離子刻蝕機(jī) VITA反應(yīng)離子刻蝕機(jī)（垂直腔室）
離子刻蝕機(jī)
ETD-100AF 熱蒸發(fā)鍍膜機(jī)
離子刻蝕機(jī)清洗機(jī)Co系列桌面式等離子刻蝕機(jī)清洗機(jī)
成都真空設(shè)備廠家 research熱蒸發(fā)/磁控濺射 多靶復(fù)合磁控濺射鍍膜機(jī) 離子刻蝕機(jī)功能 可定制
因產(chǎn)品配置不同, 價(jià)格貨期需要電議, 圖片僅供參考, 一切以實(shí)際成交合同為準(zhǔn)
伯東公司日本原裝設(shè)計(jì)制造離子蝕刻機(jī) IBE. 提供微米級(jí)刻蝕, 均勻性: ≤±5%, 滿足所有材料的刻蝕, 即使對(duì)磁性材料, 黃金 Au, 鉑 Pt, 合金等金屬及復(fù)合半導(dǎo)體材料, 這些難刻蝕的材料也能提供蝕刻. 可用于反應(yīng)離子刻蝕 RIE 不能很好刻蝕的材料. 自 1970年至今, 伯東公司已累計(jì)交付約 500套離子刻蝕機(jī).
伯東公司超過 50年的刻蝕 IBE 市場(chǎng)經(jīng)驗(yàn), 擁有龐大的安裝基礎(chǔ)和經(jīng)過市場(chǎng)驗(yàn)證的刻蝕技術(shù)!
離子刻蝕機(jī) 4IBE 離子刻蝕機(jī) 20IBE 全自動(dòng)蝕刻機(jī) MEL 3100
離子蝕刻機(jī) IBE 主要型號(hào)
伯東提供用于研究分析的小尺寸離子刻蝕機(jī), 用于生產(chǎn)制造的大尺寸離子蝕刻機(jī)以及全自動(dòng)蝕刻機(jī).
配置美國(guó) KRI 考夫曼離子源和德國(guó) Pfeiffer 分子泵.
型號(hào) | 4 IBE | 7.5 IBE | 16 IBE | 20 IBE-C | MEL 3100 |
樣品數(shù)量尺寸 | 4”φ, 1片 | 4”φ, 1片 | 6”φ, 1片 | 4”φ, 6片 | 3”φ-6”φ,1片 |
離子束入射角度 | 0～± 90 | 0～± 90 | 0～± 90 | 0～± 90 | - |
考夫曼離子源 | KDC 40 | KDC 75 | KDC 160 | 考夫曼型 | - |
極限真空度 Pa | ≦1x10-4 | ≦1x10-4 | ≦1x10-4 | ≦1x10-4 | ≦8x10-5 |
Pfeiffer 分子泵抽速 l/s | 350 | 350 | 1250 | 1250 | - |
均勻性 | ≤±5% | ≤±5% | ≤±5% | ≤±5% | ≤±5% |
離子蝕刻機(jī)特性:
1. 采用美國(guó) KRI 考夫曼型離子源, 保障蝕刻速率和均勻性
2. 干式制程, 物理蝕刻的特性
3. 蝕刻可以根據(jù)需要做垂直, 斜面等等加工形狀.
4. 基板直接加裝在直接冷卻裝置上, 所以可以在低溫環(huán)境下蝕刻.
5. 配置公轉(zhuǎn)自轉(zhuǎn)傳輸機(jī)構(gòu) ”Dry Chuck Planet ”, 使得樣品可以得到比較均勻平滑的表面.
