俄歇電子能譜，英文名Auger electron spectroscopy，AES是它的簡(jiǎn)稱，是一種材料科學(xué)與表面科學(xué)的分析技術(shù)。俄歇電子能譜之所以如此命名是因?yàn)樵摷夹g(shù)主要通過(guò)俄歇效應(yīng)進(jìn)行分析。其他外層電子吸收受激發(fā)的原子的外層電子跳到低能階所放出的能量從而使其從原子逃脫離開，這一連串事件叫做俄歇效應(yīng)，俄歇電子則為逃脫出來(lái)的電子。

物理原理

原子的內(nèi)層電子形成的空穴能夠通過(guò)入射電子束和物質(zhì)作用激發(fā)出來(lái)，可能通過(guò)X光的形式將外層電子填充空穴向內(nèi)層躍遷過(guò)程中所釋放的能量放出，也就是使得特征X射線產(chǎn)生，也可能誘使核外另一電子激發(fā)成為自由電子，此種自由電子即是俄歇電子。

對(duì)于一個(gè)原子而言，在釋放能量時(shí)，激發(fā)態(tài)原子僅僅可以進(jìn)行一種發(fā)射，也就是俄歇電子或者特征X射線。元素的原子序數(shù)越大，特征X射線就有越大的發(fā)射幾率。元素的原子序數(shù)越小，俄歇電子就有越大的發(fā)射幾率，當(dāng)原子序數(shù)為33時(shí)，二者擁有差不多相同的發(fā)射幾率，所以俄歇電子能譜對(duì)于輕元素的分析非常的適用。

若某原子K層電子在電子束的作用下激發(fā)成自由電子，L層電子躍遷到K層，L層的另一個(gè)電子又在釋放的能量作用下被激發(fā)為俄歇電子，此俄歇電子就叫做KLL俄歇電子。同樣，LMM俄歇電子為L(zhǎng)層電子被激發(fā)，M層電子往L層填充，另一個(gè)M層電子在釋放的能量作用下被激發(fā)使得俄歇電子形成。

特點(diǎn)

1953年，俄歇電子能譜在鑒定樣品表面的化學(xué)性質(zhì)及組成的分析逐漸開始被實(shí)際應(yīng)用。其特點(diǎn)為淺層表面為俄歇電子的起源，只將表面的資訊帶出來(lái)，并且其能譜的能量位置固定，分析起來(lái)較容易。