ALD設(shè)備：ALD原子層沉積可以滿(mǎn)足膜厚控制以及高深寬比結(jié)構(gòu)的保形沉積，這方面ALD原子層沉積遠(yuǎn)超過(guò)其它沉積技術(shù)。由于前驅(qū)體流量的隨意性不會(huì)帶來(lái)影響，所以在ALD原子層沉積中有序、自限制的表面反應(yīng)將會(huì)帶來(lái)非統(tǒng)計(jì)的沉積。這使得ALD原子層沉積膜保持高度的光滑、連續(xù)以及無(wú)孔的特性，可以提供優(yōu)異的薄膜性能。ALD原子層工藝也可以實(shí)現(xiàn)到大基片上。

ALD設(shè)備應(yīng)用：

• Oxides氧化物: Al₂O₃, HfO₂, La₂O₃, SiO₂, TiO ZnO, In₂O₃，etc

• Nitrides氮化物: AlN, TiN, TaN, etc..

• Photovoltaic and MEMS applications光伏及MEMS應(yīng)用.

• Nano laminates納米復(fù)合材料

• 高K介質(zhì)

• 疏水性涂覆

• 鈍化層

• 高深寬比擴(kuò)散阻擋層的銅連接

• 微流控應(yīng)用的保形性涂覆

• 燃料電池中諸如催化層的單金屬涂覆 

標(biāo)簽：ald原子層原子層沉積設(shè)原子層沉積系