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化學機械拋光(CMP)廣泛應用于半導體工業(yè)中,用于沉積絕緣體和金屬層后的晶圓表面的平面化。在拋光過程中,晶圓片被壓在拋光表面,稱為拋光墊。晶圓片和襯墊相互獨立旋轉(zhuǎn)(見圖1)。CMP 漿液被分配到襯墊上并在其上形成一層薄薄的膜。施加在漿料顆粒上的壓力和相對速度所產(chǎn)生的機械效應和水和化學試劑所產(chǎn)生的化學效應的結(jié)合,導致硅片表面的物質(zhì)被去除。
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