俄歇電子能譜，英文名Auger electron spectroscopy，AES是它的簡稱，是一種材料科學與表面科學的分析技術。俄歇電子能譜之所以如此命名是因為該技術主要通過俄歇效應進行分析。其他外層電子吸收受激發(fā)的原子的外層電子跳到低能階所放出的能量從而使其從原子逃脫離開，這一連串事件叫做俄歇效應，俄歇電子則為逃脫出來的電子。

俄歇電流

由純凈固體表面所測到的電流差不多為10-5Ip，入射電子束流由Ip來表示，就原則而言，能夠通過對電離截面進行估計來對俄歇電流加以計算，然而因為多種因子對其產(chǎn)生影響，計算也相當不簡單，并且和實驗也不能夠較好的相符合。在實際的測量過程中，EP/EW比例必須選用合適的，從而使得俄歇電流達到zui大。zui初被電離的內(nèi)層能級的能量由EW來進行表示。入射電子的能量由EP來進行表示。如果EP不小于EW，那么人射電子和原子相互作用的時間不夠，對于俄歇產(chǎn)額的提高也沒有好處，可以獲得的zui大俄歇電子產(chǎn)額的EP/EW比例差不多為2-6，如果EP比EW小，那么電離W能級的條件達不到，俄歇電子產(chǎn)額=0。使用小角度入射掠射時，能夠?qū)τ行У?“ 檢測體積 ”進行增加，電離更多的表面原子，從而使得俄歇產(chǎn)額增加。通常而言，zui佳的入射角為10-30度。

俄歇躍遷

對于自由原子而言，在一些不連續(xù)的"軌道 ”上有一些圍繞原子核運轉(zhuǎn)的電子，K、L、M、N 等電子殼層又由這一些不連續(xù)的"軌道所構(gòu)成。某一軌道上電子能量的大小常常被我們用“ 能級 ”的概念來表示。因為激發(fā)了入射電子，電離了內(nèi)層電子，使一個空穴被留下。原子在此時處于激發(fā)態(tài)，穩(wěn)定性不足。在內(nèi)層能級的空位中降落了一個較高能級上的電子，同時將多余的能量放出。 這些能量能夠被當作光子發(fā)射特征射線，也能夠轉(zhuǎn)移給第三個電子并使之發(fā)射出來。此即是俄歇電子。俄歇躍遷一般使用射線能級來進行標志。zui初K能級使用KL1L2俄歇電子來表示，往K能級空位填入L1能級的電子，L2能級上的一個電子接收了多余的能量，并且發(fā)射了出來。