應(yīng)用案例：半導(dǎo)體材料-二硫化鉬（MoS2）

硫化鉬（MoS2）是一種 2D 層狀 TMDCs，適合作為地球上豐富的催化劑或先進(jìn)電子設(shè)備中的 2D 半導(dǎo)體。需要充分理解這些單層的制造條件，以確?？煽亢涂芍貜?fù)的屬性，如靈活性、獨(dú)特的電性或機(jī)械屬性。

我們展示了 AFM-in-SEM 解決方案，用于精確和復(fù)雜分析通過(guò) CVD 在厚 SiO2/Si 上生長(zhǎng)的 MoS2 薄片。所有技術(shù)——SEM、AFM、EFM和相位成像——都在兩組不同制造條件下的樣本上同時(shí)測(cè)量。這種方法可以比較結(jié)果，以確定最佳的制造參數(shù)，以實(shí)現(xiàn)所需的樣本特性。使用 AFM 地形、SEM、EFM 和相位成像對(duì) MoS2 進(jìn)行復(fù)雜表征。