英國(guó)AML
晶圓鍵合機(jī)

AML (Applied Microengineering Ltd ) 公司成立于一九九二年。公司坐落于英國(guó)牛津哈威爾科學(xué)園，主要從事原位晶圓鍵合設(shè)備生產(chǎn)，并在擁有數(shù)百億英鎊高端現(xiàn)代化設(shè)備的Bondcenter的支撐下，為客戶提供鍵合相關(guān)服務(wù)工作。AML生產(chǎn)的對(duì)準(zhǔn)鍵合機(jī)，是目前市場(chǎng)上**能夠?qū)崿F(xiàn)在同一設(shè)備上完成原位對(duì)準(zhǔn)、激活、鍵合的設(shè)備，是MEMS, IC，和III-V鍵合工藝的**選擇。在實(shí)現(xiàn)原位鍵合的同時(shí)，該設(shè)備也被用于壓紋、印壓、納米 壓印及其它圖形轉(zhuǎn)移技術(shù)?？捎糜诳蒲校⒕哂羞m合批量生產(chǎn)的全自動(dòng)設(shè)備。

AML Bondcenter 為客戶提供了制作鍵合基底，鍵合器件及3D集成和芯片級(jí)封裝的**場(chǎng)所。

NEW !  IRIS-紅外晶圓鍵合檢測(cè)& Maszara鍵合強(qiáng)度設(shè)備

紅外檢測(cè)是一種快速、簡(jiǎn)單的無損檢測(cè)方法。它可以檢測(cè)鍵合后整片晶圓的空洞、粘接不良或內(nèi)部的顆粒。

可以對(duì)直徑200mm的晶圓做出快速檢測(cè)
?可檢測(cè)的空洞zui小高度是250nm
? 空洞橫向zui小尺寸600um。

?在25mm寬的基板上進(jìn)行測(cè)試。可達(dá)檢測(cè)200mm的晶圓。
?可使粘接強(qiáng)度的測(cè)量和分析更快速。
? IRIS鍵合強(qiáng)度測(cè)量已經(jīng)得到SEMI MS5-0813 “Micro Chevron Testing”標(biāo)準(zhǔn)的認(rèn)證。

? IRIS可以控制產(chǎn)品的失效。
? 插入角度—可通過設(shè)計(jì)來固定和控制。
? 邊緣效應(yīng)-IRIS測(cè)量整片晶圓。
? 消除由于操作人員的技術(shù)和方法引起測(cè)量的不確定性—IRIS提供可重復(fù)的刀片插入。
? 應(yīng)力腐蝕-IRIS可以以比應(yīng)力腐蝕速度更快的速度移動(dòng)葉片，從而消除了應(yīng)力腐蝕造成的誤差。
? 兼容沒有圖形的晶圓—不像Chevron鍵合強(qiáng)度測(cè)試方法那樣，需要有特定圖形的晶圓。
? 消除操作人員的影響，MAszara測(cè)試提供多次的重復(fù)結(jié)果。
? 操作更安全-不用人工操作。
? 整片晶圓的鍵合強(qiáng)度的mapping圖。

? 測(cè)量鍵合強(qiáng)度可達(dá)2.5Jm-2。
? 鍵合強(qiáng)度測(cè)量支持多種材料的組合，例如：硅、膨化玻璃、藍(lán)寶石、用戶可以輸入其它材料的彈性模數(shù)。
? 分析軟件可以連續(xù)記錄晶圓的條狀位置；通過自動(dòng)圖像分析，提取裂縫長(zhǎng)度。

AML鍵合機(jī)

晶圓對(duì)準(zhǔn)鍵合機(jī)， 廣泛應(yīng)用于MEMS器件， 晶圓級(jí)封裝技術(shù)(WLP)， 先進(jìn)真空封裝基底， TSV 3D互聯(lián)工藝等。

AML鍵合機(jī)具有duyi無二的原位晶圓對(duì)準(zhǔn)鍵合技術(shù):

? 激活、對(duì)準(zhǔn)、鍵合一體機(jī)
? 上下基板獨(dú)立加熱，適合Getter材料工藝
? 低擁有成本 & 高生產(chǎn)能力
? 智能作用力控制
? 可靠的全自動(dòng)對(duì)準(zhǔn)功能,對(duì)準(zhǔn)精度可達(dá)1微米
? **真空鍵合
? 可鍵合的芯片及晶圓尺寸 為 2” 到 12”
? 自動(dòng)程序控制功能:適用于研發(fā)或生產(chǎn)等應(yīng)用
? 圖像采集功能:用于識(shí)別背面對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記 
? 鍵合前晶圓原位激活、化學(xué)表面處理功能
? AML的BONDCENTER可為客戶提供強(qiáng)大的工藝支持

NEW!!

(New!)基於真空的臨時(shí)鍵合技術(shù)， 
在3D IC 工藝中wan美的應(yīng)用，和粘附劑說再見吧！

節(jié)省工藝時(shí)間，提高生產(chǎn)效率，
高性價(jià)比！
- 無粘附劑的真空鍵合
- 鍵合時(shí)間< 5mins
- zui高工藝溫度> 300 C
- 解鍵合時(shí)間< 10mins
- 3D-IC 工藝zui理想的選擇

基板溫度/鍵合力曲線圖，上下基板可在鍵合過程中保持不同溫度

Cu-Cu鍵合過程中在腔室內(nèi)使用蟻酸氣體對(duì)
鍵合表面氧化物進(jìn)行處理，處理后界面EDX譜圖

原位等離子體激活處理               原位對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)

FAB12 - 全自動(dòng)晶圓對(duì)準(zhǔn)鍵合機(jī)

晶圓尺寸: 150mm & 200mm (或300mm)
晶圓厚度: Max. stack height 6.5mm
晶圓傳輸: 接觸邊緣 3mm 區(qū)域
基礎(chǔ)氣壓: 10-6mbar range
抽氣時(shí)間: 5 min (to 10-4mbar)
zui大鍵合力: 25kN
卡盒數(shù)量: 2 or 3 (FOUP, SMIF or Open Cassette Load Ports)