磁控濺射儀為一種用于物理學(xué)領(lǐng)域的分析儀器，于2015年05月25日啟用。

磁控濺射為物理氣相沉積的一種。金屬、半導(dǎo)體、絕緣體等多材料的制備通常會(huì)采用一般的濺射法，其的特點(diǎn)為有著較為簡(jiǎn)單的設(shè)備，控制起來(lái)不困難，有著較大的鍍膜面積以及有著較強(qiáng)的附著力等。在上世紀(jì) 70 年代發(fā)展起來(lái)的磁控濺射法更是使高速、低溫、低損傷得以實(shí)現(xiàn)。由于高速濺射是在低氣壓下進(jìn)行，必須要使氣體的離化率得到有效地提高。磁控濺射利用將磁場(chǎng)往靶陰極表面引入，通過磁場(chǎng)約束帶電粒子來(lái)使得等離子體密度提高進(jìn)而使得濺射率增加。

磁控濺射主要功能

在制備單層及多層功能膜、硬質(zhì)膜、金屬膜、半導(dǎo)體膜、介質(zhì)膜等新型薄膜材料時(shí)得到應(yīng)用。在高等院校、科研院所的薄膜材料科研方面得到非常廣泛的應(yīng)用。

磁控濺射技術(shù)指標(biāo)

1、真空室尺寸：梨型真空室

2、真空系統(tǒng)配置：閘板閥、機(jī)械泵、分子泵

3、極限壓力：不超過2e-5（在通過烘烤除氣以后）

4、恢復(fù)真空時(shí)間：40分鐘能夠達(dá)到6.6e-4帕（系統(tǒng)短時(shí)間暴露大氣并充干燥氮?dú)忾_始抽氣）

5、樣品尺寸：Ф65毫米，能夠放置4片

6、加熱基片加熱zui高溫度：500±1攝氏度

磁控濺射優(yōu)勢(shì)特點(diǎn)

磁控濺射法為zui常用制備CoPt 磁性薄膜的方法。陰極加速氬離子并且對(duì)陰極靶表面進(jìn)行轟擊，濺射出靶材表面原子在基底表面上沉積使薄膜形成。通過對(duì)不同材質(zhì)的靶進(jìn)行更換以及對(duì)不同的濺射時(shí)間進(jìn)行控制，就能夠使不同材質(zhì)和不同厚度的薄膜獲得。磁控濺射法所具有的優(yōu)點(diǎn)為鍍膜層與基材有著較強(qiáng)的結(jié)合力，有著致密、均勻的鍍膜等