儀器網(wǎng)>產(chǎn)品中心>行業(yè)專用儀器>半導體行業(yè)>氣相沉積系統(tǒng) 更新時間：2026-04-14 01:46:41

氣相沉積系統(tǒng)

（共18件相關(guān)產(chǎn)品信息）

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產(chǎn)品分類：: 更多光刻機/臺式無掩模光刻機離子減薄儀等離子體表面處理儀離子濺射儀電子束刻蝕系統(tǒng) 離子束刻蝕系統(tǒng) 激光刻蝕機磁控濺射儀/磁控濺射鍍膜儀氣相沉積系統(tǒng) 分子束外延系統(tǒng) 激光濺射沉積系統(tǒng) 原子層沉積系統(tǒng) 勻膠機

產(chǎn)品產(chǎn)地：: 不限中國大陸大洋洲歐洲亞洲美洲

廠商性質(zhì)：: 不限自營代理經(jīng)銷

銷售地區(qū)：: 不限售全國售本省售本市

產(chǎn)品品牌：

不限
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韓國ECOPIA

德國iplas

美國YES

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微波等離子化學氣相沉積系統(tǒng)-MPCVD

品牌：iplas 型號：iplas CYRANNUS 產(chǎn)地：歐洲德國

廠商：清砥量子科學儀器（北京）有限公司

簡介： 1. CYRANNUS?技術(shù)無需在樣品腔內(nèi)安裝內(nèi)部電極，在沉積腔內(nèi)，沒有工作氣體以外的任何物質(zhì)，潔凈，無污染源。等離子發(fā)生器可以保持長壽命，并可以確保腔內(nèi)的等離子體的均勻分布，進一步生成晶體的純凈度和生長周期。 2. CYRANNUS?技術(shù)的腔外多電極設置，確保等離子團穩(wěn)定生成于腔內(nèi)ZX位置，對腔壁、窗口等無侵蝕作用，減少雜質(zhì)來源，提高晶體純度。由CYRANNUS?系統(tǒng)合成的金剛石，純度均在VVS級別以上。
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€65000

微波等離子化學氣相沉積系統(tǒng)

品牌：iplas 型號：CYRANNUS 產(chǎn)地：歐洲德國

廠商：清砥量子科學儀器（北京）有限公司
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￥4980000

德國IPLAS 微波等離子化學氣相沉積系統(tǒng)CYRANNUS

品牌：德國iplas 型號：iplas 微波等離子化學氣相沉積系統(tǒng) 產(chǎn)地：歐洲德國

廠商：深圳市藍星宇電子科技有限公司

簡介：德國IPLAS MPCVD CYRANNUS? 專利技術(shù)微波等離子化學氣相沉積系統(tǒng)，廣泛應用于第四代半導體，射頻器件，散熱器件，光學窗口等高科技令域。晶圓生長金剛石膜，是第四代半導體材料。
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美NANO-MASTER的等離子增強化學氣相沉積系統(tǒng)PECVD系統(tǒng)NPE-4000

品牌：美國Nano-Master 型號：NPE-4000,NRP-4000,NSP-4000 產(chǎn)地：美洲美國

廠商：深圳市藍星宇電子科技有限公司

簡介：NANO-MASTER的等離子增強化學氣相沉積系統(tǒng)PECVD系統(tǒng)NPE-4000,可以制造高質(zhì)量的氧化硅、氮化硅、碳納米管、金剛石和碳化硅等薄膜?；蹇梢匀菁{8英寸晶圓，可通過射頻、脈沖直流或者直流電源提供偏壓，可通過熱電阻或者紅外燈加熱到800°C。
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￥3500000

YES-EcoCoat硅烷單層氣相沉積系統(tǒng)

品牌：美國YES 型號：YES-EcoCoat 產(chǎn)地：美洲美國

廠商：上海跡亞國際商貿(mào)有限公司

簡介：具有原位等離子體的硅烷單層氣相沉積系統(tǒng)
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法國Plassys微波等離子體化學氣相沉積系統(tǒng) SSDR 150

