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2025-09-29 17:26:10無掩膜光刻
無掩膜光刻是一種無需傳統(tǒng)掩膜版的光刻技術(shù)，通過直接控制光束（如激光）在樣品表面進(jìn)行圖案化曝光。其基本原理是利用空間光調(diào)制器或數(shù)字微鏡設(shè)備等，將設(shè)計好的圖案轉(zhuǎn)化為光束的開關(guān)狀態(tài)，從而在樣品上形成所需的微納結(jié)構(gòu)。無掩膜光刻廣泛應(yīng)用于微納制造、半導(dǎo)體加工、生物芯片等領(lǐng)域，具有靈活性高、成本低、生產(chǎn)周期短等優(yōu)勢。

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2019-10-18 10:47:51小型無掩膜光刻直寫系統(tǒng)（MicroWriter）
    小型臺式無掩膜光刻直寫系統(tǒng)（MicroWriter ML3）是英國Durham Magneto Optics公司專為實驗室設(shè)計開發(fā)，為微流控、MEMS、半導(dǎo)體、自旋電子學(xué)等研究領(lǐng)域提供方便GX的微加工方案。傳統(tǒng)的光刻工藝中所使用的鉻玻璃掩膜板需要由專業(yè)供應(yīng)商提供，但是在研發(fā)環(huán)境中，掩膜板的設(shè)計通常需要經(jīng)常改變。無掩膜光刻技術(shù)通過以軟件設(shè)計電子掩膜板的方法，克服了這一問題。與通過物理掩膜板進(jìn)行光照的傳統(tǒng)工藝不同，激光直寫是通過電腦控制DMD微鏡矩陣開關(guān)，經(jīng)過光學(xué)系統(tǒng)調(diào)制，在光刻膠上直接曝光繪出所要的圖案。同時其還具備結(jié)構(gòu)緊湊（70cm X 70cm X 70cm）、高直寫速度，高分辨率（XY：圖8. CsPbBr3 PNC/monolayer MoS2異質(zhì)結(jié)光電器件的制備流程，紅色框所示為利用無掩膜激光直寫系統(tǒng)（MicroWriter）所制備電極結(jié)構(gòu)示意 圖9. （左）利用MicroWriter制備的MoS2基器件的I-V特性曲線，其中所示單層MoS2形貌及表面電極；（右）MicroWriter虛擬掩膜功能（VMA）結(jié)果示意
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2019-10-16 10:05:04成果速遞|小型無掩膜光刻直寫系統(tǒng)（MicroWriter）在復(fù)旦大學(xué)包文中教授課題組的Z新研究應(yīng)用
    隨著電子信息產(chǎn)業(yè)的高速發(fā)展，集成電路的需求出現(xiàn)了井噴式的增長。使得掩膜的需求急劇增加，目前制作掩膜的主要技術(shù)是電子束直寫，但該制作效率非常低下，并且成本也不容小覷，在這種背景下人們把目光轉(zhuǎn)移到了無掩膜光刻技術(shù)。    英國Durham Magneto Optics公司致力于研發(fā)小型臺式無掩膜光刻直寫系統(tǒng)（MicroWriter ML3），為微流控、MEMS、半導(dǎo)體、自旋電子學(xué)等研究領(lǐng)域提供方便GX的微加工方案。傳統(tǒng)的光刻工藝中所使用的鉻玻璃掩膜板需要由專業(yè)供應(yīng)商提供，但是在研發(fā)過程中，掩膜板的設(shè)計通常需要根據(jù)實際情況多次改變。無掩膜光刻技術(shù)通過以軟件設(shè)計電子掩膜板的方法，克服了這一問題。與通過物理掩膜板進(jìn)行光照的傳統(tǒng)工藝不同，激光直寫是通過電腦控制DMD微鏡矩陣開關(guān)，經(jīng)過光學(xué)系統(tǒng)調(diào)制，在光刻膠上直接曝光繪出所要的圖案。同時其還具備結(jié)構(gòu)緊湊（70cm X 70cm X 70cm）、高直寫速度，高分辨率（XY：相關(guān)參考：1. 小型無掩膜光刻直寫系統(tǒng)：http://www.qd-china.com/products2.aspx?id=2972. High-Performance Wafer-Scale MoS2 Transistors toward Practical Application. Small 2018, 18034653. Wafer-scale transferred multilayer MoS2 for high performance field effect transistors. Nanotechnology, 2019, 30,174002
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2023-06-14 16:49:45無掩膜直寫光刻系統(tǒng)助力二維材料異質(zhì)結(jié)構(gòu)電輸運(yùn)性能研究，意大利
