。如果在接觸孔的位置出現(xiàn)重金屬沾污也會造成漏電。對于干法刻蝕，刻蝕表面還會出現(xiàn)聚合物的再淀積。 等離子刻蝕的基本過程等離子體刻蝕有四種基本的過程，他們分別是物理濺射刻蝕（Sputtering）、純化學(xué)刻蝕（Chemical）、離子增強(qiáng)刻蝕（Ion enhanced energetic）、側(cè)壁抑制刻蝕（Ion enhanced inhibitor）。1) 物理濺射刻蝕（Sputtering）濺射工藝是以一定能量的粒子（離子或中性原子、分子）轟擊固體表面，使固體近表面的原子或分子獲得足夠大的能量而最終逸出固體表面的工藝。等離子體所提供的離子能量約為幾百eV，一般來說會高于濺射產(chǎn)生的閾值（幾十eV）。在等離子提供的能量范圍內(nèi)，濺射率隨著離子本身能量的增大而急劇增加。不同材料的濺射速率在離子能量一定的情況下相差不大，因此濺射是純物理的過程，這個過程選擇性差，速率低。但是物理濺射刻蝕，離子轟擊具有很強(qiáng)的方向性，使得被刻蝕材料具有很好的各向異性。2) 純化學(xué)刻蝕（Chemical）在純化學(xué)刻蝕中，等離子體提供中性的活性基團(tuán)，這些活性基團(tuán)與薄膜表面發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，生成相應(yīng)的氣相產(chǎn)物。如刻蝕Si材料常用F基氣體，因?yàn)闀梢讚]發(fā)的SiF4.化學(xué)刻蝕是各項(xiàng)同性的，活性基團(tuán)會以近似角分布到達(dá)被刻蝕材料表面，反應(yīng)過程中反應(yīng)產(chǎn)物必須是可揮發(fā)的。一般來說化學(xué)刻蝕可以獲得高的速率以及選擇比。3) 離子增強(qiáng)刻蝕（Ion enhanced energetic）離子增強(qiáng)刻蝕是物理濺射和化學(xué)刻蝕互相結(jié)合的工藝方式。物理濺射中物理轟擊的作用可以大大增強(qiáng)薄膜表面的化學(xué)反應(yīng)的活性，刻蝕的效果相較單一的物理和化學(xué)刻蝕，效果顯著。等離子體既提供了粒子通量又賦予離子能量。4) 側(cè)壁抑制刻蝕（Ion enhanced inhibitor）這種刻蝕方式主要應(yīng)用于深刻蝕，如Bosch工藝，深硅刻蝕運(yùn)用分子量較大的鈍化氣體C4F8與SF6搭配，刻蝕和鈍化交替進(jìn)行，實(shí)現(xiàn)側(cè)壁垂直的深刻蝕工藝。 影響刻蝕效果的因素ICP 工藝中影響刻蝕效果的因素很多。工藝參數(shù)里包括源功率、偏壓功率、刻蝕氣體及流量、工作氣壓和溫度等。此外，掩膜的制備和反應(yīng)室內(nèi)壁的情況對刻蝕結(jié)果也有很重要的影響。1.掩膜的影響ICP 刻蝕是圖形轉(zhuǎn)移的過程，因此掩膜的制備對刻蝕非常重要。最常見的掩膜是光刻膠(Photoresist.PR)、SiO2和金屬(如A1、Ni等)。一個好的掩膜要求陡直度較高，邊緣光滑。底部去除干凈無殘留，抗高溫和抗轟擊能力強(qiáng)。掩膜的陡直度和邊緣的光滑程度直接影響刻蝕剖面的陡直度和側(cè)壁的光滑程度。雖然可以通過工藝參數(shù)的調(diào)整改善刻蝕形貌，但是效果遠(yuǎn)不如掩膜質(zhì)量的改善。因此高質(zhì)量的光刻技術(shù)對刻蝕非常重要。(1)幾乎所有的掩膜制備都需要由光刻制備，光刻膠掩膜的制備最容易，精度也最高。但是，光刻膠的抗高溫和抗轟擊能力很差，只能用于低溫工藝，通常選擇比也較低。(2)硬掩膜SIO2 和金屬等硬掩膜一般需要光刻膠圖形的二次轉(zhuǎn)移，圖形精度會有所損失。但是它們的抗高溫和抗轟擊能力很好，選擇比高，可以刻蝕更深的深度。2.工藝參數(shù)的影響(1)ICP Power 源功率這個功率源的主要作用是產(chǎn)生高密度等離子體，控制離子通量。功率增加時，離子和活性基密度增加，刻蝕速率也增加。一般情況下，選擇比也會增加。但過高時，均勻性會下降。同時，源功率增加會帶給襯底更多的熱負(fù)荷，襯底溫度會明顯升高，對于需要低溫的工藝影響較大，需要更好的溫控系統(tǒng)。(2)RF Power 偏壓功率偏壓功率源主要作用是控制離子轟擊能量。對刻蝕速率和臺階角度影響很大。偏壓功率增加，刻蝕速率明顯增加。但是同時對掩膜的刻蝕也明顯增加，可能導(dǎo)致選擇比下降，臺階形貌變差。偏壓功率過高有時會在臺階底部形成“trenching”溝槽。