磁控濺射儀為一種用于物理學(xué)領(lǐng)域的分析儀器，于2015年05月25日啟用。

磁控濺射為物理氣相沉積的一種。金屬、半導(dǎo)體、絕緣體等多材料的制備通常會采用一般的濺射法，其的特點為有著較為簡單的設(shè)備，控制起來不困難，有著較大的鍍膜面積以及有著較強的附著力等。在上世紀 70 年代發(fā)展起來的磁控濺射法更是使高速、低溫、低損傷得以實現(xiàn)。由于高速濺射是在低氣壓下進行，必須要使氣體的離化率得到有效地提高。磁控濺射利用將磁場往靶陰極表面引入，通過磁場約束帶電粒子來使得等離子體密度提高進而使得濺射率增加。

直流反應(yīng)濺射問題和解決方法

靶表面非侵蝕區(qū)在直流反應(yīng)濺射的反應(yīng)氣體的作用下會使絕緣介質(zhì)層形成，導(dǎo)致電荷積累放電，使得沉積速率降低和不穩(wěn)定情況發(fā)生，從而會對薄膜的均勻性及重復(fù)性產(chǎn)生影響，甚至?xí)Π泻突兴鶕p壞。為了使這一問題得以解決，這些年以來，一系列穩(wěn)定等離子體被發(fā)展來對沉積速率進行控制，使薄膜均勻性和重復(fù)性的輔助技術(shù)得以提高。如下為解決方法：

1、使輸入功率降低，并且使用可以在放電時自動切斷輸出功率的智能電源來對電弧加以yi制。

2、分室進行反應(yīng)過程與沉積過程，不僅可以對薄膜沉積速率進行有效地提高，又可以使反應(yīng)氣體與薄膜表面充分反應(yīng)使化合物薄膜生成。

3、反應(yīng)磁控濺射過程中，由于絕緣介質(zhì)膜覆蓋陽極從而導(dǎo)致的等離子體不穩(wěn)定現(xiàn)象采用雙靶中頻電源來進行解決，與此同時，電荷積累放電的問題也被解決了。

4、電荷積累放電的問題通過等離子發(fā)射譜監(jiān)測等離子體中的金屬粒子含量來進行調(diào)節(jié)，從而穩(wěn)定等離子體放電電壓，從而穩(wěn)定沉積速率。

5、 使用圓柱形旋轉(zhuǎn)靶來使絕緣介質(zhì)膜的覆蓋面積減小。