PANDORA 多功能臺(tái)式原子層沉積系統(tǒng)
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Atlant 3D 直接原子層打印
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PROMETHEUS 流化床原子層沉積系統(tǒng)
自動(dòng)硅藻檢驗(yàn) DiatomScopeTM
PANDORA 多功能臺(tái)式原子層沉積系統(tǒng)
很多人相信，潘多拉的魔盒還埋藏著尚未開發(fā)的寶物——希望！
正是基于對(duì)于新技術(shù)應(yīng)用的美好愿景，F(xiàn)orge Nano 開發(fā)了 PANDORA 臺(tái)式原子層沉積系統(tǒng)， 這一工具巧妙地將粉末原子層沉積技術(shù)和平面原子層沉積薄膜技術(shù)結(jié)合，使用者可輕易地在粉末與平面樣品之間切換，而不用擔(dān)心影響研究效率。
產(chǎn)品規(guī)格
1. 前驅(qū)體通道：2-6
2. 連續(xù)流 / 靜態(tài)流兼容
3. 反應(yīng)腔：100ml 粉末腔 / 10×10cm 平面
4. 反應(yīng)腔結(jié)構(gòu)：旋轉(zhuǎn)式
5. 反應(yīng)腔溫度：最高 200℃
6. 配件：In-situ QCM，等離子發(fā)生器，臭氧發(fā)生器，在線式氣體分析系統(tǒng)，沖壓輔助裝置
7. 支持樣品：粉末，纖維，平面樣，器件，藥物
產(chǎn)品特點(diǎn)
PANDORA 是高度集成的臺(tái)式原子層沉積系統(tǒng)，可擺放在實(shí)驗(yàn)室的任意角落，采用旋轉(zhuǎn)式反應(yīng)腔實(shí)現(xiàn)對(duì)粉末材料的分散，有更高的兼容性。對(duì)于平面樣品，則可快速插入平面反應(yīng)臺(tái)，實(shí)現(xiàn)樣品的切換。PANDORA 高度集成的特點(diǎn)提高了使用效率，使用者甚至在安裝的當(dāng)天便可以開始 ALD 實(shí)驗(yàn)。
實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)
PANDORA 也配備了在線分析系統(tǒng)，可以對(duì)前驅(qū)體與副產(chǎn)物進(jìn)行實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)，從而進(jìn)行沉積工藝改良。
In-situ QCM
ALD 是微量的沉積方式，故常規(guī)手段無法測(cè)量薄膜的質(zhì)量，因此 PANDORA 采用石英微天平可以實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)材料的質(zhì)量變化，幫助研究者獲得更高質(zhì)量的薄膜。
反應(yīng)觀察窗
研究者可通過窗口實(shí)時(shí)觀察粉末在腔室中的運(yùn)轉(zhuǎn)情況
符合 cGMP 要求
PANDORA 可以應(yīng)用于藥物的表面改性及包覆，從而提升藥物的物理及化學(xué)性能。
應(yīng)用
對(duì)于學(xué)術(shù)研究，液相法是進(jìn)行粉末表面包覆改性的重要方法，但對(duì)于大多數(shù)研究者而言，尋找合適的工藝以及普適性較高的方案是費(fèi)時(shí)耗力的工作，且液相法會(huì)造成大量的原料浪費(fèi)，同時(shí)并不能實(shí)現(xiàn)完全均勻的包覆。包覆層會(huì)出現(xiàn)較多的缺陷或顆粒團(tuán)聚，影響材料最終的性能。而對(duì)于敏感性較高的材料，如鋰電電極粉末，液相法可能對(duì)材料性能產(chǎn)生不可逆的影響。
ALD 是自限制性的薄膜沉積技術(shù)，可以在粉末材料表面形成均勻的包覆，即便是孔隙率高的多孔結(jié)構(gòu)，ALD 也有較好的均一性。
報(bào)價(jià)：面議
已咨詢3001次PANDORA 多功能臺(tái)式原子層沉積系統(tǒng)
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已咨詢2938次P 系列粉末原子層沉積系統(tǒng)
報(bào)價(jià)：面議
已咨詢373次原子層沉積系統(tǒng)ALD產(chǎn)品
報(bào)價(jià)：面議
已咨詢548次日本Microphase 原子層沉積系統(tǒng)
報(bào)價(jià)：面議
已咨詢691次鍍膜沉積機(jī)
報(bào)價(jià)：面議
已咨詢628次鍍膜沉積機(jī)
報(bào)價(jià)：面議
已咨詢1491次薄膜半導(dǎo)體材料制備系統(tǒng)