(3)工作氣壓ICP 刻蝕的工作氣壓一般都小于 50mTorr，典型值在幾個 mTorr 至十幾mTorr。在這樣的低氣壓條件下，粒子的平均自由程很長，方向性好，離子轟擊作用也較強(qiáng)。同時，低氣壓也有利于揮發(fā)性刻蝕產(chǎn)物的解吸附，易獲得好的刻蝕結(jié)果。氣壓對均勻性影響很大，氣壓減小時均勻性更好。因此，氣壓減小，刻蝕的各向異性增加，均勻性和臺階角度會更好。氣壓對刻蝕速率的影響隨刻蝕材料和氣體的不同而有明顯的差異。對于化學(xué)作用較強(qiáng)的工藝，如 GaAs 的刻蝕，氣壓較大時因?yàn)榛钚曰碗x子密度增加，刻蝕速率和選擇比會有較大增加。而對物理作用較強(qiáng)的工藝，如 SiO2 的刻蝕，氣壓增加時刻飩速率變化不大。(4)氣體成分和流量等離子體刻蝕中經(jīng)常使用含多種成分的混合氣體。這些氣體大體可分為三類。第一類是主要刻蝕反應(yīng)氣體，與被刻蝕材料發(fā)生化學(xué)反應(yīng)生成揮發(fā)性產(chǎn)物。如 CI2、CF4、SF6 等。第二類是起抑制作用的氣體,可以在側(cè)壁形成阻擋層,實(shí)現(xiàn)高的各向異性刻蝕,如 CHF3、 BCl3、SiCI4、CH4等。第三類是起稀釋或特殊作用的惰性氣體，如 Ar、He、N2 等?？梢栽鰪?qiáng)等離子體的穩(wěn)定性，改善刻蝕均勻性，或增加離子轟擊作用在(如 Ar)來提高各向異性和提高選擇比(如 H2、O2)等。為了實(shí)現(xiàn)不同的刻蝕結(jié)果，平衡每一類氣體的作用(選用合適的流量比)非常重要。如果需要獲得較高的刻鐘速率,應(yīng)選擇和被刻蝕材料反應(yīng)積極并目生成物非常易干揮發(fā)的反應(yīng)類氣體，同時可以適當(dāng)提高其百分比濃度。但是，如果是被刻蝕層偏薄，對下層材料的選擇出又較低的情況，常常提高抑制氣體和稀釋氣體的比例來降低刻蝕速露，以實(shí)現(xiàn)對刻鐘終點(diǎn)的精確控制。(5)溫度溫度對刻蝕速率的影響主要體現(xiàn)在化學(xué)反應(yīng)速率的變化。因此為了保證刻蝕速率的均勻性和重復(fù)性，必須精確的控制襯底溫度。高溫可以促進(jìn)化學(xué)反應(yīng)的進(jìn)行，同時也有利于揮發(fā)性產(chǎn)物的解吸附。對于刻蝕生成物揮發(fā)溫度較高的工藝，如 InP的刻蝕，高溫會帶來有利的影響，但是對于以光刻膠為掩膜的低溫工藝來說，溫度必須控制在較低的水平。溫度過高時光刻膠會軟化變形，造成刻蝕圖形的偏差。嚴(yán)重時光刻膠會碳化，導(dǎo)致刻蝕后很難去除。如果必須使用較高的襯底溫度，需要改為 SiO2、金屬等硬掩膜。外加功率在很大程度上會轉(zhuǎn)化為熱量。對于ICP 這種等離子體，功率一般很高，反應(yīng)中襯底溫升很快。如果工藝對溫度非常敏感，在參數(shù)設(shè)置時應(yīng)更加注意。
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2021-09-06 14:40:15吉時利皮安表6485/6487在離子束測量的應(yīng)用
離子束用于各種應(yīng)用場合，諸如，質(zhì)譜儀和離子注入機(jī)等。離子 束電流通常非常?。╩A）, 所以需要使用靜電計(jì)或皮安表來進(jìn)行測量。今天安泰測試為大家介紹如何使用吉時利皮安表6485 型和 6487 型皮安表來進(jìn)行這種測量工作。在電流靈敏度更高時，可以改用靜電計(jì)來進(jìn)行測量。測量方法如果離子源偏離地電位，那么離子收集電極多半處在地電位。在這種情況下，可以使用簡單的真空同軸接頭來進(jìn)行從收集電極到皮安計(jì)的連接。圖 1 示出吉時利皮安計(jì)6485從離子收集電極測量電流的情況 , 這時儀器工作在地電位。然而，如果離子源處在地電位，那么離子收集電極必須偏離地電位。6485 型皮安計(jì)只能偏離地電位大約 42V, 所以必須使用能夠浮地電位達(dá) 500V 的吉時利皮安計(jì)6487 型。圖 2 是 6487 型皮安計(jì)浮地測量離子束的一個例子。皮安計(jì)的高端通過三同軸的真空接頭連到離子收集電極。皮安計(jì)的低端由電壓源偏離地電位。出于安全的考慮，當(dāng)偏置電 壓大于 42V 時，應(yīng)當(dāng)使用三同軸的真空接頭。6487 型皮安計(jì)能夠浮 地高達(dá) 500V。