磁控濺射儀為一種用于物理學領域的分析儀器，于2015年05月25日啟用。

磁控濺射為物理氣相沉積的一種。金屬、半導體、絕緣體等多材料的制備通常會采用一般的濺射法，其的特點為有著較為簡單的設備，控制起來不困難，有著較大的鍍膜面積以及有著較強的附著力等。在上世紀 70 年代發(fā)展起來的磁控濺射法更是使高速、低溫、低損傷得以實現(xiàn)。由于高速濺射是在低氣壓下進行，必須要使氣體的離化率得到有效地提高。磁控濺射利用將磁場往靶陰極表面引入，通過磁場約束帶電粒子來使得等離子體密度提高進而使得濺射率增加。

反應磁控濺射

靶陰極材料可以采用金屬、合金、低價金屬化合物或半導體，在基片表面沉積成膜過程中或者在濺射過程中和氣體粒子發(fā)生反應使得化合物薄膜生成，此即為反應磁控濺射。在化合物薄膜的大批量生產(chǎn)中廣泛應用反應磁控濺射廣，有如下四點原因：

1、反應磁控濺射沉積過程中，基板升高較小的溫度，并且在制膜過程中對基板進行高溫加熱一般也不會被要求，所以很少會限制基板材料的。

2、反應磁控濺射對于大面積均勻薄膜的制備相當適用，并且可以使單機年產(chǎn)上百萬平方米鍍膜的工業(yè)化生產(chǎn)得以實現(xiàn)。

3、反應磁控濺射所用的反應氣體 ( 氧、氮、碳氫化合物等 ) 以及靶材料 ( 單元素靶或多元素靶 )均具有相當高的純度，所以對于高純度的化合物薄膜的制備相當?shù)挠袔椭?/span>

4、通過對反應磁控濺射中的工藝參數(shù)的調(diào)節(jié)，能夠?qū)瘜W配比或非化學配比的化合物薄膜進行制備，薄膜特性也可以通過對薄膜的組成的調(diào)節(jié)來進行調(diào)控。