控制硅基半導(dǎo)體器件中的雜質(zhì)含量是至關(guān)重要的，因為即使是超痕量的雜質(zhì)都可能會導(dǎo)致器件發(fā)生缺陷出于質(zhì)量控制的目的，常規(guī)分析的硅主要有兩種類型：體硅和硅晶片表面由于許多重要的待測元素在使用電感耦合等離子體質(zhì)譜儀分析時會受到等離子產(chǎn)生的分子和同質(zhì)異位素的干擾，因此對許多重要的待測元素的分析都很困難，這進(jìn)一步增加了分析硅雜質(zhì)的難度和復(fù)雜性通過向通用池中通入適當(dāng)?shù)牡土髁糠磻?yīng)氣和使用獨(dú)特的動態(tài)帶通調(diào)諧（DBT）的功能，就能夠在離子束進(jìn)入四級桿質(zhì)譜前用化學(xué)方法將干擾去除，而這兩個功能都是NexION 300 ICP-MS所兼具的本應(yīng)用報告證明了NexION 300SICP-MS使用低流量霧化器對小體積體硅樣品中的雜質(zhì)元素進(jìn)行測定的能力 PerkinElmer 等離子質(zhì)譜儀