問題：PECVD如何檢漏

描述：PECVD技術(shù)是借助微波或射頻等使含有薄膜成分原子的氣體電離，在局部形成等離子體，而等離子體化學(xué)活性很強(qiáng)，很容易發(fā)生反應(yīng)，在基片上沉積出所期望的薄膜。為了使化學(xué)反應(yīng)能在較低的溫度下進(jìn)行，利用了等離子體的活性來促進(jìn)反應(yīng)。其優(yōu)點(diǎn)是基本溫度低；沉積速率快；成膜質(zhì)量好，針孔較少，不易龜裂。

 準(zhǔn)備：在PECVD工藝中由于等離子體中高速運(yùn)動(dòng)的電子撞擊到中性的反應(yīng)氣體分子，就會(huì)使中性反應(yīng)氣體分子變成碎片或處于激活的狀態(tài)容易發(fā)生反應(yīng)。因此PECVD設(shè)備對(duì)反應(yīng)腔室及管道的泄漏要求很高，必須要應(yīng)用氦質(zhì)譜檢漏儀來查找漏點(diǎn)。

解決步驟：歌博科技A500干泵氦質(zhì)譜檢漏儀查漏時(shí)，都是將檢漏儀接到設(shè)備的檢漏預(yù)留口，由近及遠(yuǎn)的對(duì)懷疑的漏點(diǎn)逐處噴氦，直到查到所有漏點(diǎn)為止。

標(biāo)簽：PECVD氦質(zhì)譜檢漏儀真空檢漏儀