品牌：法國Plassys 型號：SSDR 150 產(chǎn)地：歐洲法國

廠商：深圳市藍星宇電子科技有限公司

簡介：法國Plassys微波等離子體化學氣相沉積系統(tǒng) SSDR 150 ,專門用于合成 CVD 金剛石薄膜，能夠制備高純單晶(需高純氣源）、厚單晶、大單晶、多晶薄膜、光學級窗口。SSDR150 不斷優(yōu)化的微波及等離子體設計，是一款可靠的、穩(wěn)定的、長時間運行的金剛石薄膜生長系統(tǒng)，能夠wan美地適用于高校科研和企業(yè)生產(chǎn)。
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超高真空多腔室物理氣相沉積系統(tǒng)

品牌：美國PVD 型號：4000 產(chǎn)地：美洲美國

廠商：科睿設備有限公司

簡介：該系統(tǒng)由全球?qū)I(yè)的沉積設備商制造,配置多種沉積方式(預留各種功能接口),高度靈活,非常適合多種沉積模式的科研.
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等離子體增強化學氣相沉積系統(tǒng)

品牌：美國PVD 型號：G 4000 產(chǎn)地：美洲美國

廠商：科睿設備有限公司

簡介：PECVD：是借助微波或射頻等使含有薄膜組成原子的氣體電離，在局部形成等離子體，而等離子體化學活性很強，很容易發(fā)生反應，在基片上沉積出所期望的薄膜。為了使化學反應能在較低的溫度下進行，利用了等離子體的活性來促進反應，因而這種CVD稱為等離子體增強化學氣相沉積(PECVD).
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1700度高真空CVD化學氣相沉積系統(tǒng)

品牌：諾巴迪型號：NBD-T1700-80TIG2Z（）產(chǎn)地：河南鄭州

廠商：河南諾巴迪材料科技有限公司
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NPE-3500 PECVD等離子體化學氣相沉積系統(tǒng)

品牌：美國Nano-Master 型號：NPE-3500PECVD 產(chǎn)地：美洲美國

廠商：深圳市科時達電子科技有限公司

簡介： NPE-3500 PECVD等離子體化學氣相沉積系統(tǒng)概述：NANO-MASTER PECVD系統(tǒng)能夠沉積高質(zhì)量的SiO2, Si3N4, 或DLC薄膜到ZD可達12” 直徑的基片上.該系統(tǒng)采用淋浴頭電極或中空陰極射頻等離子源來產(chǎn)生等離子，具有分形氣流分布的優(yōu)勢.樣品臺可以通過RF或脈沖DC產(chǎn)生偏壓。
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PECVD設備 NPE-4000(ICPA)自動ICPECVD等離子體化學氣相沉積系統(tǒng) 那諾-馬斯特

品牌：美國那諾-馬斯特型號：NPE-4000（ICPA）產(chǎn)地：美洲美國

廠商：那諾—馬斯特中國有限公司

簡介：NM的PECVD能夠沉積高質(zhì)量SiO2, Si3N4, DLC膜到Z大可達6" 基片.淋浴頭電極或中空陰極射頻等離子源，樣品臺通過RF或脈沖DC產(chǎn)生偏壓?？芍С旨訜岷屠鋮s.使用250l/sec渦輪分子泵及3.5 cfm的機械泵，真空可低至10-7 torr。標準配置含1路惰性氣體、3路活性氣體和4個MFC。
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CVD設備微波等離子化學氣相沉積系統(tǒng) 那諾-馬斯特

品牌：美國那諾-馬斯特型號：PECVD 產(chǎn)地：美洲美國

廠商：那諾—馬斯特中國有限公司

簡介：NM的微波PECVD能夠沉積高質(zhì)量SiO2, Si3N4, 或DLC膜到Z大可達12" 的基片.淋浴頭電極或中空陰極射頻等離子源，樣品臺通過RF或脈沖DC產(chǎn)生偏壓?？芍С旨訜岷屠鋮s.使用250l/sec渦輪分子泵及3.5 cfm的機械泵，真空可低至10-7 torr。標準配置含1路惰性氣體、3路活性氣體和4個MFC。
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PECVD鍍膜設備 NPE-3500 PECVD等離子體化學氣相沉積系統(tǒng) 那諾-馬斯特

