離子刻蝕機(jī) VITA反應(yīng)離子刻蝕機(jī)(垂直腔室)
離子刻蝕機(jī)
ETD-100AF 熱蒸發(fā)鍍膜機(jī)
離子刻蝕機(jī)清洗機(jī)Co系列桌面式等離子刻蝕機(jī)清洗機(jī)
成都真空設(shè)備廠家 research熱蒸發(fā)/磁控濺射 多靶復(fù)合磁控濺射鍍膜機(jī) 離子刻蝕機(jī)功能 可定制
因產(chǎn)品配置不同, 價(jià)格貨期需要電議, 圖片僅供參考, 一切以實(shí)際成交合同為準(zhǔn)
上海伯東日本原裝進(jìn)口適合小規(guī)模量產(chǎn)使用和實(shí)驗(yàn)室研究的離子蝕刻機(jī), 一般通氬氣 Ar, 內(nèi)部使用美國 KRI 考夫曼離子源 KDC 40 產(chǎn)生轟擊離子; 終點(diǎn)檢出器采用 Pfeiffer 殘余質(zhì)譜監(jiān)測當(dāng)前氣體成分, 判斷刻蝕情況.
基板尺寸 | φ4 X 1wfr | |
樣品臺 | 直接冷卻(水冷)0-90 度旋轉(zhuǎn) | |
離子源 | 4 cm,8cm,10cm,16cm | |
均勻性 | ±5% for 4”Ф | |
硅片刻蝕率 | 20 nm/min | |
溫度 | <100 |
伯東離子蝕刻機(jī)主要優(yōu)點(diǎn)
1. 干式制程的微細(xì)加工裝置, 使得在薄膜磁頭, 半導(dǎo)體元件, MR sensor 等領(lǐng)域的開發(fā)研究及量產(chǎn)得以廣泛應(yīng)用.
2. 物理蝕刻的特性, 無論使用什么材料都可以用來加工, 所以各種領(lǐng)域都可以被廣泛應(yīng)用.
3. 配置使用美國考夫曼離子源
4. 射頻角度可以任意調(diào)整, 蝕刻可以根據(jù)需要做垂直, 斜面等等加工形狀.
5. 基板直接加裝在直接冷卻裝置上, 所以可以在低溫環(huán)境下蝕刻.
6. 配置公轉(zhuǎn)自轉(zhuǎn)傳輸機(jī)構(gòu), 使得被蝕刻物可以得到比較均勻平滑的表面.
7. 機(jī)臺設(shè)計(jì)使用自動(dòng)化的操作流程, 所以可以有非常友好的使用生產(chǎn)過程.
離子蝕刻機(jī) 10IBE 組成:
離子蝕刻機(jī)通氬氣 Ar 不同材料的蝕刻速率:
Hakuto 日本原裝設(shè)計(jì)制造離子刻蝕機(jī) IBE, 提供微米級刻蝕, 滿足所有材料的刻蝕, 即使對磁性材料,黃金 Au, 鉑 Pt, 合金等金屬及復(fù)合半導(dǎo)體材料, 這些難刻蝕的材料也能提供蝕刻. 可用于反應(yīng)離子刻蝕 RIE 不能很好刻蝕的材料. 自 1970年至今, Hakuto 伯東已累計(jì)交付約 500套離子蝕刻機(jī). 蝕刻機(jī)可配置德國 Pfeiffer 渦輪分子泵和美國 KRI 考夫曼離子源!
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上海伯東: 葉小姐 臺灣伯東: 王小姐
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VIM-2 優(yōu)勢: 10 mbar(暖容器)~ 5×10?? mbar(低溫容器) 鋰電池供電(>3 小時(shí)續(xù)航),藍(lán)牙/Win 端遠(yuǎn)程操作 無電子穿透真空,抗腐蝕(1.4404/1.4034 不銹鋼) <1% 年漂移率,無需校準(zhǔn) 1s 響應(yīng)(快模式),內(nèi)置 1023 組數(shù)據(jù)記錄 1 個(gè)讀數(shù)頭可匹配多個(gè)傳感器,降低部署成本
超高精度:0.1 mbar至1×10?? mbar范圍內(nèi)達(dá)讀數(shù)±1% 100%線性壓力讀數(shù)(與氣體種類無關(guān)) 長期穩(wěn)定性:年漂移率<1.5% 不銹鋼傳感器抗腐蝕與沉積 安全潔凈測量:無污染/無熱輻射/無電離效應(yīng)
潤滑油
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伯東公司日本原裝進(jìn)口小型離子蝕刻機(jī), 適用于科研院所, 實(shí)驗(yàn)室研究, 干式制程的微細(xì)加工裝置, 特別適用于磁性材料, 金, 鉑及各種合金的銑削加工.
伯東公司日本原裝進(jìn)口小型離子蝕刻機(jī), 適用于科研院所, 實(shí)驗(yàn)室研究, 干式制程的微細(xì)加工裝置, 特別適用于磁性材料, 金, 鉑及各種合金的銑削加工.
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Aston? 特性 實(shí)時(shí)過程控制的通用工具, 耐腐蝕性氣體, 抗冷凝 半導(dǎo)體制造的分子分析原位平臺, 提供實(shí)時(shí), 可操作的數(shù)據(jù) 采用等離子體電離源, 無燈絲, 更耐用 可與大批量生產(chǎn)工具完全集成 Aston? 作為一個(gè)強(qiáng)大的平臺, 可以取代多種傳統(tǒng)工具, 提供前所未有的控制水平, 包括光刻, 電介質(zhì)和導(dǎo)電蝕刻及沉積, 腔室清潔, 腔室匹配和消解.