化學(xué)氣相沉積為一種化工技術(shù)，在襯底表面上含有薄膜元素的一種或幾種氣相化合物或單質(zhì)進行化學(xué)反應(yīng)使得薄膜生成為該技術(shù)的主要方法。近幾十年化學(xué)氣相淀積這種對無機材料進行制備的新技術(shù)發(fā)展了起來?；瘜W(xué)氣相淀積法已經(jīng)在各種單晶、多晶或玻璃態(tài)無機薄膜材料的淀積，新晶體的研制以及物質(zhì)的提純方便得到了非常廣泛地應(yīng)用。這些材料既能夠是碳化物、氮化物、硫化物、氧化物也能夠為III-V、II-IV、IV-VI族中的二元或多元的元素間化合物，并且能夠利用氣相摻雜的淀積過程來對它們的物理功能進行精確地控制?；瘜W(xué)氣相淀積已經(jīng)變成無機合成化學(xué)的一個新領(lǐng)域。

化學(xué)氣相沉積分類

化學(xué)氣相沉積包括等離子體增強化學(xué)氣相沉積，金屬有機物化學(xué)氣相沉積，激光化學(xué)氣相沉積，超高真空化學(xué)氣相沉積，低壓化學(xué)氣相沉以及常壓化學(xué)氣相沉積等多種方法。

化學(xué)氣相沉積應(yīng)用

化學(xué)氣相沉積法對晶體、晶體薄膜進行生產(chǎn)

化學(xué)氣相沉積法除了能夠幫助改善晶體或者晶體薄膜的性能，并且也能夠?qū)⒃S多其他手段不能夠制備出的一些晶體生產(chǎn)出來?；瘜W(xué)氣相沉積法zui為常見的使用方式為使新的外延單晶層在某個晶體襯底上生成，硅的制備為其zui開始的用途，之后又將外延化合物半導(dǎo)體層制備了

出來。較為常見的是其在如制備 W、Mo、Pt、Ir 等以及如鐵酸鎳薄膜、釔鐵石榴石薄膜、鈷鐵氧體薄膜等個別的化合物單晶薄膜的制備上。