品牌：美國那諾-馬斯特型號：NPE-3500 產(chǎn)地：美洲美國

廠商：那諾—馬斯特中國有限公司

簡介：NANO-MASTER PECVD系統(tǒng)能夠沉積高質(zhì)量的SiO2, Si3N4, 或DLC薄膜z大可達12” 直徑的基片上.該系統(tǒng)采用淋浴頭電極或中空陰極射頻等離子源來產(chǎn)生等離子，具有分形氣流分布的優(yōu)勢.樣品臺可以通過RF或脈沖DC產(chǎn)生偏壓。并可以支持加熱和循環(huán)冷卻水的冷卻.使用250l/sec渦輪分子泵及3.5 cfm的機械泵，腔體可以達到低至10-7 torr的真空。標準配置包含1路惰性氣體、3路活性氣體管路和4個MFC.帶有*氣體分布系統(tǒng)的平面中空陰極等離子源使得系統(tǒng)可以滿足廣大范圍的要求，無論是等離子強度、均勻度，還是要分別激活某些活性組份，這樣系統(tǒng)可以覆蓋z廣的可能性來獲得各種沉積參數(shù)。
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PECVD設備 NPE-4000（ICPM）ICPECVD等離子體化學氣相沉積系統(tǒng) 那諾-馬斯特

品牌：美國那諾-馬斯特型號：NPE-4000（ICPM）產(chǎn)地：美洲美國

廠商：那諾—馬斯特中國有限公司

簡介：NM的PECVD能夠沉積高質(zhì)量SiO2, Si3N4, 或DLC膜到Z大可達12" 的基片.淋浴頭電極或中空陰極射頻等離子源，樣品臺通過RF或脈沖DC產(chǎn)生偏壓?？芍С旨訜岷屠鋮s.使用250l/sec渦輪分子泵及3.5 cfm的機械泵，真空可低至10-7 torr。標準配置含1路惰性氣體、3路活性氣體和4個MFC。
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￥88888

上海微行PECVD型等離子增強化學氣相沉積系統(tǒng)

品牌：上海微行爐業(yè) 型號：PECVD型等離子增強化學氣相沉積系統(tǒng) 產(chǎn)地：江蘇蘇州

廠商：上海微行爐業(yè)有限公司

簡介：價格有優(yōu)勢，而且服務效率，質(zhì)量上面好而且有保證。
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等離子體增強化學氣相沉積系統(tǒng)

品牌：諾巴迪型號：NBD-PECVD1200-80TID2ZY 產(chǎn)地：河南鄭州

廠商：河南諾巴迪材料科技有限公司

簡介：該產(chǎn)品具有固態(tài)等離子源、分開式反應氣體進氣系統(tǒng)，動態(tài)襯底溫控，控制真空系統(tǒng)，采用集中現(xiàn)場控制總線技術(shù)的Nobody控制軟件，以及友好用戶操作界面來操作。適用于室溫至1200℃條件下進行的SiO2、SiNx,、 SiONx a-Si薄膜的沉積，同時可實現(xiàn)TEOS源沉積，SiC膜層沉積以及液態(tài)或氣態(tài)源沉積其它材料，尤其適合于有機材料上保護層膜和特定溫度下無損傷鈍化膜的沉積。?
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快速熱化學氣相沉積系統(tǒng)(RTCVD)

品牌：韓國ECOPIA 型號：RTCVD 產(chǎn)地：亞洲韓國

廠商：上海載德半導體技術(shù)有限公司
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低壓化學氣相沉積系統(tǒng)(LPCVD)

