氣相沉積技術(shù)是對(duì)氣相中發(fā)生的物理、化學(xué)過(guò)程加以利用，對(duì)工件表面成分進(jìn)行改變，使得具有特殊性能(例如超硬耐磨層或具有特殊的光學(xué)、電學(xué)性能)的金屬或化合物涂層在表面形成的新技術(shù)。氣相沉積一般是將厚度大概為0.5-10微米的一層過(guò)渡族元素(鈦、釩、鉻、鋯、鉬、鉭、鈮及鉿)與碳、氮、氧和硼的化合物覆蓋于工件表面。氣相沉積根據(jù)過(guò)程的本質(zhì)包括物理氣相沉積以及化學(xué)氣相沉積兩大類。氣相沉積為強(qiáng)化模具表面的新技術(shù)之一，已經(jīng)在各類模具的表面硬化處理方面得到了非常廣泛地應(yīng)用。TiC，TiN為主要應(yīng)用的沉積層。

氣相沉積技術(shù)概述

但是，事實(shí)上，反應(yīng)室中的反應(yīng)相當(dāng)?shù)膹?fù)雜，必須要考慮的因素相當(dāng)?shù)亩啵练e參數(shù)有著相當(dāng)寬的變化范圍。沉積參數(shù)會(huì)因?yàn)橹T如是否需要其它反應(yīng)室外的外部能量來(lái)源、反應(yīng)的中間產(chǎn)品起的作用、一種氣體相對(duì)于另一種氣體的比率、氣體的化學(xué)成份、氣體通過(guò)晶片的路程、氣體的流動(dòng)速率、晶片的溫度以及反應(yīng)室內(nèi)的壓力所加速或誘發(fā)。諸如等離子體能量為諸如等離子體能量，當(dāng)然會(huì)有如離子與中性氣流的比率，離子能和晶片上的射頻偏壓等一整套新變數(shù)產(chǎn)生。

之后，對(duì)沉積薄膜中的變數(shù)進(jìn)行考慮：如結(jié)晶晶向和缺陷密度，薄膜的化學(xué)配比(化學(xué)成份和分布狀態(tài))以及在整個(gè)晶片內(nèi)厚度的均勻性和在圖形上的覆蓋特性(后者指跨圖形臺(tái)階的覆蓋)。當(dāng)然，一個(gè)重要的因素為沉積速率，反應(yīng)室的產(chǎn)出量取決于沉積速率這一重要的因素。需要折中考慮薄膜的高質(zhì)量與高的沉積速率。反應(yīng)生成的膜除了會(huì)在晶片上沉積，而且也會(huì)在反應(yīng)室的其他部件上沉積，非常重要的是對(duì)反應(yīng)室進(jìn)行清洗的次數(shù)和徹底程度。