如果無法找到三同軸的真空接頭，那么可以在絕緣的 BNC 連接 處構(gòu)建金屬安全屏蔽（圖 3）。將該金屬安全屏蔽接地。。如果對地的浮地電壓小于 42V, 那么絕緣的 BNC 接頭就不需要安全屏蔽。圖 1. 帶接地 BNC 插座的離子收集極圖 2. 帶三同軸插座的離子收集電極圖 3. 帶 BNC 插座的離子收集極完成電路連接之后，接通偏置電壓，在沒有離子束電流的情況下 進(jìn)行電流測量，以驗(yàn)證系統(tǒng)能夠正常工作。如果這時的電流比要測量 的電流大得多，那么系統(tǒng)中一定存在著寄生泄漏通路，必須將其糾正。 我們常常需要把離子束電流與時間的函數(shù)關(guān)系畫成曲線。此項(xiàng)工作可以使用皮安計(jì)的模擬輸出功能來完成或者使用 IEEE-488 總線或 RS-232 接口來采集讀數(shù)，再用繪圖編程軟件包（例如 ExceLINX）或 圖表軟件將其畫成曲線。吉時利皮安表Keithley 6400 系列提供經(jīng)濟(jì)實(shí)惠且專業(yè)的低電流測量解決方案，可測量元器件中的超低漏電流、光學(xué)器件中的暗電流以及顯微儀器中的射束電流，備受研發(fā)型企業(yè)和高校的青睞，安泰測試作為泰克吉時利的長期合作伙伴，和廠家一起為用戶提供全面的測試方案，如果您想了解吉時利皮安表更多應(yīng)用，歡迎訪問安泰測試網(wǎng)。
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2021-09-02 15:19:22如何使用吉時利皮安表6485/6487進(jìn)行離子束測量
離子束用于各種應(yīng)用場合，諸如，質(zhì)譜儀和離子注入機(jī)等。離子 束電流通常非常?。╩A）, 所以需要使用靜電計(jì)或皮安表來進(jìn)行測量。今天安泰測試為大家介紹如何使用吉時利皮安表6485 型和 6487 型皮安表來進(jìn)行這種測量工作。在電流靈敏度更高時，可以改用靜電計(jì)來進(jìn)行測量。測量方法如果離子源偏離地電位，那么離子收集電極多半處在地電位。在這種情況下，可以使用簡單的真空同軸接頭來進(jìn)行從收集電極到皮安計(jì)的連接。圖 1 示出吉時利皮安計(jì)6485從離子收集電極測量電流的情況 , 這時儀器工作在地電位。然而，如果離子源處在地電位，那么離子收集電極必須偏離地電位。6485 型皮安計(jì)只能偏離地電位大約 42V, 所以必須使用能夠浮地電位達(dá) 500V 的吉時利皮安計(jì)6487 型。圖 2 是 6487 型皮安計(jì)浮地測量離子束的一個例子。皮安計(jì)的高端通過三同軸的真空接頭連到離子收集電極。皮安計(jì)的低端由電壓源偏離地電位。出于安全的考慮，當(dāng)偏置電 壓大于 42V 時，應(yīng)當(dāng)使用三同軸的真空接頭。6487 型皮安計(jì)能夠浮 地高達(dá) 500V。如果無法找到三同軸的真空接頭，那么可以在絕緣的 BNC 連接 處構(gòu)建金屬安全屏蔽（圖 3）。將該金屬安全屏蔽接地。。如果對地的浮地電壓小于 42V, 那么絕緣的 BNC 接頭就不需要安全屏蔽。圖 1. 帶接地 BNC 插座的離子收集極圖 2. 帶三同軸插座的離子收集電極圖 3. 帶 BNC 插座的離子收集極完成電路連接之后，接通偏置電壓，在沒有離子束電流的情況下 進(jìn)行電流測量，以驗(yàn)證系統(tǒng)能夠正常工作。如果這時的電流比要測量 的電流大得多，那么系統(tǒng)中一定存在著寄生泄漏通路，必須將其糾正。 我們常常需要把離子束電流與時間的函數(shù)關(guān)系畫成曲線。此項(xiàng)工作可以使用皮安計(jì)的模擬輸出功能來完成或者使用 IEEE-488 總線或 RS-232 接口來采集讀數(shù)，再用繪圖編程軟件包（例如 ExceLINX）或 圖表軟件將其畫成曲線。吉時利皮安表Keithley 6400 系列提供經(jīng)濟(jì)實(shí)惠且專業(yè)的低電流測量解決方案，可測量元器件中的超低漏電流、光學(xué)器件中的暗電流以及顯微儀器中的射束電流，備受研發(fā)型企業(yè)和高校的，安泰測試作為泰克吉時利的長期合作伙伴，和廠家一起為用戶提供全面的測試方案，如果您想了解吉時利皮安表更多應(yīng)用，歡迎訪問安泰測試網(wǎng)。
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