品牌：韓國ECOPIA 型號：LC-100, LC-102 產(chǎn)地：亞洲韓國

廠商：上海載德半導體技術(shù)有限公司

共18條
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新品推薦: 上海微行PECVD型等離子增強化學氣相沉積系統(tǒng)
價格有優(yōu)勢，而且服務效率，質(zhì)量上面好而且有保證。; PECVD鍍膜設備 NPE-3500 PECVD等離子體化學氣相沉積系統(tǒng) 那諾-馬斯特
NANO-MASTER PECVD系統(tǒng)能夠沉積高質(zhì)量的SiO2, Si3N4, 或DLC薄膜z大可達12” 直徑的基片上.該系統(tǒng)采用淋浴頭電極或中空陰極射頻等離子源來產(chǎn)生等離子，具有分形氣流分布的優(yōu)勢.樣品臺可以通過RF或脈沖DC產(chǎn)生偏壓。并可以支持加熱和循環(huán)冷卻水的冷卻.使用250l/sec渦輪分子泵及3.5 cfm的機械泵，腔體可以達到低至10-7 torr的真空。標準配置包含1路惰性氣體、3路活性氣體管路和4個MFC.帶有*氣體分布系統(tǒng)的平面中空陰極等離子源使得系統(tǒng)可以滿足廣大范圍的要求，無論是等離子強度、均勻度，還是要分別激活某些活性組份，這樣系統(tǒng)可以覆蓋z廣的可能性來獲得各種沉積參數(shù)。; PECVD設備 NPE-4000（ICPM）ICPECVD等離子體化學氣相沉積系統(tǒng) 那諾-馬斯特
NM的PECVD能夠沉積高質(zhì)量SiO2, Si3N4, 或DLC膜到Z大可達12" 的基片.淋浴頭電極或中空陰極射頻等離子源，樣品臺通過RF或脈沖DC產(chǎn)生偏壓。可支持加熱和冷卻.使用250l/sec渦輪分子泵及3.5 cfm的機械泵，真空可低至10-7 torr。標準配置含1路惰性氣體、3路活性氣體和4個MFC。; PECVD設備 NPE-4000(ICPA)自動ICPECVD等離子體化學氣相沉積系統(tǒng) 那諾-馬斯特
NM的PECVD能夠沉積高質(zhì)量SiO2, Si3N4, DLC膜到Z大可達6" 基片.淋浴頭電極或中空陰極射頻等離子源，樣品臺通過RF或脈沖DC產(chǎn)生偏壓。可支持加熱和冷卻.使用250l/sec渦輪分子泵及3.5 cfm的機械泵，真空可低至10-7 torr。標準配置含1路惰性氣體、3路活性氣體和4個MFC。; CVD設備微波等離子化學氣相沉積系統(tǒng) 那諾-馬斯特
NM的微波PECVD能夠沉積高質(zhì)量SiO2, Si3N4, 或DLC膜到Z大可達12" 的基片.淋浴頭電極或中空陰極射頻等離子源，樣品臺通過RF或脈沖DC產(chǎn)生偏壓?？芍С旨訜岷屠鋮s.使用250l/sec渦輪分子泵及3.5 cfm的機械泵，真空可低至10-7 torr。標準配置含1路惰性氣體、3路活性氣體和4個MFC。; 1700度高真空CVD化學氣相沉積系統(tǒng); 等離子體增強化學氣相沉積系統(tǒng)
該產(chǎn)品具有固態(tài)等離子源、分開式反應氣體進氣系統(tǒng)，動態(tài)襯底溫控，控制真空系統(tǒng)，采用集中現(xiàn)場控制總線技術(shù)的Nobody控制軟件，以及友好用戶操作界面來操作。適用于室溫至1200℃條件下進行的SiO2、SiNx,、 SiONx a-Si薄膜的沉積，同時可實現(xiàn)TEOS源沉積，SiC膜層沉積以及液態(tài)或氣態(tài)源沉積其它材料，尤其適合于有機材料上保護層膜和特定溫度下無損傷鈍化膜的沉積。?; 超高真空多腔室物理氣相沉積系統(tǒng)
該系統(tǒng)由全球?qū)I(yè)的沉積設備商制造,配置多種沉積方式(預留各種功能接口),高度靈活,非常適合多種沉積模式的科研.