原子層沉積系統(tǒng)為一種在化學(xué)、材料科學(xué)領(lǐng)域進(jìn)行應(yīng)用的工藝試驗(yàn)儀器。原子層沉積為一種能夠在基底表面通過單原子膜形式一層一層的鍍物質(zhì)的方法。原子層沉積類似于普通的化學(xué)沉積。然而新一層原子膜的化學(xué)反應(yīng)在原子層沉積過程中是直接關(guān)聯(lián)之前一層的，該種方式使每次反應(yīng)僅僅沉積一層原子。

原子層沉積概述

單原子層沉積，又被叫做原子層沉積或原子層外延，由芬蘭科學(xué)家shou先提出并且在研制多晶熒光材料ZnS:Mn以及非晶Al2O3絕緣膜時(shí)得到應(yīng)用，平板顯示器采用這些材料。因?yàn)檫@一工藝對(duì)于復(fù)雜的表面化學(xué)過程和低的沉積速度均有所涉及，一直到上世紀(jì)80年代中后期，該技術(shù)均沒有取得實(shí)質(zhì)性的突破。

然而20世紀(jì)90年代中期，這一技術(shù)越來越受到人們的關(guān)注，因?yàn)槲㈦娮雍蜕顏單⒚仔酒夹g(shù)的發(fā)展，不斷降低器件和材料的尺寸為基本的要求，然而器件中的高寬比卻持續(xù)增加，如此所使用材料的厚度向著幾個(gè)納米數(shù)量級(jí)降低為主要的原因。

所以，越來越體現(xiàn)了原子層沉積技術(shù)的優(yōu)勢(shì)，例如單原子層慢慢沉積，也就體現(xiàn)出了沉積層非常均勻的厚度以及十分優(yōu)秀的一致性，沉積速度慢的問題也就變得不是太重要。原子層沉積的應(yīng)用和原子層沉積技術(shù)的發(fā)展、原子層沉積設(shè)備、原子層沉積與其他相關(guān)技術(shù)的比較以及原子層沉積原理和化學(xué)為如下所要討論的話題。