期刊：ACS NanoIF：18.027文章鏈接: https://doi.org/10.1021/acsnano.1c09131 【引言】      MoS2是一種典型的二維材料，也是電子器件的重要組成部分。研究者發(fā)現(xiàn)，當(dāng)MoS2與石墨烯接觸會產(chǎn)生van der Waals作用，使之具有良好的電學(xué)特性，可廣泛應(yīng)用于各類柔性電子器件、光電器件、傳感器件的研究。然而，MoS2-石墨烯異質(zhì)結(jié)構(gòu)背后的電輸運(yùn)機(jī)理尚不明確。這主要是因為傳統(tǒng)器件只有兩個接觸點，不能將MoS2-石墨烯異質(zhì)結(jié)構(gòu)產(chǎn)生的電學(xué)輸運(yùn)特性與二維材料自身的電學(xué)特性所區(qū)分。此外，電荷轉(zhuǎn)移、應(yīng)變、電荷在缺陷處被俘獲等因素也會對器件的電輸運(yùn)性能產(chǎn)生影響，進(jìn)一步提高了相關(guān)研究的難度。盡管已有很多文獻(xiàn)報道MoS2-石墨烯異質(zhì)結(jié)構(gòu)的電輸運(yùn)性能，但這些研究主要基于理論計算，缺乏對MoS2-石墨烯異質(zhì)結(jié)構(gòu)的電輸運(yùn)性能在場效應(yīng)器件中的實驗研究。 【成果簡介】     2021年，意大利比薩大學(xué)Ciampalini教授課題組利用小型臺式無掩膜直寫光刻系統(tǒng)- MicroWriter ML3 制備出基于MoS2-石墨烯異質(zhì)結(jié)構(gòu)的多場效應(yīng)管器件，在場效應(yīng)管器件中直接測量了MoS2-石墨烯異質(zhì)結(jié)構(gòu)的電輸運(yùn)特性。通過比較MoS2的跨導(dǎo)曲線和石墨烯的電流電壓特性，發(fā)現(xiàn)在n通道的跨導(dǎo)輸運(yùn)被抑制，這一現(xiàn)象明顯不同于傳統(tǒng)對場效應(yīng)的認(rèn)知。借助第一性原理計算發(fā)現(xiàn)這一獨(dú)特的輸運(yùn)抑制現(xiàn)象與硫空位相關(guān)。     本文中所使用的小型臺式無掩膜直寫光刻系統(tǒng)- MicroWriter ML3無需掩膜版，可在光刻膠上直接曝光繪出所要的圖案。設(shè)備采用集成化設(shè)計，全自動控制，可靠性高，操作簡便，同時其還具備結(jié)構(gòu)緊湊（70cm X 70cm X 70cm）、高直寫速度，高分辨率（XY：
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2023-06-29 10:11:54無掩膜直寫光刻系統(tǒng)助力二維材料異質(zhì)結(jié)構(gòu)電輸運(yùn)性能研究，意大利科學(xué)家揭秘其機(jī)理！
期刊：ACS NanoIF：18.027文章鏈接: https://doi.org/10.1021/acsnano.1c09131引言MoS2是一種典型的二維材料，也是電子器件的重要組成部分。研究者發(fā)現(xiàn)，當(dāng)MoS2與石墨烯接觸會產(chǎn)生van der Waals作用，使之具有良好的電學(xué)特性，可廣泛應(yīng)用于各類柔性電子器件、光電器件、傳感器件的研究。然而，MoS2-石墨烯異質(zhì)結(jié)構(gòu)背后的電輸運(yùn)機(jī)理尚不明確。這主要是因為傳統(tǒng)器件只有兩個接觸點，不能將MoS2-石墨烯異質(zhì)結(jié)構(gòu)產(chǎn)生的電學(xué)輸運(yùn)特性與二維材料自身的電學(xué)特性所區(qū)分。此外，電荷轉(zhuǎn)移、應(yīng)變、電荷在缺陷處被俘獲等因素也會對器件的電輸運(yùn)性能產(chǎn)生影響，進(jìn)一步提高了相關(guān)研究的難度。盡管已有很多文獻(xiàn)報道MoS2-石墨烯異質(zhì)結(jié)構(gòu)的電輸運(yùn)性能，但這些研究主要基于理論計算，缺乏對MoS2-石墨烯異質(zhì)結(jié)構(gòu)的電輸運(yùn)性能在場效應(yīng)器件中的實驗研究。成果簡介2021年，意大利比薩大學(xué)Ciampalini教授課題組利用小型臺式無掩膜直寫光刻系統(tǒng)- MicroWriter ML3 制備出基于MoS2-石墨烯異質(zhì)結(jié)構(gòu)的多場效應(yīng)管器件，在場效應(yīng)管器件中直接測量了MoS2-石墨烯異質(zhì)結(jié)構(gòu)的電輸運(yùn)特性。通過比較MoS2的跨導(dǎo)曲線和石墨烯的電流電壓特性，發(fā)現(xiàn)在n通道的跨導(dǎo)輸運(yùn)被抑 制，這一現(xiàn)象明顯不同于傳統(tǒng)對場效應(yīng)的認(rèn)知。借助第 一性原理計算發(fā)現(xiàn)這一獨(dú)特的輸運(yùn)抑 制現(xiàn)象與硫空位相關(guān)。本文中所使用的小型臺式無掩膜直寫光刻系統(tǒng)- MicroWriter ML3無需掩膜版，可在光刻膠上直接曝光繪出所要的圖案。設(shè)備采用集成化設(shè)計，全自動控制，可靠性高，操作簡便，同時其還具備結(jié)構(gòu)緊湊（70cm X 70cm X 70cm）、高直寫速度，高分辨率（XY：
