Todt: 對(duì)于半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)構(gòu)，我們使用分子束外延（MBE）生長(zhǎng)方法——一種物理氣相沉積工藝。使用此方法的顯著優(yōu)勢(shì)是：可以利用原子精度生長(zhǎng)不同材料的復(fù)雜層序列。這種方法適用于低熔點(diǎn)金屬，如銦或鎵。它們被蒸發(fā)后在真空環(huán)境下，在載體層（稱(chēng)為襯底或晶片）的表面形成定向分子流。一個(gè)原子接一個(gè)原子以所需的結(jié)構(gòu)沉積在晶片上并結(jié)晶成薄膜。

而在我研究的領(lǐng)域內(nèi)，超導(dǎo)層是以鈮為基礎(chǔ)的。這種金屬的熔點(diǎn)極高，高達(dá)2500°C。在這個(gè)過(guò)程中，整個(gè)系統(tǒng)升溫，外來(lái)原子從鋼中擴(kuò)散出來(lái)。因此，樣品可能會(huì)在這個(gè)過(guò)程中損壞。隨后，我們決定使用另一種沉積工藝————磁控濺射。在這個(gè)工藝中，金屬被放置在一個(gè)腔室中，我們向其中注入氬氣。在1 x 10-3 mbar至5 x 10-2mbar的壓力下，點(diǎn)燃?xì)鍤獾入x子體。氬離子撞擊涂層材料的表面，這些被敲除的顆粒然后遷移到晶片上并沉積。

而在這個(gè)環(huán)節(jié)中，真空泵發(fā)揮了很重要的作用。