化學(xué)氣相沉積為一種化工技術(shù)，在襯底表面上含有薄膜元素的一種或幾種氣相化合物或單質(zhì)進(jìn)行化學(xué)反應(yīng)使得薄膜生成為該技術(shù)的主要方法。近幾十年化學(xué)氣相淀積這種對(duì)無(wú)機(jī)材料進(jìn)行制備的新技術(shù)發(fā)展了起來(lái)?；瘜W(xué)氣相淀積法已經(jīng)在各種單晶、多晶或玻璃態(tài)無(wú)機(jī)薄膜材料的淀積，新晶體的研制以及物質(zhì)的提純方便得到了非常廣泛地應(yīng)用。這些材料既能夠是碳化物、氮化物、硫化物、氧化物也能夠?yàn)镮II-V、II-IV、IV-VI族中的二元或多元的元素間化合物，并且能夠利用氣相摻雜的淀積過(guò)程來(lái)對(duì)它們的物理功能進(jìn)行精確地控制?；瘜W(xué)氣相淀積已經(jīng)變成無(wú)機(jī)合成化學(xué)的一個(gè)新領(lǐng)域。

氣相沉積系統(tǒng)應(yīng)用

幾種貴金屬薄膜應(yīng)用化學(xué)氣相沉積法來(lái)生產(chǎn)

由于貴金屬薄膜不僅抗氧化能力比較好，導(dǎo)電率高，催化活性強(qiáng)而且相當(dāng)?shù)姆€(wěn)定，研究者們興趣非常濃厚。相較于生成貴金屬薄膜的其他方式，化學(xué)氣相沉積法的技術(shù)優(yōu)勢(shì)更加的多，因此大部分均會(huì)采用該種方式來(lái)對(duì)貴金屬薄膜進(jìn)行制備。

沉積貴金屬薄膜用的沉積員物質(zhì)大部分為包括COCl2、氯化碳酰鉑、氯化碳酰銥、DCPD化合物等等在內(nèi)的貴金屬元素的鹵化物和有機(jī)化合物，種類(lèi)相當(dāng)?shù)膹V泛。

在貴金屬薄膜用作電極材料放置Goto 團(tuán)隊(duì)做了大量的工作。藍(lán)寶石、石英玻璃以及氧化釔穩(wěn)定化的二氧化鋯（YSZ）等等被他們使用來(lái)作為襯底材料。在沉積時(shí)將氧氣通入裝置中是為了使原料由于熱分解產(chǎn)生的碳消除掉，并且將更有金屬光澤的貴金屬薄膜制作出來(lái)。如果不這樣的話，那么zui終會(huì)得到銥碳簇膜，也就是納米等級(jí)被晶碳層所包裹的銥顆粒。在YSZ 上面沉積的銥碳簇膜的電性能和催化活性相當(dāng)?shù)膬?yōu)秀。在較低的溫度下，相比于純銥或者純鉑，銥碳簇膜的界面有著超過(guò)百倍的電導(dǎo)率。貴金屬和炭組成的簇膜為一種多孔輸送有著較強(qiáng)催化活性的簇膜，在未來(lái)對(duì)于電極材料上的使用有著相當(dāng)大的潛力。