● 樣品類型：粉體樣品，旗形樣品，其他樣品類型可定制 ● 可與超高真空XPS，STM，及其他UHV系統(tǒng)互聯(lián) ● 腔體最高加熱400℃，控溫精度±1℃ ● 復(fù)雜管氣路，可最多具備八種前驅(qū)體、兩路氧化還原氣路和三路載氣 ● 設(shè)計(jì)獨(dú)特的高溫鼓泡器，可提高低蒸氣壓固態(tài)源反應(yīng)效率和重復(fù)性 ● 自動(dòng)化控制系統(tǒng)，可自行編程實(shí)現(xiàn)不同類型ALD樣品生長(zhǎng) ● 控制系統(tǒng)帶安全互鎖報(bào)警功能 ● 采用PID自動(dòng)控溫，帶模糊算法自整定 ● 全金屬密封，適用于腐蝕性反應(yīng) ● 實(shí)時(shí)測(cè)控氣體流量和監(jiān)測(cè)真空度 ● 在線原位分析氣體成分 ● 自帶臭氧發(fā)生器，反應(yīng)殘留物熱分解裝置
原子層沉積（Atomic layer deposition)是一種可以將物質(zhì)以單原子膜形式一層一層的鍍?cè)诨妆砻娴姆椒?。原子層沉積與普通的化學(xué)沉積有相似之處。但在原子層沉積過程中，新一層原子膜的化學(xué)反應(yīng)是直接與之前一層相關(guān)聯(lián)的，這種方式使每次反應(yīng)只沉積一層原子。
應(yīng)用領(lǐng)域 原子層沉積技術(shù)由于其沉積參數(shù)的高度可控型（厚度，成份和結(jié)構(gòu)），優(yōu)異的沉積均勻性和一致性使得其在微納電子和納米材料等領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用潛力。該技術(shù)應(yīng)用的主要領(lǐng)域包括： 1） 晶體管柵極介電層（high-k）和金屬柵電極（metal gate） 2） 微電子機(jī)械系統(tǒng)（MEMS） 3） 光電子材料和器件 4） 集成電路互連線擴(kuò)散阻擋層 5） 平板顯示器（有機(jī)光發(fā)射二極管材料，OLED） 6） 互連線勢(shì)壘層 7） 互連線銅電鍍沉積籽晶層（Seed layer） 8） DRAM、MRAM介電層 9） 嵌入式電容 10） 電磁記錄磁頭 11） 各類薄膜（<100nm）
NLD-3000原子層沉積系統(tǒng)：ALD原子層沉積可以滿足精確膜厚控制以及高深寬比結(jié)構(gòu)的保形沉積，這方面ALD原子層沉積遠(yuǎn)超過其它沉積技術(shù)。由于前驅(qū)體流量的隨意性不會(huì)帶來影響，所以在ALD原子層沉積中有序、自限制的表面反應(yīng)將會(huì)帶來非統(tǒng)計(jì)的沉積。這使得ALD原子層沉積膜保持高度的光滑、連續(xù)以及無孔的特性，可以提供優(yōu)異的薄膜性能。ALD原子層工藝也可以實(shí)現(xiàn)到大基片上。
NLD-4000（M）原子層沉積系統(tǒng)：ALD原子層沉積可以滿足精確膜厚控制以及高深寬比結(jié)構(gòu)的保形沉積，這方面ALD原子層沉積遠(yuǎn)超過其它沉積技術(shù)。由于前驅(qū)體流量的隨意性不會(huì)帶來影響，所以在ALD原子層沉積中有序、自限制的表面反應(yīng)將會(huì)帶來非統(tǒng)計(jì)的沉積。這使得ALD原子層沉積膜保持高度的光滑、連續(xù)以及無孔的特性，可以提供優(yōu)異的薄膜性能。ALD原子層工藝也可以實(shí)現(xiàn)到大基片上。
NLD-4000（A）全自動(dòng)原子層沉積系統(tǒng)：ALD原子層沉積可以滿足精確膜厚控制以及高深寬比結(jié)構(gòu)的保形沉積，這方面ALD原子層沉積遠(yuǎn)超過其它沉積技術(shù)。由于前驅(qū)體流量的隨意性不會(huì)帶來影響，所以在ALD原子層沉積中有序、自限制的表面反應(yīng)將會(huì)帶來非統(tǒng)計(jì)的沉積。這使得ALD原子層沉積膜保持高度的光滑、連續(xù)以及無孔的特性，可以提供優(yōu)異的薄膜性能。ALD原子層工藝也可以實(shí)現(xiàn)到大基片上。
Veeco(之前稱之為Cambridge Nanotech)已經(jīng)有15年以上的ALD研發(fā)生產(chǎn)經(jīng)驗(yàn)。2003年Cambridge Nanotech成立于哈佛大學(xué)，05年搬到Boston并生產(chǎn)出Thermal ALD - Savannah, 之后生產(chǎn)出Plasam ALD - Fuji、批量生產(chǎn)ALD-Phoenix。2017年被Veeco收購(gòu)，并更新了Batch HVM ALD - Firebird。至今為止，Veeco在ALD設(shè)備已有15年多的經(jīng)驗(yàn)，全球已安裝五百多臺(tái)ALD設(shè)備。
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