通 Ar 時(shí), 對(duì)各種材料的刻蝕速率
NS 離子刻蝕機(jī) 20IBE-J 視頻
離子刻蝕機(jī) 3-4inch 20IBE 視頻
離子蝕刻機(jī)應(yīng)用
薄膜磁頭 Thin film Magnetic Head, 自旋電子學(xué) Spintronics, MR Sencer
微電子機(jī)械系統(tǒng) MEMS Micro-electromechanical Systems
射頻設(shè)備 RF Devices, 光學(xué)組件 Optical Component, 超導(dǎo)電性 Super Conductivity
Hakuto 日本原裝設(shè)計(jì)制造離子刻蝕機(jī) IBE, 提供微米級(jí)刻蝕, 滿足所有材料的刻蝕, 即使對(duì)磁性材料,黃金 Au, 鉑 Pt, 合金等金屬及復(fù)合半導(dǎo)體材料, 這些難刻蝕的材料也能提供蝕刻. 可用于反應(yīng)離子刻蝕 RIE 不能很好刻蝕的材料. 自 1970年至今, Hakuto 伯東已累計(jì)交付約 500套離子蝕刻機(jī). 蝕刻機(jī)可配置德國(guó) Pfeiffer 渦輪分子泵和美國(guó) KRI 考夫曼離子源!
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上海伯東: 葉小姐 臺(tái)灣伯東: 王小姐
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VIM-2 優(yōu)勢(shì): 10 mbar（暖容器）~ 5×10?? mbar（低溫容器） 鋰電池供電（>3 小時(shí)續(xù)航），藍(lán)牙/Win 端遠(yuǎn)程操作 無電子穿透真空，抗腐蝕（1.4404/1.4034 不銹鋼） <1% 年漂移率，無需校準(zhǔn) 1s 響應(yīng)（快模式），內(nèi)置 1023 組數(shù)據(jù)記錄 1 個(gè)讀數(shù)頭可匹配多個(gè)傳感器，降低部署成本
超高精度：0.1 mbar至1×10?? mbar范圍內(nèi)達(dá)讀數(shù)±1% 100%線性壓力讀數(shù)（與氣體種類無關(guān)） 長(zhǎng)期穩(wěn)定性：年漂移率<1.5% 不銹鋼傳感器抗腐蝕與沉積 安全潔凈測(cè)量：無污染/無熱輻射/無電離效應(yīng)
潤(rùn)滑油
伯東公司日本原裝設(shè)計(jì)制造離子蝕刻機(jī) IBE. 提供微米級(jí)刻蝕, 均勻性: ≤±5%, 滿足所有材料的刻蝕, 即使對(duì)磁性材料, 黃金 Au, 鉑 Pt, 合金等金屬及復(fù)合半導(dǎo)體材料, 這些難刻蝕的材料也能提供蝕刻. 可用于反應(yīng)離子刻蝕 RIE 不能很好刻蝕的材料
伯東公司日本原裝進(jìn)口小型離子蝕刻機(jī), 適用于科研院所, 實(shí)驗(yàn)室研究, 干式制程的微細(xì)加工裝置, 特別適用于磁性材料, 金, 鉑及各種合金的銑削加工.
伯東公司日本原裝進(jìn)口小型離子蝕刻機(jī), 適用于科研院所, 實(shí)驗(yàn)室研究, 干式制程的微細(xì)加工裝置, 特別適用于磁性材料, 金, 鉑及各種合金的銑削加工.
上海伯東日本原裝進(jìn)口適合小規(guī)模量產(chǎn)使用和實(shí)驗(yàn)室研究的離子蝕刻機(jī), 一般通氬氣 Ar, 內(nèi)部使用美國(guó) KRI 考夫曼離子源 KDC 40 產(chǎn)生轟擊離子; 終點(diǎn)檢出器采用 Pfeiffer 殘余質(zhì)譜監(jiān)測(cè)當(dāng)前氣體成分, 判斷刻蝕情況.
Aston? 特性 實(shí)時(shí)過程控制的通用工具, 耐腐蝕性氣體, 抗冷凝 半導(dǎo)體制造的分子分析原位平臺(tái), 提供實(shí)時(shí), 可操作的數(shù)據(jù) 采用等離子體電離源, 無燈絲, 更耐用 可與大批量生產(chǎn)工具完全集成 Aston? 作為一個(gè)強(qiáng)大的平臺(tái), 可以取代多種傳統(tǒng)工具, 提供前所未有的控制水平, 包括光刻, 電介質(zhì)和導(dǎo)電蝕刻及沉積, 腔室清潔, 腔室匹配和消解.
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