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KRI 離子源用于離子束拋光機(jī)

來源:伯東企業(yè)(上海)有限公司 更新時(shí)間:2023-11-08 10:54:24 閱讀量:231

 

    離子束拋光適用于大面積、異型、特殊材料等加工對(duì)象的超高精度非接觸式修形及拋光, 精度可達(dá)亞納米級(jí), 被譽(yù)為拋光. 離子束拋光機(jī)的Z核心部件是可聚焦的高能量離子源. 上海伯東某客戶為專業(yè)精密光學(xué)元器件設(shè)備制造商, 主要產(chǎn)品為離子束拋光機(jī)、磁流變拋光機(jī)等, 提供超精密光學(xué)工藝制造研發(fā)服務(wù), 是一家超精密光學(xué)元器件解決方案提供商. 經(jīng)推薦, 該客戶采用上海伯東美國 KRi 直流電源式考夫曼離子源 KDC 系列成功應(yīng)用于光學(xué)鍍膜離子束拋光機(jī).

 

KRI 離子源用于離子束拋光機(jī):  

應(yīng)用方向:非接觸式亞納米離子束表面修形

應(yīng)用領(lǐng)域:半導(dǎo)體/精密光學(xué)

產(chǎn)品類別:高精密光學(xué)器件

加工指標(biāo):

1. 加工尺寸能力 5-1200mm ;

2. 采用非接觸式加工, 無邊緣效應(yīng), 不產(chǎn)生亞表面損傷;

3. 亞納米加工精度, 可實(shí)現(xiàn)面型 RMS<3nm 高精度拋光能力;

4. 加工光學(xué)元器件形狀有:平面、球面、非球面、自由曲面、離軸非球面等;

5. 加工光學(xué)元器件材料有:石英玻璃、微晶、超低膨脹玻璃、KDP 晶體、藍(lán)寶石、硅、碳化硅、紅外材料等. 

 

    美國 KRI 考夫曼公司新升級(jí) Gridded KDC 系列離子源, 新的特性包含自對(duì)準(zhǔn)離子光學(xué)和開關(guān)式電源控制. 考夫曼離子源 KDC 系列包含多種不同尺寸的離子源滿足各類應(yīng)用. 考夫曼離子源通過控制離子的強(qiáng)度及濃度, 使拋光刻蝕速率更快更準(zhǔn)確, 拋光后的基材上獲得更平坦, 均勻性更高的薄膜表面. KDC 考夫曼離子源內(nèi)置型的設(shè)計(jì)更符合離子源在離子拋光機(jī)內(nèi)部的移動(dòng)運(yùn)行.

 

上海伯東美國 KRi 考夫曼離子源 KDC 系列根據(jù)客戶離子拋光工藝條件提供如下型號(hào):

 

型號(hào)

KDC 10

KDC 40

KDC 75

KDC 100

KDC 160

Discharge 陽極

DC 電流

DC 電流

DC 電流

DC 電流

DC 電流

離子束流

>10 mA

>100 mA

>250 mA

>400 mA

>650 mA

離子動(dòng)能

100-1200 V

100-1200 V

100-1200 V

100-1200 V

100-1200 V

柵極直徑

1 cm Φ

4 cm Φ

7.5 cm Φ

12 cm Φ

16 cm Φ

離子束

聚焦, 平行, 散射


流量

1-5 sccm

2-10 sccm

2-15 sccm

2-20 sccm

2-30 sccm

通氣

Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他

典型壓力

< 0.5m Torr

< 0.5m Torr

< 0.5m Torr

< 0.5m Torr

< 0.5m Torr

長度

11.5 cm

17.1 cm

20.1 cm

23.5 cm

25.2 cm

直徑

4 cm

9 cm

14 cm

19.4 cm

23.2 cm

中和器

燈絲

 

KRI 考夫曼離子源其余相關(guān)應(yīng)用:

美國 KRi 考夫曼離子源 KDC 40 熱蒸鍍機(jī)應(yīng)用 (hakuto-china.cn)

離子源表面預(yù)清潔 Pre-clean 應(yīng)用 (hakuto-china.cn)

伯東 KRI 考夫曼離子源 KDC 160 輔助沉積高鋁超硬涂層增強(qiáng)切削性能 (hakuto-china.cn)

 

 

相關(guān)產(chǎn)品:

美國 KRI 考夫曼離子源 KDC 160 (hakuto-china.cn)

伯東美國 KRI 考夫曼離子源 KDC 75 (hakuto-china.cn)

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上海伯東同時(shí)提供真空系統(tǒng)所需的渦輪分子泵, 真空規(guī), 高真空插板閥等產(chǎn)品, 協(xié)助客戶生產(chǎn)研發(fā)高質(zhì)量的真空系統(tǒng).
1978 年 Dr. Kaufman 博士在美國創(chuàng)立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研發(fā)生產(chǎn)考夫曼離子源, 霍爾離子源和射頻離子源. 美國考夫曼離子源歷經(jīng) 40 年改良及發(fā)展已取得多項(xiàng)利. 離子源廣泛用于離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 領(lǐng)域.

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