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2025-01-09 12:45:13玻璃膜熱傳導(dǎo)測試儀怎么用
玻璃膜熱傳導(dǎo)測試儀怎么用：全面解析與操作指南 玻璃膜熱傳導(dǎo)測試儀是一種專業(yè)的測量設(shè)備，廣泛應(yīng)用于玻璃材料以及其他薄膜材料的熱傳導(dǎo)性能測試。隨著科技的不斷發(fā)展，玻璃膜在建筑、汽車、電子產(chǎn)品等領(lǐng)域得到了越來越廣泛的應(yīng)用。為了確保其在不同環(huán)境下的表現(xiàn)，測試其熱傳導(dǎo)性能成為了至關(guān)重要的一環(huán)。本文將詳細(xì)介紹玻璃膜熱傳導(dǎo)測試儀的使用方法，幫助您理解如何正確操作這一設(shè)備，以獲得準(zhǔn)確的測試結(jié)果。 玻璃膜熱傳導(dǎo)測試儀的基本結(jié)構(gòu)與原理 玻璃膜熱傳導(dǎo)測試儀的主要功能是測定薄膜材料的熱導(dǎo)率。它通常由溫度傳感器、加熱裝置、數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)等幾個部分組成。測試原理基于熱傳導(dǎo)的基本定律，通過加熱玻璃膜的一個表面，監(jiān)測另一表面的溫度變化，進(jìn)而計算出熱導(dǎo)率。設(shè)備的準(zhǔn)確性和穩(wěn)定性是保證測試結(jié)果可靠性的關(guān)鍵因素。 如何使用玻璃膜熱傳導(dǎo)測試儀 準(zhǔn)備工作 在使用玻璃膜熱傳導(dǎo)測試儀之前，首先要確認(rèn)設(shè)備的校準(zhǔn)情況。確保傳感器、加熱模塊和數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)正常工作。然后，選擇合適的玻璃膜樣品，清潔其表面以避免污染物影響測試結(jié)果。 安裝樣品 將玻璃膜樣品安裝在測試儀的測試平臺上。樣品的位置需要固定，避免在測試過程中發(fā)生位移。通常測試儀會提供一對加熱和冷卻設(shè)備，用于模擬不同的溫度差，確保熱量傳導(dǎo)的測試環(huán)境準(zhǔn)確。 設(shè)置測試參數(shù) 根據(jù)需要測試的材料和實驗條件，設(shè)置相應(yīng)的測試參數(shù)。這包括設(shè)定初始溫度、加熱時間、溫度梯度等。在設(shè)置過程中要特別注意溫度的均勻性，以確保測試結(jié)果的準(zhǔn)確性。 啟動測試 啟動測試程序后，測試儀將開始加熱樣品，并實時監(jiān)控另一側(cè)的溫度變化。根據(jù)測試儀的類型，數(shù)據(jù)可能會實時顯示在設(shè)備的屏幕上，或者通過軟件進(jìn)行記錄。部分高端設(shè)備還提供自動分析功能，直接給出熱導(dǎo)率的數(shù)值。 數(shù)據(jù)分析與結(jié)果輸出 測試完成后，可以通過設(shè)備的內(nèi)置軟件對數(shù)據(jù)進(jìn)行進(jìn)一步分析。通常，熱導(dǎo)率的結(jié)果會以數(shù)值的形式輸出，您可以根據(jù)這些數(shù)據(jù)評估玻璃膜的熱導(dǎo)性能。部分設(shè)備還會生成測試報告，方便存檔和對比分析。 玻璃膜熱傳導(dǎo)測試的注意事項 在使用玻璃膜熱傳導(dǎo)測試儀時，有幾個關(guān)鍵的注意事項需要特別關(guān)注： 樣品選擇：確保樣品的厚度和表面狀況符合測試要求。表面不平整或有氣泡的樣品可能導(dǎo)致誤差。 環(huán)境溫度：測試過程中，環(huán)境溫度的變化可能影響測試結(jié)果，最好在穩(wěn)定的環(huán)境下進(jìn)行測試。 設(shè)備校準(zhǔn)：定期對測試儀進(jìn)行校準(zhǔn)，確保測試數(shù)據(jù)的準(zhǔn)確性。 結(jié)論 玻璃膜熱傳導(dǎo)測試儀在現(xiàn)代工業(yè)中具有重要的應(yīng)用價值，能夠精確評估玻璃膜等薄膜材料的熱傳導(dǎo)性能。正確使用該設(shè)備，不僅能夠提高測試效率，還能為材料性能優(yōu)化提供科學(xué)依據(jù)。掌握設(shè)備的使用方法和操作技巧，對于專業(yè)人員在進(jìn)行熱傳導(dǎo)測試時至關(guān)重要。
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